连续波激光诱导扩散区温度的不接触测量

激光诱导扩散中曝光区的大小在１０μｍ数量级，其温度分布的测量是比较困难的，该文报道一种曝光区中极微小面元的不接触测量，文中介绍了测量原理，实验装置，给出了实验结果，并特地介绍了测量系统的定标。     

层间有反铁磁交换相互作用的磁性超晶格的推迟模式

我们用等效介质理论计算了层间有反铁磁交换的侧向晶格。当外场垂直于磁性或非磁性层时,在这种超晶格中存在两种磁序：反转自旋（flop)和平行自旋磁序。我们发现,这两种磁序的表面模的频率随外场和层间耦合的变化情况很不同。前一种磁序中,模式的频率对层间耦合非常敏感,我们还发现使表面模存在的两个外场临界值。     

基于半导体光放大器的基本RS触发器

在半导体光放大器(SOA)非线性效应的理论基础上,仿真实现了一种新型全光RS触发器.设计基于SOA和光滤波器,实现了两路NRZ码信号的与(AND)、与非(NAND)逻辑运算,在全光与非门的基础上,构造实现全光学基本RS触发器,并通过软件仿真方式验证了其功能.     

极性半导体中表面磁极化子有效质量的性质

本文研究极性半导体中电子表表面光学声子和表面声学声子均为弱耦合时表面磁极化子的性质，讨论反冲效应中不同波矢声子之间相互作用对表面磁极化子有有效质量的影响。     

变电站10kV线路断线故障引发铁磁谐振的原因和防止的措施

本文分析了某变电站10kV不接地系统中的一条馈出线断线故障引起的铁磁谐振的原因，提出有关预防措施和对策。     

激光退火对碲镉汞电性能的影响

利用ＹＡＧ脉冲激光器（脉宽为１０ｎｓ，波长为１．０６μｍ）对砷注入长波碲镉汞样品进行激光退火，分析离子注入及激光退火引起的样品电学性质的变化；通过对电导率－迁移率谱的研究，发现激光退火能够消除辐射损伤，并激活注入杂质。     

SnO2—ZnO二元系半导体陶瓷材料特性

报道了ＳｎＯ２－ＺｎＯ二元系半导体陶瓷体及其薄膜的制备方法，材料的电学，光学，热敏，气敏和湿敏特性，以及掺杂和热处理对材料特性的影响，ＳｎＯ２－ＺｎＯ半导体陶瓷材料有很好的稳定性，是一种多功能复合半导体材料，在光伏技术，敏感技术及仪器仪表领域有着广泛应用。     

四大顶级IT展“会师”2008上海国际信息化博览会

2008年3月18日，为期三天的“2008上海国际信息化博览会”在上海新国际博览巾心盛大开幕。本次信博会由上海市信息化委员会、上海市浦东新区人民政府共同主办，国际半导体设备与材料协会（SEMI）、慕尼黑国际博览集团（MMI）、     

紊乱是物理学的喜讯

格温(E.G.Gwinn)和韦斯特韦恃(R·M·Westervelt)在他们最近的一篇论文(Phys Rev Lett 59 157—160,1987)中探讨了冷却P型锗的电子迁移从规则行为向紊乱行为过渡的一条途径。在此以前,利谢贝尔(A.Iibchaber)和他的合作者用很不相同的物理系统(水银的对流)找到了一条同一性质的途径。这个新实验作为半导体物理学的一项研究是很有趣的,并由于它的许多技术结果:这两个实验都显示了很高的精确度,因此,现在能被实验家们用于检验向紊乱过渡的理论。紊乱已成为物理学的一门活跃分枝的一个总括的名称,它描述在大部分决定性非线性动力学系统中出