SNO2掺Sb薄膜导电机理

透明导电膜是一种重要的光电材料,应用广泛。本文介绍了掺锑氧化锡（ATO）薄膜的导电机理和光电性能。掺锑氧化锡薄膜属四方相金红石结构,薄膜中的Sn呈＋4价,掺杂的Sb分别以＋5和＋3价形式存在。对SnO2薄膜电学性能的研究表明,适量的Sb掺杂能显著提高薄膜的导电性能,但是过量的掺杂会导致导电性能的下降。     

掺杂LaCoO3-δ的非化学计量比及混合电导率

采用甘氨酸-硝酸盐法（GNP）合成了掺杂钙钛矿型氧化物LaCoO3-δ系列粉末，并通过X射线衍射分析、扫描电镜和激光粒度分析等技术对粉末进行了表征。结果表明合成的粉末为均匀、近似球形、粒度在0．5～50μm的颗粒团聚体。采用碘滴定法测定了合成氧化物的氧非化学计量值，结果说明氧空位浓度随掺杂铁含量的提高而降低。采用直流四端子法考察了合成材料的混合电导率，结果表明材料的混合电导率随温度、氧空位和密度的提高而提高。     

微波-高分子网络法合成可充锂离子电池材料LiLaxNd0.006-xMn1.994O4及其电化学测试

用微波—高分子网络法 ( m-p)合成掺杂 Li Lax Nd0 .0 0 6 - x Mn1 .994O4( x=0 .0 0 6,0 .0 0 4 ,0 .0 0 2 ,0 ) .XRD图显示用此法可制得晶型很好的样品 .充放电测试说明 Li Mn2 O4的特征容量为 1 2 0 m A/g,循环 2 0次后容量衰减率为 4 .7% .EIS和计时电量图说明掺 La的 Li Mn2 O4表层电阻小 ,而掺 Nd的 Li Mn2 O4的电导率高 .所以 ,将 La和 Nd以合适比例掺入 Li Mn2 O4中有可能提高材料的电导率和循环性能     

Bi系超导体的物性研究

叙述了ＢｉＰｂＧｅＳｒＣａＣｕＯ超导样品的超导电性与其它物性间的关系。实验表明烧结与电击穿顺序不一样，其样品的击穿电压也将不同；多次烧结的超导样品可以降低样品的击穿电压，并增加它们的光吸收率，而从样品的交流伏安曲线又可以看出，超导体中的颗粒之间的接触有类似半导体的性质。     

原子荧光光谱法测定地球化学样品中铋

就原子荧光光谱法测定地球化学样品中铋进行试验研究，探讨了仪器测量条件、还原剂及清洗液等影响因素，确定了测量仪器的最佳工作条件。     

火花光谱法测定粉末样品中的高含量硅

利用火花光谱法定量检测了硅铋样品中质量分数为３０％的元素硅，分析结果表明，相对误差不大于８．４％，相对标准偏差为５．９％，方法是简便可行的。     

The first-principles study on the doping effect of Re in Ni3Al

Using first-principles density function for molecules method （DMol） and discrete variational method （DVM） based on the density functional theory, we studied the doping effect of Re in Ni3Al. The structure relaxation and the alloying energy show that Re has a strong Al site preference and leads to the local deformation, which is in agreement with the experimental results and other theoretical results. In addition, the charge density difference and the bond order show that Re can strongly enhance the interatomic interaction between the nearest neighbor atoms. From the density of states and the Pauli spectrum, we find that resonance states and localized states are induced by doping Re, and the doped Re atom forms the hybridized bond with the nearest neighbor atoms.     

齐分子噻吩乙炔的几何结构特性

采用半经验的Austin Model 1(AM1)方法,计算了齐分子Poly(Thienylene Vinylene)(PTV)的中性态和掺杂态的几何结构特性.与中性态相比,带电态下齐分子PTV的几何结构表现在C-C键键长发生显著的变化,单电荷掺杂导致极化子元激发;双电荷掺杂产生双极化子元激发,即使增加链长,仍在链中产生双极化子而不是两个分立的单极化子;掺杂4个电荷时,在齐分子PTV链中产生两个分立的双极化子.