PLZT纳米功能陶瓷的制备及其微结构研究

用共沉淀的方法制备得到PLZT纳米晶体，借助傅立叶红外光谱、热重一差热、X射线衍射及正电子湮没对样品进行了研究．分析表明：运用反滴法在pH为9．6时的共沉淀较完全，组分丢失少，经720℃煅烧得到平均粒径为52nm的PLZT纳米晶体；正电子研究结果表明，La^3＋掺杂对PLZT晶体微结构有重要影响，随La^3＋量增加，晶体中阳离子空位缺陷增加，当La^3＋量增加到9％以后，阳离子空位缺陷减小，浓度增幅减缓．     

钛酸铋纳米晶的喇曼光谱和红外光谱研究

利用MOD方法制备了钛酸铋（Bi4Ti3O12（BTO））纳米晶．采用空间群结合晶格动力学分析了BTO晶体中的晶格振动模，理论预测了最多可能产生24个喇曼散射峰和28个红外吸收峰．喇曼散射和红外吸收实验结果与理论预测相比，峰数有大量减少．将此归因于谱带的叠合，某些谱线强度太弱，以及BTO晶体阴离子基团中TiO6八面体的存在等原因．对主要的喇曼峰和红外吸收峰采用TiO6八面体的内振动模进行指认，发现八面体的畸变程度很大，导致某些谱线产生了频移和劈裂．     

正十二胺支撑钛酸材料对染料吸附行为研究

通过静态吸附实验，深入研究了正十二胺支撑钛酸材料对酸性红和茜素红染料的吸附行为。对吸附等温线进行典型吸附模式模拟研究发现：该吸附反应为放热反应。温度越高，吸附性能越好；对酸性红染料表现为典型的Langmuir吸附模型，对茜素红染料表现为多段吸附模型；308K下，对酸性红染料的最大吸附量高达590mg／g，对茜素红染料的最大吸附量为144．5mg／g，吸附染料性能佳。结合XRD结构表征进一步推断出该吸附过程的机理。     

锰、钴掺杂PBSZT压电陶瓷性能的研究

为制备大功率低损耗压电陶瓷材料,对铅基压电陶瓷材料Pb0.9Ba0.05Sr0.05(Sn1/3Nb2/3)0.06(Zn1/3Nb2/3)0.06Ti0.44Zr0.44O3 0.5wt%Sb2O3(质量分数,下同)进行掺杂改性研究,结果表明钴最好的掺杂量为0.3wt%~1.0wt%,此时陶瓷可得到较好的综合性能。0.5wt%锰掺杂可得性能为介电损耗tanδ=0.47%、机械品质因素Qm=2065、机电耦合系数Kp=0.515、压电常数d33=322、介电常数εr=1470。在适量的钴和锰同时掺杂时可得到更低的介电损耗(0.45%)和较好的压电性能,表明同时掺杂可最优地降低介电损耗。     

热液法低温制备纳晶TiO2多孔薄膜电极

用钛酸四丁酯前驱体与纳晶TiO₂颗粒组成的浆液通过简单便捷的热液法在低温下成功制备了纳晶TiO₂多孔薄膜电极. 钛酸四丁酯水解生成的锐钛矿型TiO₂将纳晶TiO₂颗粒之间以及颗粒与导电基底之间牢固连接起来, 形成高度多孔、机械性能稳定的纳晶多孔薄膜. 用导电玻璃及柔性导电基底上制备的这种纳晶多孔薄膜电极组成染料敏化太阳能电池, 在100 mW/cm²光照条件下, 光电转换效率分别达到4.8%和1.9%.     

改性锆钛酸铅反铁电陶瓷的热致伸缩

研究了Pb_0.99Nb_0.02[（Zr_1-xSn_x）_1-yTi_y]_0.98O_3体系反铁电/铁电准同型相界附近典型化合物的热致伸缩性质.实验结果显示热致伸缩是由于温度诱导相变引起的,伸缩量的大小和方向与相变类型有以下关系:在反铁电正交相向四方相转变、铁电低温菱方相向高温菱方相转变和反铁电相向铁电或顺电相转变时晶体体积膨胀,铁电向反铁电或顺电转变时体积收缩.其中反铁电与铁电之间转变引起的应变伸缩量最大,高温铁电向低温反铁电相转变时线应变量dL/L_0和应变速率（dL/L_0）/dT分别可以达到2.8×10~(-3)和7.5×10~(-4)K~(-1).     

钛酸铋晶体的吸收系数与光强的关系

用 2种方法测量BTO晶体的吸收系数随光强变化关系 ,结果表明 ,室温下BTO晶体的吸收系数对光强的依赖关系很大 ,推断BTO晶体存在深能级吸收中心的同时也存在浅能级吸收中心     

溶胶凝胶法制备PbTiO3薄膜的Raman光谱研究

钛酸铅(PbTiO_3)薄膜因其具有众多的应用,如红外探测器、超声波换能器等而备受关注.人们已利用射频溅射等薄膜制备技术获得PbTiO_3薄膜.近年来,溶胶-凝胶(sol-gel)法作为一种湿化学法薄膜制备工艺,与其他传统工艺相比有着许多优点,诸如,易于控制成分、化学     

改性PbTiO3压电陶瓷工艺的研究

针对改性ＰｂＴｉＯ３压电陶瓷制造过程中ＰｂＯ挥发严重的问题，通过降低燃烧温度和增加ＰｂＯ气氛两种方法对系统的压电性能进行了研究，得到了烧结温度低，ＰｂＯ挥发量低，压电性能优良的ＰｂＴｉＯ３陶瓷，对高含铅量陶瓷材料的研究有指导意义。     

纯钛酸铋晶体和掺铝钛酸铋晶体的光吸收谱

用自动分光光度计测量自己生长的光折变晶体钛酸铋（ＢＴＯ）光吸收谱．结果表明,室温下纯ＢＴＯ晶体的吸收谱在２．２～３．２ｅＶ之间存在一个宽吸收峰,说明在晶体的带隙内存在一个间接跃迁能级,离导带顶大约２．２ｅＶ;掺铝后该吸收峰消失,光折变效应也随之消失．