极性晶体膜中极化子的性质

使用格林函数法研究在极性晶体膜中极化子自能的一些性质．对ＧａＡｓ进行了计算,结果表明：在绝对零度时,极性晶体膜中电子与体纵光学声子相互作用能的绝对值随极性晶体膜的厚度的增加而增加,随后几乎保持不变．     

LiNbO3：Fe晶体横向光生伏打效应引起的各向异性两波耦合

从实验上较全面地研究了ＬｉＮｂＯ３：Ｆｅ的横向光生伏打效应引起的各向异性两波耦合,得到衍射效率随调制度和光强变化的规律,并观察了两波耦合的能量转移特性,实验结果与理论分析符合得很好。     

掺铅TiO2薄膜的制备及光催化性能

以钛酸四丁酯为前驱体,采用溶胶-凝胶法在玻璃板表面制得均匀的TiO2,并利用浸渍法镀pb2 得到掺铅的TiO2,用紫外漫反射、荧光光谱分析等手段对其进行了表征.研究结果表明,掺杂铅离子使TiO2的荧光峰明显增强,吸收带边发生红移,在紫外光区和可见光区的吸收明显增强.以紫外灯为光源,通过对甲基橙的光催化降解研究,发现掺铅TiO2薄膜的光催化活性明显大于掺Ag,Bi及纯TiO2薄膜,这是提高TiO2光催化活性的有效方法.     

铅烟除尘特性研究

简述静电除尘的电晕放电、尘粒荷电、尘粒运动与捕集的基本原理;重点讨论了铅烟高压静电发生器的绝缘结构、电场特性、低压回路、高压回路、本体设计等.通过研究得出结论:铅烟除尘器本体可采用直径800 mm圆柱形宽极间距结构,其高压绝缘可采用3 240与3 260环氧玻璃布作为主绝缘体,高压采样系统宜采用高压电阻直接取样方式,响应快,控制灵活.     

(1-x)PST-xPZT陶瓷的热释电性能研究

用静态法对不同制备工艺和不同PZT掺杂量的(1-x)PST-xPZT陶瓷的热释电系数进行了测试,发现随着PZT掺入量的增加逐渐降低PSTZT陶瓷的热释电系数.采用两步法工艺制备的PSTZT陶瓷和在较高烧结温度下制备的PSTZT陶瓷的热释电系数较大.     

BaTiO_3∶Tm~(3 )反蛋白石的上转换发光

利用合成蛋白石模板、填充溶胶前驱体、烧结移除模板的方法,制备BaTi O3∶Tm3 的反蛋白石结构.根据实验测量的反射光谱与650nm激光光源激发下的上转换荧光光谱,得到了反蛋白石结构的光子带隙位置以及上转换光谱.由于带隙位置与激发光源位置的重合,与粉末样品的上转换光谱相比,反蛋白石的光谱强度降低,出现了峰位展宽,从而也为光子带隙对于特定电磁波的抑制提供了明显的证据.     

五元系PMMSN压电陶瓷材料及其低温烧结

设计并研究了一种新型五元系压电陶瓷材料Pb(Mg1/3Nb2/3)a(Mn1/3Nb2/3)b(Mn1/3Sb2/3)cZrdTieO3(PMMSN).以材料的准同型相界附近的组成为研究对象,采用普通合成法、不同合成路径的先驱体法进行材料合成,通过添加低温烧结促进剂实现低温烧结,并研究其对材料性能的影响.结果表明,三组元复合先驱体法合成材料的性能最佳,1100℃烧结样品的性能参数为Qm=1916,kp=0.56,d33=326pC/N,ε33T/ε0=1349,tanδ=0.0043.添加Si O2,CdO可使材料烧结温度降低到850℃～950℃,且基本保持了材料的特性,在低温共烧叠层功率型压电陶瓷器件方面显示出好的应用前景.     

由ZnO胶体球生长光子晶体(英文)

利用重力场下的自组装,将单分散的ZnO胶体颗粒悬浮液自组装为三维光子晶体.通过扫描电镜图谱、反射光谱对制得的ZnO光子晶体进行了表征.结果表明,这种方法可得到排列有序的光子晶体,并且改变反应条件可以控制ZnO胶体球的尺寸.制得的样品有明显的光子禁带,且禁带波长位置随胶体球粒径的减小而蓝移,这是光子晶体的典型特征.     

新型电介质:Metamaterials(特异材料)与光子晶体材料

作者对目前国际研究热点的Metamaterials(有特异材料,奇异材料,超常材料,左手性材料,负折射率材料,异向材料,元材料等多种中文译名)与光子晶体材料(即光子带隙材料、电磁波带隙材料)的原理与构成方法作了基本的介绍.作者还讨论了这两类新型电介质的共性问题与个性问题.并且讨论与介绍了这两类新型电介质材料的实现方法与应用前景,同时就这两类材料在微波频段的应用与制备技术作了专门的讨论.     

PbTiO_3纳米线的合成及其光致发光特性研究

采用水热合成技术,以钛酸四丁酯和三水醋酸铅为原料,NaOH为矿化剂,合成了直径约12nm的钙钛矿结构钛酸铅纳米线.通过X射线衍射,扫描电子显微镜,X射线光电子能谱等技术对纳米线的形貌和成分进行了表征并研究了PbTi O3纳米线的光致发光特性.