BST负折射特性实验验证

对钛酸锶钡BaxSr（1-x）TiO3（0〈x〈1）（BST）柱阵列异向介质棱镜的负折射进行了实验验证．实验结果表明,该BST柱构成的三维异向介质的负折射特性不依赖于柱体的排列周期,而是BST柱自身的谐振造成了电磁波在该棱镜中的负折射．BST柱排列周期仅对二次负折射的强度产生影响．例如：周期阵列的BST柱异向介质棱镜的斜边是阶梯状时,因具有光栅结构,使得在该斜边上发生的二次负折射被增强;随机阵列的BST棱镜的斜边不具有光栅结构,观察到的二次负折射就比较弱．采用等效介质理论的仿真结果与我们的实验结果符合较好．     

CeO_2掺杂对Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3-MgO结构及介电性能的影响

在Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)与质量分数为56%MgO混合的基础上,进行了CeO2掺杂的系统研究.结果表明,随着CeO2掺入量的增加,Ba0.6Sr0.4TiO3-MgO(BSTM)陶瓷晶粒尺寸减小.X射线衍射(X-ray diffraction,XRD)、扫描电镜(electron microscope,SEM)和能谱分析(energydispersion X-ray,EDX)表明,复合陶瓷由Ba0.6Sr0.4TiO3和MgO两相组成,没有杂相出现.随着CeO2含量增加,复合陶瓷样品的居里温度点向低温方向偏移,介电常数、介电损耗、介电可调度也相应发生变化,样品的K值呈现出先增加到最大值,随后逐渐减小的趋势.CeO2含量为0.2%的样品具有较好的介电性能.     

络合溶胶-凝胶法制备Ba0.7Sr0.3TiO3陶瓷粉体

以硝酸钡、硝酸锶、钛酸丁酯和柠檬酸为前驱体原料,采用络合溶胶-凝胶法制备出纳米级Ba0．7Sr0．3TiO3（BST）陶瓷粉体,并对材料组织结构和形貌进行了表征．结果表明：通过前驱体pH的控制可得到均匀的溶胶和凝胶．BST干凝胶经600℃热处理2h后出现钙钛矿结构的特征峰,但伴随有BaCO3的杂质峰．当煅烧温度达到950℃时,可得到结晶良好、单相的Ba0．7Sr0．3TiO3,晶粒粒径约为80nm．     

原子级模拟在四方SrTiO3畴壁能计算中的应用

利用原子级计算机模拟对四方ＳｒＴｉＯ３中畴壁能进行了研究。在经典Ｂｏｒｎ模型基础上用来描述离子晶体的原子级模拟,其能量表达式由长程库仑势和短程排斥势构成。后为一含参数表达式,式中参数可由晶体的晶格常数、晶体结构和弹性常数等实验数据拟合得出。四方ＳｒＴｉＯ３由高温立方ＳｒＴｉＯ３相变而来,应存在反相畴界、孪晶界和平移孪晶界等３种畴界。本用原子级模拟的技术对这３种畴界能进行了计算。结果表明畴界能尤     

多层结构钛酸锶铅薄膜及介电调谐与温度稳定性

在研究组分、溶胶浓度对钛酸锶铅(PST)薄膜结构、介电、调谐性能等影响的基础上,设计一种以低损耗-高调谐-低损耗组分交替沉积的方法,研制了三明治多层结构的PST薄膜(PST20-40-20).研究结果表明,这种三明治多层结构的薄膜表面致密,晶粒均匀,同时具有调谐率高、损耗低等特点,综合性能比单组分要好,其调谐率、优值分别为52和45.在20～100 ℃范围内调谐率变化幅度小于8%,提高了温度稳定性.     

第一性原理研究Zr掺杂(Ba_(0.5)Sr_(0.5))TiO_3电子结构及介电性能

采用基于密度泛函理论广义梯度近似方法,首先对BaTiO_3与(Ba_(0.5)Sr_(0.5))TiO_3进行几何优化,计算出相应晶体结构并与实验值对照,确定方法的可行性,运用该方法研究Zr掺杂(Ba_(0.5)Sr_(0.5))TiO_3晶格参数、电子结构及光学性质,进一步对比分析掺杂前后介电函数的变化情况。计算结果表明:所选取的方法计算结果与实验值符合较好,计算得到Zr掺杂(Ba_(0.5)Sr_(0.5))TiO_3晶体为四方相结构,与纯的BaTiO_3相比,对称性降低,介电函数峰值降低。     

SrTiO3中离子自扩散参数评估

评估了在未掺杂SrTiO3中氧的自扩散数据,得出:(1)在SrTiO3晶体中,氧通过氧空位扩散,扩散最快的离子为O2-,其次为Sr2+,最慢的为Ti4+.(2)在1 098~1 623 K范围,氧分压在0.2~7.6×104 Pa内变化时,得到氧在SrTiO3晶体中的自扩散系数,而位错密度和氧分压对扩散系数影响不大.     

SrTiO3固化高放废物浸出性能

研究了钛酸锶(SrTiO3)固化体浸出性能的影响因素. 采用MCC-1浸出法,分析了钛酸锶的浸出率. 实验结果表明:SrTiO3中各种元素的浸出率随时间延长而减小,且都小于0.1g·m-2·d-1,比玻璃固化体浸出率要低2～3个数量级;钛酸锶的化学稳定性好,是比较好的高放废物固化体.     

电子束辐照下钛酸锶钡薄膜的电子能量损失谱研究

实验发现在较高电流密度的电子束照射下(电流密度约为2 nA/cm²), BST薄膜有辐照损伤现象发生. 原位实时记录的Ti和O的电子能量损失电离边峰强度比和相对位移的变化表明: 损伤过程主要表现为薄膜失氧及其导致的正离子化学价态的变化. 具高空间分辨的电子能量损失谱研究证明: 相对于具有完整晶体结构的柱状晶晶粒内部, 有着特殊结构和化学环境的柱状晶晶粒边界是失氧的主要途径.     

MgTiO3对SrTiO3—Bi2O3·nTiO2系统的微观结构和介电性能的影响

研究了加入ＭｇＴｉＯ３的ＳｒＴｉＯ３－Ｂｉ２Ｏ３ｎＴｉＯ２系统的结构和性能的变化规律．研究表明，随ＭｇＴｉＯ３量增加，材料的相组成、晶格常数和性能均发生变化．加入的Ｍｇ２＋和Ｂｉ３＋在ＳｒＴｉＯ３晶格中发生电价补偿置换，使Ｂｉ３＋的固溶极限显著提高，产生强烈的移峰作用和展宽作用，大大改善了材料的温度特性