三丁基锡暴露对褐菖鲉碱性磷酸酶活性的影响

研究了在实验室条件下．腹腔注射不同浓度(1．9、9．6、19．3、193μg／kg)的三丁基锡(tributyltin．TBT)对褐菖鲉肝脏、肾脏和脾脏碱性磷酸酶[alkaline phosphatase(AKP)]活性的影响．研究结果表明，在7d的曝污实验中．低剂量的TBT对碱性磷酸酶活性主要产生诱导作用，碱性磷酸酶活性随着TBT浓度的增大呈现先增大后减小的钟形曲线．这提示TBT暴露会影响褐菖鲉正常的代谢及其免疫功能．     

[Mo6O17(NAr)2]2-的光谱与[Mo6O19]2-类芳香性的研究

本文研究分析了六钼酸盐的2,6–二甲基苯胺的邻、对位二取代衍生物的UV/Vis、¹H-NMR和UV-Vis-NIR反射光谱。比较二者的光谱特征得出六钼酸盐的对位二取代衍生物中存在更大的π共轭离域体系。结合量子化学π共轭离域体系的计算结果成功地解释了二者的光谱特征的差别，从而在实验上证实这类前过渡金属的同多酸阴离子[M₆O₁₉]^n-(M=Mo和 W, n=2; M=V和Nb, n=8）中存在类芳香性。     

杂多蓝光度法快速测定碳素钢中硅、磷

在室温、一定的酸度等条件下，分别采用二元硅钼蓝光度法、三元饿磷钼蓝光度法测定碳素钢中硅、磷，加快了显色反应速度，本方法操作简单、显色物稳定性强，测定准确率高。     

与钼氧化态线性相关的键价参数

根据晶体结构数据提出含钼化学键的键价参数R0与钼氧化态n之间的线性相关性。建立了B=0.037nm时Mo-X(X:O,S,N,Cl,F)键的直线方程，指出最近发表的与钼氧化态无关的Mo-O键价参数R0=0.18788nm,B=0.03046nm是线性相关函数中的一个特例，介绍了几个键价参数的应用实例。     

新型硫化剂在Na2WO4溶液中制备硫代钼酸盐

用离子交换法分离P,Si,As,Mo制取高纯APT,需要用硫化剂Na2S或NaHS等从钨酸钠溶液中使钼酸盐转化为硫代钼酸盐,用离子交换法吸附硫代钼酸根从而实现钨钼分离.这些硫化剂价格较高,使除钼成本增大.因而,研究一种高效、价格低廉的新型硫化剂非常重要.作者研究了一种比RCS廉价的新型硫化剂R1CS代替RCS,NaHS,Na2S和H2S,考察了新型硫化剂R1CS在粗钨酸钠溶液中生成硫代钼酸钠的硫代化效果.结果表明,对含WO3 ℃搅拌反应2.5 h,反应冷至室温后,用1∶1(体积比)的盐酸在密闭的容器中调节酸度至pH值为8.0～8.4,在70 ℃磁力搅拌再反应2 120.256 g/L,Mo 1.457 g/L的实际钨酸钠溶液,控制R1CS的加入量为Mo的近10倍,在装有回流管的三颈瓶中于106 h,用3%N263单级萃取检查硫代化效果,钼的萃取率可达96%以上,表明运用这种新型硫化剂在Na2WO4溶液中制备硫代钼酸盐时成本低,效率高.     

中硅钼球铁铸件材料的研制

介绍了铁合金蠕变热压定形耐热球墨铸铁模具铸件的铸造、熔炼和热处理工艺，探讨了它的形成机理。研制出的铸件满足了钛合金蠕变定形处理的要求。     

高热稳定性富钕铁硼永磁体研究

研究了廉价高热稳定性富钕混合稀土永磁合金。选择价廉的富钕混合稀土制备永磁体,通过合金元素钴和钼的复合加入,提高了磁体的使用温度。对于MR_(34)Co_(14)Fe_(49.9)Mo_(1.0)B_(1.1)磁体,其性能达到:_iH_c=1 020kA/m,_bH_c=860 kA/m,B_r=1.14 T,(BH)_(max)=240 kJ/m~3,a_(20-150℃)=-0.07％/℃,T_c=485℃,W_(ir)<6％。并研究了永磁体的微观结构。     

钼系药剂缓蚀规律及吸附特性研究

该文通过钼酸盐在碳钢挂片表面上的吸附试验及缓蚀试验,总结其经验规律,提出机理。理论计算与实验结果能较好地吻合。     

Mo对Fe—Cu—Nb—Si—B合金磁性的影响

用Ｍｏ部分替代Ｆｅ－Ｃｕ－Ｎｂ－Ｓｉ－Ｂ合金中的Ｎｂ而制备的Ｆｅ７３Ｃｕ１Ｎｂ１．５Ｍｏ２Ｓｉ１２．５Ｂ１０非晶合金，在５００－６２０℃的温度范围内进行了等温退火处理。对退火后样品进行了磁性、微结构及物相研究，表明在５３０℃左右退火后具有最佳软磁性能。当退火温度大于６００℃时，有Ｍｏ２ＦｅＢ２及其它化合物析出从而使合金软磁性恶化。Ｍｏ与Ｎｂ一样有抑制晶粒生长，细化晶粒之作用。     

Si和Mo基片上气相生长金刚石薄膜的界面状态研究

在低压气相生长金刚石薄膜中,金刚石薄膜与基片间的界面状态是一个十分重要的问题,它不仅与金刚石在异质基片上的成核、生长机理有密切关系,而且在很大程度上决定着金刚石薄膜与基片的粘附性能.近几年来,人们首先较多地研究了单晶Si基片生长金刚石薄膜中的界面状态,认为在金刚石薄膜与Si基片之间存在着一个界面层或过渡层,其主要成分是β-SiC.但也有人认为不存在界面层,金刚石是在Si表面直接生长的.其它基片上生长金刚石薄膜的界面状态也曾见报道.