PX相钛酸铅纳米针的水热合成及微观结构研究

以醋酸铅和钛酸四丁酯为原料,乙醇胺为矿化剂,采用水热法成功合成出PX相钛酸铅纳米针,利用X射线衍射,扫描电子显微镜和透射电子显微镜对其物相、形貌和微观结构进行表征.纳米针经560℃退火后发生相变,且生长方向也随之改变.     

纳米ZnTiO3粉体的制备

以ZnCl2、TiCl4为原料,以氨水为沉淀剂,采用特殊液相沉淀法制备锌的钛酸盐.经过透射电镜(TEM)和X射线衍射(XRD)表征,ZnTiO3粉体的粒径为2-3 nm,分散性好,粒径分布均匀,粒子呈球形或近球形属六方菱形微晶.     

二氧化钛纳米棒薄膜的水热法制备及表征

以钛酸四丁酯为原料,采用水热法在透明导电玻璃FTO上制备了Ti O2纳米棒薄膜。利用X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对样品的结构和形貌进行了分析和表征,研究了反应液浓度和水热温度对薄膜结构和形貌的影响。结果表明,所制备的纳米棒薄膜均匀、致密、无可视缺陷。水热条件的改变,直接或间接影响了纳米棒晶体的初期成核和后期生长过程,最终形成不同结构和形貌的Ti O2纳米棒薄膜。由于Ti O2纳米棒薄膜稳定性好,光催化效率高和不产生二次污染,具有广泛的应用前景。     

化学溶液沉积法制备Pb0.5Ba0.5TiO3薄膜的结构及电学性能研究

采用化学溶液沉积法在Pt/TiO2/SiO2/Si基片上制备钛酸铅钡Pb0.5Ba0.5TiO3(PBT)薄膜.薄膜呈纯钙钛矿结构,无杂相生成.此外,薄膜表面光滑致密、没有微裂痕.薄膜得到的晶粒尺寸较小,约为17 nm.在700℃ lh退火的薄膜有良好的电学特性,在1 kHz频率下测量得到的介电常数、损耗因子分别约为265和5％;此外,在500 kV/cm电场驱动下,薄膜得到的剩余极化(2Pr)约为16 μC/cm2,矫顽电场(Ec)约为110 kV/cm.这些结果表明,PBT固溶体薄膜有望成为铁电器件的候选材料.     

二茂铁甲醇与四氯化钛的反应──合成双（二茂铁甲基）醚的新方法

以二茂铁甲醇与四氯化钛作用，未得到预期的钛酸酯，却得到产率较好的双（二茂铁甲基）醚，反应条件对产率有较大的影响，讨论了与四氯化钛反应过程中，二茂铁甲醇和脂肪醇之间的差异．     

Al2O3-TiO2料浆流变性能的研究

研究了研磨时间、分散剂掺量、固含量对Al2O3-TiO2料浆流变性能的影响.研究结果表明,当研磨时间为4 h,分散剂掺量为3%(mass fraction of solid)、固含量为45%(volume fraction)的条件下所制备的Al2O3-TiO2粘度仅为76 mPa·s,引入固化剂后固化时间为360 s.该料浆流动性能最佳,固化时间充裕,有利于注凝成型.     

共沉淀法合成铌镁酸铅—钛酸铅介是陶瓷粉末

通过共沉淀法合成铌镁酸铅－钛酸铅介电陶瓷粉末，经８００℃焙烧后，Ｘ射线衍射研究表明几乎为单一钙钛矿相；经１０００℃烧结的陶瓷片其密度达到理论值的９６．７７％，２０℃介电常数可达２０９４０。     

S—3型锆钛酸铅压电陶瓷的取代元素改性研究

本文介绍了Ｓ－３型锆钛酸铅压电陶瘊的取代元素改性试验结果，并对作用机理进行了分析讨论。     

MnSb系压电陶瓷材料sol—gel法合成工艺研究

采用sol-gel工艺制备了钙钛矿结构的锆钛酸铅压电陶瓷材料(PZT)，用先驱体合成法制得了PMS、PZN，然后以制得的PZT、作为基料，与PMS、PZN一起合成PMZN压电陶瓷，探讨了PZT、制备工艺对材料结构和性能的影响．结果表明：sol-gel法合成PZT粉制备的PMZN系压电陶瓷材料具有机电耦合系数高，介质损耗小，介电常数与机械品质因数适中等特点：sol-gel工艺降低了材料的烧结温席．改善了材料的介电与压电性能．提高了谐振频率．