钙离子 A 位固溶改性钛酸铅多晶体的微观结构及响应特性

由于钙离子Ａ位固溶改性钛酸铅烧结多晶材料具有压电各向异性和其它优良的电学性能，所以该材料可广泛应用于制造高频超声换能器、红外检测器和声表面波（ＳＡＷ）器件。应用透射电镜（ＴＥＭ）技术、高分辨率成像技术和Ｘ－射线衍射技术，研究了材料的晶体结构和电畴形态对钙Ａ位固溶改性钛酸铅多晶体的晶体各向异性、压电各向异性和其它电学性质的影响。实验结果发现，高压电极化引起的晶体内部微裂纹，是引起横向机电耦合效应为零的钙离子Ａ位固溶改性钛酸铅多晶压电振子在厚度振动基频附近产生无规律小振幅振动（即假响应）的原因。     

钛酸钾晶须增强尼龙66时的偶联与造粒

从实用角度考察了钛酸钾晶须用于增强尼龙66时晶须的偶联处理、造粒等对复合体系性能的影响。研究表明，硅烷偶联剂KH560对钛酸钾晶须－尼龙66体系偶联效果较好，最佳偶联剂用量为晶须的0.8%～1.0%(质量分数)，相当于偶联剂在晶须表面以4分子层覆盖。湿法偶联效果较干法与迁移法好，但过程较繁，适宜于在晶须造粒时同时完成湿法偶联。造粒晶须对尼龙66的增强效果优于非造粒晶须，且加工中易于操作，避免了晶须使用时的粉尘飞扬。     

铌镁(锌)酸铅-钛酸铅弛豫铁电单晶研究进展

在最近十几年中,新型弛豫型铁电单晶铌镁酸铅-钛酸铅和铌锌酸铅-钛酸铅受到了广泛的关注。这是由于这种新型的弛豫型铁电单晶和传统的压电材料相比较,在准同型相界附近表现出良好的压电、介电与电致伸缩性能。文章介绍了铌镁(锌)酸铅-钛酸铅系列单晶的基本性质,国内外在该晶体制备及晶体性能相关领域的研究进展。     

相界附近Pb（Zn1／3Nb2／3）O3—PbZrO3—PbTiO3固溶体的介电性能

通过对相界附近的Pb(Zn1/3 Nb2 /3 )O3 PbZrO3 PbTiO3 (PZN PZ PT)固溶体的介电性能研究发现 ,在介电峰附近所有样品的介电 温度关系曲线都具有弛豫性相变特征 ;Zr/Ti比的变化对介电温度特性曲线有重要影响 ,随着Zr/Ti比的增加 ,其弛豫程度明显增加 ;菱方相区的样品在测量温度范围内都呈现典型的弛豫型铁电体特征 ;对四方相区的样品而言 ,在低于介电峰值温度的某一临界温度时 ,发生了正常铁电体 弛豫铁电体自发相变 ,利用热激发电流证明了该正常铁电体 弛豫铁电体自发相变的存在 .透射电子显微分析表明四方相样品具有典型的 90°宏畴形貌 ,而菱方相区的样品则具有纳米尺寸的微畴形貌 .     

由正钛酸乙酯水解所得光学膜的分析

将正钛酸乙酯（Ti(OC2H5)4）基体，用提拉水解法在玻璃基底上镀制成均匀性好且具有较高折射率的光学膜。用光电子能谱化学分析法对膜层的成分进行测试，并对测试结果从化学反应的角度进行了解释；最后对光学膜的厚度、折射率及散射率与制备工艺的关系进行了讨论。     

Pb1-xLaxTi1-x/4O3纳米晶相变的拉曼光谱研究

用拉曼光谱在15℃～300℃观测了几种不同成分、不同粒径Pb1-xLaxTi1-x/4O3纳米粒子的铁电-顺电相变情况,讨论了掺杂效应和尺寸效应对居里温度的影响*结果表明E(1TO)软模解冻时能够观测到的最低频率均在50cm-1以上,呈现出典型的弱阻尼特征,掺杂效应导致的空位和微区成分的涨落使相变温度弥散.     

大分子钛酸酯表面改性剂的合成与表征

选择甲基丙烯酸甲酯(MMA)、丙烯酸丁酯(BA)、马来酸酐(MAH)为单体,以无规共聚的方式得到MMA-BA-MAH三元共聚物.然后与一定量的丙烯酸、四异丙氧基钛共同进行酯交换反应,得到大分子钛酸酯表面改性剂,用于纳米陶瓷粉体的表面改性.采用红外、核磁、热分析等手段对三元共聚物和大分子钛酸酯表面改性剂的结构进行表征,通过FTIR、NMR测试结果,证实了MMA-BA-MAH和大分子钛酸酯表面改性剂为预期的产物,热分析表明MAA-BA-MAH三元共聚物与四异丙氧基钛反应后,分解温度大大提高,最大分解速率时的温度为431℃,大分子钛酸酯表面改性剂的热稳定性好.以[η]定性表征共聚物的相对分子量,结果表明聚合物的相对分子量不是太大.     

胶-凝胶法制备钛酸铅陶瓷纤维热处理条件的研究

以醋酸铅、钛酸四丁酯为原料,三乙醇胺为螯合剂,冰醋酸为催化剂,无水乙醇为溶剂,采用溶胶-凝胶法制得了钛酸铅凝胶纤维,并将其在不同温度、不同时间、不同升温速率下进行热处理,得到钛酸铅陶瓷纤维。本文通过FT-IR、TGA-DTA、XRD、SEM表征手段,重点研究了退火温度、退火时间、升温速率等条件对陶瓷纤维微观结构和表面形貌的影响,确定了凝胶纤维的热处理工艺,制得了均匀、致密、光滑的纳米结构钛酸铅陶瓷纤维。     

中温烧结PLZT基X7R262瓷料的研究

在文献［７］的基础上，通过配方调整和工艺研究，获得了中温烧结的ＰＬＺＴ基Ｘ７Ｒ２６２瓷料，其主要性能指标达到：ε２９８Ｋ＝２６００±１００；ｔｇδ＜４０×１０－４；ρＶ＞１０１３Ω·ｃｍ；Δε／ε２９８Ｋ＜±１３％；Ｅｂ＞１２ｋＶ／ｍｍ；ＴＳ＝（１３７３±２０）Ｋ