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191.
铁的单核羰基络合物中铁原子的共价 总被引:4,自引:0,他引:4
原子价是化学中最重要的概念之一,但迄今为止仍缺乏严格而又被普遍接受的定义.较为通用的是Pauling所下的1个定义:1个元素的原子价是指它的1个原子和其它原子形成的共价键数.即V_A=∑键级.此定义对只形成正常共价键的分子非常适用.但在蓬勃发展中的金属有机化学、原子簇化学及现代无机化学中却遇到了许多困难.例如在CO分子中,∑键级=3,根据Pauling共价定义则有V_c=V_o=3.这是不能令人接受的,其中关键问题是化 相似文献
192.
氢致α-Fe脆性机理的电子理论研究 总被引:2,自引:0,他引:2
α-Fe的氢脆很受重视,尤其对其机理研究,人们做了大量的工作.一般认为,脆断取决于原子间键的特性.有人认为,α-Fe的氢脆机理是氢原子的溶入降低了裂纹尖端原子间的结合力,减少了{100}面的解理应力,但又有人认为,氢并不降低铁原子的键合力.可见,迄今氢致α-Fe变脆的机理尚不完全清楚.本文通过计算含氢α-Fe解理面间原子结合键的键能,分析了氢原子对α-Fe键结构特性及电子分布的影响,发现氢原子溶入后改变了Fe原子的状态,使晶体中不同解理面的强度出现了严重的各向异性,并且,显著降低了晶体中的晶格电子数.我们认为,这可能是使α-Fe易于解理断裂的原因. 相似文献
193.
纳米晶Fe_(72.7)Cu_(0.8)Nb_2V_2Si_(13.5)B_9合金的高频磁性和超顺磁性行为 总被引:1,自引:0,他引:1
典型的Fe_(73.5)Cu_1Nb_3Si_(13.5)B_9和Fe_(73.1)Cu_(1.2)Nb_(3.2)Si_(12.5)B_(10)合金含有较贵的Nb,原始非晶带比较脆.我们用V代替部分Nb制成了Fe_(72.7)Cu_(0.8)Nb_2V_2Si_(13.5)B_9合金,降低了成本,明显改善了脆性,非晶带可对折而不脆.对新合金高频磁性及起始磁化率的温度关系进行了研究,观察到纳米铁磁粒子系统的超顺磁性行为,本文报道这些方面的实验结果. 相似文献
194.
研究5-Br-PADN与铁(Ⅲ)的显色反应,在pH9.0~9.4范围内,当有10%SDS存在时,铁(Ⅲ)与5-Br-PADN形成1:4的稳定配合物。λ_(max)为534nm,ε为5.13×10 ̄4L·mol ̄(-1)·cm ̄(-1),铁(Ⅲ)浓度在0~12.5×10 ̄(-4)g/L范围内符合Beer定律,用双峰双波长法测定茶叶中痕量铁(Ⅲ),结果满意。 相似文献
195.
本文研究了Si,Cu,Mo对奥-贝球铁残余奥氏体含量、冲击韧性以及断裂方式的作用,发现不同元素存在着明确而各不相同的影响规律,含Si量(2.7~3.0)%,Cu合金化程度较大;Mo合金化程度较小时,残余奥氏体量和冲击韧性较高,球铁呈韧性断裂。含Mo量较高时合金倾向于沿晶断裂,最后,结合等温淬火参数,本文给出了冲击韧性和抗拉强度的逐步回归数学模型。 相似文献
196.
紫外灯下草酸铁/过氧化氢对农药乐果的降解试验研究 总被引:2,自引:0,他引:2
以草酸铁/过氧化氢为光氧化剂,利用自制的平板型光反应装置对有机磷农药乐果进行降解试验研究,结果表明有机磷农药乐果能被有效地降解。采用正交法设计试验方案,确定了最佳反应条件:初始PH值3、铁离子浓度40mg/L、双氧水浓度300mg/L、和辐射强度13.5w/m^2。 相似文献
197.
周作人认同斯威夫特对社会、人性“掐臂见血”的辛辣批判,也欣赏他使用的“反讽”这一修辞策略,而更感兴趣的则是两者的结合,这契合了周作人思想性格、人生哲学与文学趣味中“流氓与绅士”、“铁与温雅”的对立与统一。 相似文献
198.
199.
研究了PZT-5H铁电陶瓷导电缺口发生电致滞后断裂的可能性及其规律. 结果表明, PZT-5H导电缺口发生电致断裂的临界电场EF = 14.7±3.2 kV/cm. 如外加电场E<EF, 则在导电缺口前端瞬时产生电致微裂纹, 若保持恒电场E, 电致裂纹将缓慢扩展直至试样发生滞后断裂, 滞后断裂的门槛电场EDF = 9.9 kV/cm. 如EEK= 4.9 kV/cm, 则电致裂纹并不瞬时形核, 只有在恒电场下经过一定的孕育期后电致裂纹才形核并扩展一定距离, 但试样也不会发生断裂. 如E<EDF = 2.4 kV/cm, 即使长时间施加电场, 裂纹也不形核. 导电裂纹的滞后形核和滞后断裂归因于恒电场下从缺口顶端发出的电荷密度随时间而增大, 当外加电场小于电荷发射的门槛电场时不会发生电致裂纹的滞后形核. 相似文献
200.
研究了TiO2过渡层对BiFeO3薄膜微结构和铁电磁性质的影响.采用溶胶-凝胶法分别在Si(100)和Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备了BiFeO3薄膜.通过加入约10 nm厚度的TiO2过渡层,在两种衬底上均制备出了纯相BiFeO3薄膜,而未加过渡层的薄膜均有杂相存在.与未加TiO2过渡层相比较,BiFeO3/TiO2薄膜表面颗粒大小更加均匀、致密、平整.在室温10kHz下沉积在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上的薄膜的损耗从0.094下降到0.028;而薄膜的介电常数变化不大,分别为177和161.在室温下同时测得了薄膜的电滞回线和磁滞回线.BiFeO3/TiO2薄膜的饱和磁化强度为16.8 emu/cm3,在600kV/cm电场下,剩余极化强度为9.8μC/cm2.研究表明,TiO2过渡层能够有效地抑制Bi FeO3薄膜杂相的生成,提高薄膜的表面平整度以及耐压性. 相似文献