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11.
用固相反应法制备SrxBa1-xTiO3系列陶瓷.当x=0.30时呈现显著的驰豫相变特征.在5Hz至1MHz范围,相对介电常数的实部ε′随频率f的降低而增大.1/ε′与lgf的关系曲线呈现折曲的2段直线.高频相对介电常数的实部ε′h随x的增加而增大是与顺电相的增加而对应.测量点(ε′,ε″)随频率f的变化分布在复平面的一条直线上. 相似文献
12.
采用溶胶-凝胶法制备了不同组成的Sr1-xBaxTiO3(x=0.0,0.3,0.4,0.5,0.6)粉体,分析了形成钛酸锶钡凝胶的影响因素,利用XRD,DTA,SEM手段测定了干凝胶反应阶段,物相组成以及颗粒形貌,尺寸。实验结果表明,制得的粉体晶相单一,颗粒粒径小于50nm,且分布均匀。 相似文献
13.
14.
《华东理工大学学报(自然科学版)》2012,40(1)
通过固相反应法制备Mn、Zr共掺杂钛酸锶钡/氧化镁陶瓷粉体,经干压成型后在空气气氛中于l450℃烧结4h,通过扫描电子显微镜和X射线衍射研究了ZrO2和MnO2共掺杂的Bao6Sro4TiO3/MgO复合陶瓷材料的微结构和介电性能。结果表明:Zr02可以显著降低材料的介电常数和介电损耗,有效提高了陶瓷材料的温度稳定性;随ZrO2添加量的增加,体系的晶胞参数略有增加,MgO在钛酸锶钡中以独立相的形式存在:制备出的BST铁电陶瓷材料的25℃相对介电常数较低(&〈110),介质损耗小于1.0×10^-3(在频率为10kHz时),温度系数小于6.012×10^-3,可调性大于20%(8.0kV/mm),适用于制作移相器。 相似文献
15.
采用sol-gel法在SiO2/Si衬底上制备了Ba0.7Sr0.3TiO3(BST)薄膜.利用湿法化学刻蚀技术对BST薄膜进行图形化.通过实验结果对比,选择HF/HNO3/H2O2/H2O(体积比为1∶20∶50∶20)的混合液作为最佳刻蚀液.扫描电镜(SEM)结果表明,刻蚀后BST薄膜表面干净,无残留物,图形轮廓清晰.原子力显微镜(AFM)和X射线衍射(XRD)结果显示,刻蚀后BST薄膜表面粗糙度增大,结晶性退化.对刻蚀后的薄膜在600℃后退火处理,能要在一定程度上恢复其表面形貌和结晶性.应用优化工艺制备BST薄膜阵列,采用剥离法将Au,Ni/Cr和Pt/Ti电极进行微图形化.最后,成功地制备了Au/Ni/Cr/BST/Pt/Ti/SiO2/Si结构的8×8元的红外探测器阵列. 相似文献
16.
为减小无源相控阵列天线的尺寸,提高阵列天线的转向能力,对以铁电薄膜移相器为移相单元的相控阵列天线进行了研究,提出了一种工作于15 GHz与18 GHz的双频1×4扇形微带贴片天线阵模型.该天线阵由共面叉指电容波导型铁电薄膜移相器、扇形微带天线及天线阵列组成.利用全波电磁仿真软件HFSS,通过改变钛酸锶钡(BST)铁电薄膜的介电常数,模拟加载不同偏置电压情况下BST薄膜移相器的相移特性,调试天线阵辐射转向角,实现了天线阵±22°转向,有效提高了天线阵列的转向能力.通过使用钛酸锶钡薄膜新型铁电材料,实现了天线阵列尺寸的缩小. 相似文献
17.
采用自蔓延高温合成(SHS)与加压致密一体化技术制备了包容锶核素(Sr2+)的钛酸锶(SrTiO3)人造岩石固化体. 通过实验分析SHS产物致密化的影响因素,确定了钛酸锶反应体系自蔓延高温合成时的最佳工艺参数:预制块相对密度为54%左右;预压力为10MPa,加压时间为4s;致密化时高压压力为300MPa,高压保压时间为8s. 相似文献
18.
锶铅比对钛酸锶铅材料性能的影响 总被引:1,自引:1,他引:0
目的研究锶铅比对(Sr,Pb)TiO3材料性能的影响。方法在溶胶一凝胶法中,采用在一定的掺杂浓度下,通过改变不同的锶铅比来进行研究。结果改变锶铅比,会使(Sr,Pb)TiO3材料的NTC—PTC特性发生明显的变化,从而使其半导性及应用范围发生变化。结论通过改变锶铅比,可以调节(Sr,Pb)TiO3的居里温度%,这对扩大(Sr,Pb)TiO3材料的应用范围,具有积极的实用意义。 相似文献
19.
以硝酸锶、硝酸钡、钛酸四丁酯、氨水、柠檬酸为前驱体原料,采用溶胶-凝胶法制备超细Ba0.7Sr0.3TiO3(BST)陶瓷粉体,详细研究了柠檬酸量、溶液pH值、分散剂、热处理温度对BST粉体粒径的影响。结果表明:通过控制前驱体溶液pH值可以得到均匀的溶胶。当溶液的pH值为7,分散剂含量为2.5 ml,热处理温度为800℃时,得到了性能较好的BST粉体。相比于传统工艺,热处理温度大大降低,粉体粒度分布较窄,平均粒径约为100 nm。 相似文献
20.
采用真空烧结使 Sr Ti O3 系基片充分半导化,研究了氧化物( Na2 O)及其它两种复合氧化物( Pb O Bi2 O3 B2 O3 、 Mn O Bi2 O3)为扩散剂对半导化的( Sr Ca) Ti O3 基陶瓷压敏、介电特性及显微结构的影响 相似文献