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81.
Schottky结构半导体粒子探测器的辐射测试 总被引:1,自引:0,他引:1
提出一种金属-半导体-金属Schottky结构的粒子探测器,它用高迁移率,半缘绝的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体GaAs为材料制成大面积的粒子探测器。经过能量为1.5MeV,剂量分别为500kGy和1MGy的电子辐射和剂量分别为300kGy和500kGy的^60Coγ射线辐射,探测器能正常工作,是一种新型的经得起强辐射的粒子探测器。 相似文献
82.
中红外2 μm波段锁模超快激光在工业、军事、环境、医疗和科研等领域有着广泛的应用.随着中红外波段固体激光材料和锁模器件的不断发展,利用锁模技术直接产生2 μm波段固体超短脉冲激光成为有效的技术途径之一.本文综述了近十年来2 μm波段主动和被动锁模固体激光的研究进展,针对激光材料、锁模器件等方面的进展情况进行了回顾,并对未来2 μm波段锁模固体激光的发展前景进行了展望. 相似文献
83.
84.
体心立方双层铁磁性薄膜中的自旋波能谱分析 总被引:1,自引:1,他引:0
采用界面重参数化方法,研究了体心立方结构的铁磁性材料,在界面为铁磁性耦合情况下,两层薄膜中自旋波的本征模、能带结构、色散关系.同时,重点讨论横向(平行于界面方向)自旋波对纵向(垂直于界面方向)自旋波的影响,与简立方结构的结论作了比较,结果发现:结构的变化在很大程度上影响了各种模的性质. 相似文献
85.
文章就铁磁式电压互感器在运行中出现的谐振进行了分析,对谐振出现的原因及预防方法作了初步的探讨,并提出一些预防谐振的处理建议。 相似文献
86.
在一维绝缘铁磁链系统基础上建立了一个磁振子-声子相互作用模型,利用格林函数方法研究了有限温度时磁振子一声子相互作用下的一维绝缘铁磁链的磁振子衰减,计算了在布里渊区的磁振子衰减-ImΣ^*(1)(κ)曲线,发现在布里渊区边界区域磁振子衰减最明显,讨论了各项参数的变化及不同的温度对磁振子衰减的影响,根据关系式-ImΣ^*(1)(κ)=n/(2τ)可以对磁振子寿命进行判断。 相似文献
87.
严小涛 《科技导报(北京)》2007,25(3):78-78
由于传统的“自上而下”的微电子工艺受经典物理学理论的限制,依靠这一工艺来减小电子器件尺寸将变得越来越困难,但摩尔定律指出,在微处理器中晶体管的数量在18个月内就要翻一番,且晶体管的面积和成本也不断地成比例下降,这就引发了目前工艺和电子器件发展之间的矛盾,这一矛盾的解决要求半导体领域的科研工作者去寻求新的工艺手段和新型半导体材料来满足未来半导体器件微型化发展的要求。硅基一维纳米材料被认为是未来微电子器件微型化的关键材料之一,它与现代硅基微电子体系完全兼容,可作为纳米器件的基本结构基元,因此在未来电子器件的纳米化进程中具有重要的作用。 相似文献
88.
总结了近年来基于不同第一过渡系列金属的分子水氧化催化剂,包括贵金属分子水氧化催化剂和非金属分子水氧化催化剂;以及常用的氧化物半导体电极材料,例如α-Fe2O3、WO3和BiVO4等。概述了目前分子水氧化催化剂在电极表面的负载方式,包括物理吸附方式、共价键结合方式、分子催化剂修饰吸附基团方式、静电作用和π-π堆积作用等。提出构建高效稳定的光致水分解分子器件需要解决的问题,从而实现利用太阳能大规模裂解水制备清洁能源的设想。 相似文献
89.
90.
李丽 《中国新技术新产品精选》2009,(24):13-14
EDMOS晶体管广泛地用于半导体器件在很多领域内,如高压MOS场效应管。EDMOS含有一个轻掺杂漏极区域来提升击穿电压.正归功于它们的优越性,这类晶体管正作为功率器件在智能型功率集成电路领域快速地取代双极晶体管. 相似文献