Si4M(M=Li,Na,K,Be,Mg,Ca,B,Al)原子簇的密度泛函理论研究

采用密度泛函理论B3LYP方法,在6-311G*水平上,对Si5原子簇各稳定构型中的一个Si原子,经M(M=Li,Na,K,Mg,Mg,Ca,B,Al)取代后所得到的各种Si4M原子簇的几何构型,进行优化和频率计算,获得它们的稳定结构.在所有的Si4M原子簇中,具有C2v对称的三角双锥结构是最稳定的构型,且同一主族金属原子,按照从上到下的顺序,Si-M键Mulliken重叠布居数依次减少,键强度依次减弱,键长依次变长;同一周期金属原子,按照从左到右的顺序,Si-M键Mulliken重叠布居数依次增大,键强度依次增强,键长依次变短.与同一主族和同一周期的原子共价半径的变化规律是一致的.     

不同剂量顺铂联合长春瑞滨治疗老年晚期非小细胞肺癌对照研究

目的对照研究低剂量与常规剂量顺铂(cisplatin、DDP)联合长春瑞滨(vinorelbine、NVB)对老年晚期非小细胞肺癌(non-small celllung cancer、NSCLC)的近、远期疗效及毒性反应,进一步探讨顺铂在老年晚期NSCLC中的最低有效剂量.方法低剂量组:NVB 25mg/m2,静脉点滴,第1、8天,顺铂40mg/m2,静脉点滴,第1天或第1～2天;常规剂量组:NVB 25mg/m2,静脉点滴,第1、8天,顺铂70mg/m2 d1或d1～2.3周为一周期,完成四周期后进行评定疗效.结果入组病例61例,低剂量组和常规剂量组各32例和29例,用药后均可评价疗效,两组的有效率(RR)分别为31.3%和44.8%,近期疗效差异无统计学意义;两组的中位生存期(median survive times、MST)分别为41周和46周,一年生存率分别为36%和38%,远期疗效差异亦无统计学意义.毒性反应方面,低剂量顺铂组Ⅲ～Ⅳ度白细胞减少、恶心呕吐发生率分别为4(12.5%)、1(3.1%),常规剂量组Ⅲ～Ⅳ度白细胞减少、恶心呕吐发生率分别为13(44.8%)、8(27.8%),差异有统计学意义.其余毒性反应较轻,无化疗相关死亡.结论低剂量顺铂联合长春瑞滨对老年晚期NSCLC的疗效与常规剂量组相似,毒性反应轻,特别适合老年晚期NSCLC患者使用;老年晚期NSCLC的联合化疗中顺铂40mg/m2为有效剂量.     

红景天苷和顺铂对SKOV3细胞增殖作用比较研究

目的：比较研究顺铂、红景天苷对卵巢癌细胞SKOV3增殖的作用影响.方法：设置顺铂组、红景天苷组和空白组,培养SKOV3细胞至对数期,将不同浓度的顺铂和红景天苷分别作用细胞24 h、48 h和72 h,采用CCK-8法测定细胞OD值,计算药物对SKOV3细胞增殖的抑制率、半抑制浓度(IC₅₀),比较药物对SKOV3细胞的抑制率、半数抑制浓度.结果：顺铂、红景天苷对SKOV3细胞增值的抑制作用均呈浓度和作用时间的依赖性,即抑制率与药物浓度呈线性关系.两组药物对SKOV3细胞的抑制率与空白组比较差异极显著(P<0.01).顺铂对SKOV3细胞的抑制效果显著高于红景天苷;顺铂和红景天苷48 h和72 h的半数抑制浓度极显著低于24 h(P<0.01),72 h的半数抑制浓度极显著低于48 h.结论：顺铂、红景天苷对SKOV3细胞增殖的抑制率与药物浓度和作用时间呈依懒性,两药物组的IC₅₀均与药物作用SKOV3细胞时间呈依懒性,两药物的总体抑制效果相似.本研究可进一步开发红景天苷,从而为抗卵巢癌新药提供思路.     

硅氢反应合成有机硅蜡

在铂络合物催化剂的作用下,以高碳数烯烃化合物和含氢硅油为原料,利用硅氢加成反应合成有机硅蜡。研究了原料配比、催化剂用量、反应时间、反应温度对Si-H键转化率和产物运动粘度的影响。确定最佳反应条件为：烯键与硅氢健摩尔比n（C—C）：n（Si—H）-1．12：1、铂催化剂用量3．2μg／g、反应温度130℃、反应时间8h。并对合成产物的分子结构进行了红外、核磁表征,结果表明长链烷基已被接枝到聚硅氧烷主链中。     

乙基紫做显色剂测定痕量铂

本文研究了pt~(4+)—吡啶—3—甲酸—乙基紫离子缔合体系的显色反应。摩尔吸光系数ε600nm=4.3×10~51.mol~(-1).Cm~(-1),相关系数为0.9997。缔合物可被苯+MIBK(2:1)的混合溶剂所萃取。萃取光度法的主要条件被详细研究了。铂含量在0—4ug/10ml范围内遵守比尔定律。在室温下显色萃取液在90min内是稳定的。研究了34种外来离子对本法测定铂的影响。     

冰晶石-氧化铝熔体对铂电极的湿润

采用无壁电解槽研究了铝电解质对铂电极的湿润性,报道了熔滴沿铂阴极向上蠕动,电解质在碳极上的铺展与收敛、阳极效应时电解质在铂阴极上打“秋千”等现象,推导并依据在极化条件下的杨氏(T.Young)方程,认为上述现象是缘于双电层中同性电荷相斥所致。