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341.
提出了一种利用全息光学元件获得大口径会聚象散波的方法,介绍了此种全息光学元件 制作过程,阐述了用全息元件制作大面积,大视角,无畸变的象散彩虹全息图的原理,讨论了放大率匹配问题,并给出了实验结果。 相似文献
342.
本文针对从德国引进的两类轻工机械上使用的特殊曲面元件,作了理论分析,详细地描述了形成规律,建立了数学模型,并对其中急待解决的,使制造、使用厂家、设计者困惑不清的问题,透彻地作了释疑,并根据数学模型或确定的曲面参数,由计算机输出其图形,或绘制出完整的工程图样.此外,还阐述了加工该类曲面时,刀具理论轮廓的设计方法.本文强调,在当前的技术背景下,加强曲面理论与制造方法的研究,有很重要意义.这对于引进、消化、吸收国外先进技术,对于轻工生产的发展,无疑是非常有益的. 相似文献
343.
针对当前教学对象的新变化.新形势下的职业技术教学应尽量实现复杂问题简单化、抽象问题直观化、枯燥问题生动化。以最大程度地提高教学效果。本文通过透析液压元件图形符号的内涵,阐明其结构原理,通俗易懂.提高教学效率。 相似文献
344.
<正>随着经济的发展,我国的电网技术也迅速发展,220kV变电站已成为城市供电的主流供电站。但是,在实际操作运行中,过电压现象时有发生,给供电系统带来了严重的安全隐患。在220kV变电站的实际运行中,操作过电压和谐振过电压是遇到频率最高的两种过电压现象,它们会对设备甚至是人体产生很大危害。本文,笔者主要分析了空载变压器操作过电压和母线系统谐振过电压产生的原因,并提出了相应的防范措施,以期对同行有所参考。 相似文献
345.
为了研究螺旋流在形成、发展及衰减过程中旋流强度的变化规律,采用数值模拟方法对管内置窄边扭旋元件诱导产生的螺旋流进行分析,得到了雷诺数和元件扭率对旋流强度的影响规律。结果表明:流体进入扭旋元件后,在元件两侧形成两个与主螺旋流旋向相反的二次涡流;流体流出扭旋元件后,旋流螺距经历一个由大变小,再由小变大的过程;在螺旋流形成发展阶段,雷诺数对旋流强度影响较小,旋流强度随着元件扭率的增大而迅速提高,由于惯性作用旋流强度在元件出口1/6元件长度处达到最大,该位置与雷诺数和元件扭率无关;整个螺旋流发展阶段旋流强度呈现一种指数变化规律;流体流过旋流强度最大截面后,由于流体粘滞力大于惯性力,旋流强度以近似线性的规律衰减,雷诺数越大衰减速度越慢,扭率对旋流衰减速度影响较小。 相似文献
346.
采用平均场理论研究三维含铁磁耦合相互作用玻色气体的磁化率, 讨论了磁化率χ 与约化温度t、约化铁磁
耦合常数?I、朗德因子g 以及约化磁场强度h 的关系.结果表明,顺磁性和弱铁磁耦合强度下铁磁性的增加均有利于磁
化率的增大. 相似文献
347.
通过密度泛函理论,研究了碳化硅片被羟化时的电磁特性.所研究的碳化硅片为六角蜂窝状结构,碳硅原子之比为1∶1,相间排列.由于碳化硅片中含碳、硅两种元素;为此,分别考虑了全部的碳原子以及全部的硅原子分别被羟化的情形,结果发现了丰富的电磁特性.由于羟基对羟化原子的吸引作用,碳硅原子出现分层,对应于碳、硅原子被羟化时的碳硅层间距分别为0.671、0.390,碳硅键长度也分别伸长为1.904、1.861,而对应的键角C-O-H与Si-O-H分别为107.8°、114.1°,表现了新奇的几何结构特点.由形成能计算发现羟化是放热的,说明此过程易实现.为寻找到最稳定的磁状态,分别考察了铁磁、反铁磁以及非磁三种构型,结果发现,当所有碳原子被羟化时,材料为非磁性的正常金属;而当其中所有的硅原子被羟化时,是直接带隙为1.12 eV的反铁磁半导体.其中,硅被羟化时的结构更稳定.这些说明通过调节碳化硅片中羟化的不同位置,可以有效地调节碳化硅片的电磁特性,预示着在未来的纳米功能材料中可能的应用. 相似文献
348.
甲烷含量的检测对煤矿的安全生产有着重大的意义。通过对甲烷检测报警仪总体结构、系统特点和各模块功能的介绍,介绍了一种基于TMS320VC5416定点数字信号处理芯片等器件的甲烷检测报警仪。报警仪使用4.2V镍氢电池供电,具有性价比高、运行稳定、实时性好、杭干扰能力强等优点。具有很好的实用和推广意义。 相似文献
349.
350.
基于“软系统”的显著特性,提出了介质元件、关联系统等新的概念、理论,并给出了关联系统的可靠性数学模型。借助于关联系统的可靠性函数模型,对简单系统的联结关系进行了系统分类,同时分析了该模型在软系统中的应用方法和前景。 相似文献