真空烧结SrTiO3系多功能瓷涂覆的研究

The influence of oxide(Na₂O) and composite oxides(PbO-Bi₂O₃-B₂O₃,MnO-Bi₂O₃) as diffusants on the microstructure and voltage-sensitive characteristics of SrTiO₃-based semi-conductor ceramics which is sintered in vacuum was studied.     

在钛酸锶钡体材上溅射厚铜膜工艺

本文采用磁控溅射的方法在钛酸锶钡材料上涂覆金属铜膜.文章详细论述了溅射金属铜膜的工艺参数,并就这些参数对所镀膜层表面质量、附着性能和膜均匀性的影响进行了分析,指出了获得优良的厚铜膜层的实现途径和方法.     

掺杂钛酸铋钠对钛酸锶钡陶瓷介电性能的影响

采用固相法制备钛酸铋钠掺杂的钛酸锶钡（Ba0.9Sr0.1TiO3）铁电陶瓷,研究钛酸铋钠的掺杂量对钛酸锶钡陶瓷的微观结构和介电性能的影响,并探讨相关机理．研究结果表明,在讨论的掺杂范围内,随着钛酸铋钠掺杂量的增加,钛酸锶钡的晶粒尺寸先增大,后减小．当掺杂量为0．5％（质量分数,下同）时,介电弥散发生,半导化现象出现．当钛酸铋钠掺杂量介于1．0%-1．5％之间时,钛酸锶钡陶瓷的介电常数均保持在5000,且居里温度向高温移动到120℃,10kHz频率的介电损耗低于0．05．     

室温下Ba0.67Sr0.33TiO3薄膜的射频磁控溅射法制备及其电学性能研究

采用磁控溅射技术在室温下制备Ba0.67Sr0.33TiO3薄膜,通过引入LaNiO3作为缓冲层以及对退火工艺的研究,采用两步法快速退火工艺与常规退火工艺结合的方式获得了致密并具有良好电学性能的钛酸锶钡薄膜.X线衍射分析表明室温情况下获得的薄膜是非晶态,需要通过后续的退火处理才能获得晶化的薄膜,采用快速退火与常规退火相结合工艺,即以40℃/s的升温速率,先升温到850℃,再降温到450℃保温180s,然后再在500℃常规退火3h,可使室温下溅射的呈非晶态的BST薄膜晶化形成具有完全钙钛矿结构的BST薄膜,薄膜致密,晶粒大小均匀.室温下所制备的BST薄膜在100Hz时的介电常数约为300,介电损耗约为0.03,具有铁电性.     

钛酸锶的超低频介电谱

研制了由计算机自动控制的超低频介电测量装置,其频率下限原则上没有限制,将该装置与HP4192A阻抗分析仪相结合,在10^-4Hz至10^5Hz范围内测量了钛酸锶陶瓷的介电谱,其Cole-Cole图表明,得自于音频至微波段介电谱的Cloe-Cloe非德拜型驰豫规律,仍适用于超低频段,此时,对介电谱起主要作用的是样品中由缺陷引起的空间电荷。     

Ba1-xSrxTiO3(BST)/钙钛矿型氧化物超导薄膜异质结构的研究及发展

钛酸锶钡(Ba1-xSrxTiO3(BST))铁电薄膜材料在集成铁电器件领域具有很大的优势和潜力,BST与铂(Pt)等贵金属电极材料的界面特性限制了BST的实际应用,氧化物超导薄膜代替贵金属材料做底部电极取得了不少突破性的进展,综述了国内外研究人员对Ba1-xSrxTiO3(BST)/钙钛矿型氧化物超导薄膜异质结构和基本介电性能等方面的研究及成果.     

微晶粉粒铁电相变中的介电常数

提出了一个理论模型说明现行方法不能观察到微晶粉粒铁电相变介电峰的原因。按照理论预言 ,测量了钛酸锶钡粉料与水混合成两相不均匀系的相变介电峰 ,实验结果与理论公式符合得很好     

钛酸锶的合成与结构分析

本文用四氯化钛、二氯化锶为原料,以氢氧化钠为沉淀剂,得到了钛和锶的氢氧化物共沉淀。然后,在水溶中于90℃反应4小时,产品经洗涤、过滤、干燥,得到钛酸锶粉末。产品经x射线分析,证明为立方晶系,P_(m3m),空间群。晶胞参数a=3.917A°。产品经扫描电镜观察,发现粒子外观基本呈球形,粒径分布均匀,大小在0.2μ左右。光电子能谱分析表明,产品中不含其他杂质离子。另外,本文还就沉淀剂的量、反应时间、反应温度、反应摩尔比等对产品的影响进行了研究。     

钛酸锶钡纳米晶及其薄膜的Sol-Gel法制备和表征

用Sol-Gel法制备了钛酸锶钡(Ba0．8Sr0．2TiO3)纳米品，用FT—IR、XRD、TG—DTA、AFM等表征技术研究了其晶化过程。结果表明，溶胶经冰乙酸适度稀释后稳定性提高，易于制备高质量的薄膜；薄膜的品化温度为750℃。在单晶硅基底上制备了粒径分布均匀、平均晶粒约为50nm的钛酸锶钡(Ba0．8Sr0．2TiO3))薄膜。     

温度变化对一维声子晶体带隙的调控分析

设计出基体材料为聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT),散射体材料为钛酸锶钡(BST)的一维声子晶体匀直杆.因为组成该结构的2种材料的弹性模量和泊松比都与温度相关,温度的改变将引起材料物理参数的变化,从而导致晶体中弹性波带隙结构的变化.采用集中质量法,仿真计算该声子晶体中温度分别为30℃和45℃情况下,2种结构的带隙分布情况,寻找相应的变化规律。研究表明:对于一维二组元BST/PBT匀直杆状声子晶体结构,随着结构温度由30℃增大为45℃,该声子晶体的第1带隙及第2带隙的起始频率、截止频率以及带隙的中心频率降低;同时,温度增大能够减小第1带隙的带隙宽度,增大第2带隙的带隙宽度。温度变化为调控声子晶体的带隙特性提供了新的设计思路。另外,基于温度变化还可以通过改变结构晶格常数的取值来获得所需的带隙.