过渡金属均相络合催化反应中的配体交换反应机理和配体对位效应

采用含原子对排斥能的EHMO即ASED-MO法计算了平面四方形铂络合物Trans-(PH_3)_2Pt(L)Cl(其中L=Cl,CH_3或CO)中(Cl与外部进攻基团NH_3的交换反应。主要研究了这类反应的机理和配体的对位效应,并得到若干和实验事实相符的结论。1、这类交换反应按缔合机理进行;2、配体对位效应的顺序是CO>CH_3>Cl;3、对位效应主要根源于电子效应。对于σ配体(CH_3,Cl),体系的始态能量升高,使活化能降低;而对于π配体(CO),不但始态能量升高,而且过渡态能量较低,使活化能更小,故有较大的对位效应。     

顺铂(cis—PDD)水解常数的测定

顺式二氯二氨合铂(Ⅱ)是目前公认的广普抗癌药物。其水解性能对于此药的保存及使用有重要意义。为此,前人曾利用间接测定氯离子浓度的方法对其进行过研究。本文采用氯离子选择性电极,直接测定氯离子浓度随时间的变化关系,求出水解常数,结果与文献值接近。同时,本文还验证出某些文献中的个别结论不够确切,值得商榷。     

铂—铂铑电极在氧化还原电位滴定终点检出中的研究

对于氧化还原电位滴定终点的检出,可以采用一种双金属电极体系。本文根据J·K·福尔曼,P·B·斯托克韦尔在电位分析法中提到的以铂铑合金作氧化还原滴定的参比电极,用该电极进行了以重铬酸盐滴定亚铁的实验研究,并与其它参比电极(甘汞电极,玻璃电极,钨电极)进行了比较。实验中发现,该电极具有以下一些特点:     

Ptn石墨烯体系氧还原反应的第一性原理计算

通过构建单层六方石墨烯(单空位)超晶胞结构, 用基于密度泛函理论的第一性原理研究Pt 石墨烯体系中反应前O₂的吸附(脱附)势 垒及反应过程中H₂O分子和OH的脱附势垒, 并研究Pt团簇石墨烯体系中（Pt₂石墨烯和Pt₄石墨烯）氧还原反应(ORR)的中间产物及其吸附能的变化过程, 给出ORR的最优路径.     

AKR1家族基因AKR1C1,AKR1C3,AKR1B1调控肺腺癌A549细胞顺铂耐药的研究

探究醛酮还原酶家族1(Aldo-Keto Reductases family 1,AKR1)3个基因AKR1C1,AKR1C3,AKR1B1调控肺腺癌A549细胞顺铂耐药的作用。通过对肺腺癌A549细胞及相应的顺铂耐药细胞A549/DDP的差异表达基因谱进行分析,发现AKR1家族的3个成员AKR1C1,AKR1C3及AKR1B1同时在A549/DDP细胞中显著上调。在细胞水平上对这3个基因进行了RNA定量实验,抑制剂实验和RNA干扰实验,观察其是否参与调控A549/DDP对顺铂的药物敏感性。研究结果证实:AKR1C1或AKR1B1酶活抑制剂与顺铂联合使用可显著提高A549/DDP细胞的顺铂敏感性,而抑制AKR1C3酶活性并不能引起A549/DDP对顺铂的敏感性增强;此外,基于RNA干扰技术,在A549/DDP细胞中同时敲减AKR1C1和AKR1B1不仅增强了顺铂的细胞毒性,且同时显著增强了顺铂诱导的细胞凋亡作用。以上结果表明,AKR1家族中的AKR1C1和AKR1B1基因在调节A549细胞顺铂耐药中起到了关键的作用。     

瓷坩埚替代铂坩埚在氧化铝灼减分析中的应用

本文分析了在氧化铝灼减分析中,在满足冶金级氧化铝产品分析要求条件下,用瓷坩埚替代铂坩埚,按照国标GB/T 6609.2—2004氧化铝1000℃质量损失的测定方法。经验证,采用瓷坩埚替代铂坩埚可以在氧化铝灼减分析中应用。     

浅析集成电路金属化系统的工艺技术

作为材料物殊形态的金属薄膜，已广泛渗透到当代科技的各个领域，并成为微电子、光学利用等技术的基础。如铂、钛钨、铬、银、钛、铝等已成为集成电路金属化系统和分离器件电极布线广泛应用的金属材料。根据电路设计要求，把硅片上制成各种晶体管、二极管等元器件用金属薄膜线条连接起来，构成具有各种功能的集成电路的工艺称为金属化。本文重点阐述集成电路金属化系统金属薄膜制作技术与工艺条件及对所形成金属膜的特性和集成电路性能的影响。1 铂的溅射沉积由于多次光刻后，接触孔处的台阶比较陡直，膜与接触孔的接触效果不一致。1nm的铂…