改性钛酸锶陶瓷电容器

采用溶胶凝胶法在一定条件下合成组成为0．91SrTiO_3＋0．09（Bi_2O_3·3TiO_2）的高纯、超细陶瓷粉料。该粉料添加PbO．Li_2O,Cs_2O等物质．可制成高质量改性SrTiO_3电容器材料。用此法制备的电容器材料可大大地降低合成温度，经改性后可使其烧结温度展宽，并具有较为理想的介电常数和介电损牦。     

二元素SrTiO3—CaTiO3固溶体的XRD研究

进行了SrTiO3-CaTiO3系统的X-射线衍射分析,结果表明,当Ca∧2置换Sr∧2 而形成ABO3钙钛矿型固溶体时,相对衍射强度（I/I1）100减弱,通过测定晶体结构的晶胞参数,进而比较衍射强度理论值及实测值,可以证明（I/I1）100的减弱与ABO3钙钛矿型结构中A位离子的原子散射因子有关,由于钙的原子散射因子小于锶的原子散射因子,导致（Sr,Ca）TiO3固溶体的相对衍射强度（I/I1)100减弱,另外,通过比较衍射强度I110/I111的实测值与计算值,还获得了A位离子的占位情况,研究结果为SrTiO3基陶瓷材料的微量物相鉴定及微观结构分析提供了依据。     

钒掺杂SrTiO_3光催化剂的制备及性能研究

用溶胶-凝胶法制备不同质量分数V掺杂的SrTiO_3光催化剂粉体(V-SrTiO_3),通过X-射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、激光粒度仪对其结构和形貌进行表征,用亚甲基蓝(MB)催化降解实验评价其光催化活性.结果表明,V掺杂后SrTiO_3仍然保持钙钛矿结构,V5+进入晶格对Sr2+进行了替位掺杂,晶格常数变小;热处理温度升高,样品发生热团聚;V掺杂后SrTiO_3的催化活性得到了明显的提高,并随着热处理温度的升高,光催化降解率先增加后降低;当n(V)∶n(Ti)=1.5∶100,热处理温度为800℃下制备的样品催化活性高达90.5%.     

草酸盐共沉淀法制备高纯超细钛酸锶粉体

得出了一种用草酸盐共沉淀法制备高纯超细钛酸锶粉体的新方法，所用主要原料为偏钛酸、氯化锶和草酸铵；研究了偏钛酸的净化、反应物的配比、共沉淀反应的时间与温度、沉淀煅烧温度与时间等因素对产品质量的影响．制得的产品经化学分析、红外光谱、发射光谱等测试及粒度分布测定，结果表明产品达到了日本ＳＴ系列高纯产品的质量标准     

SrxBa1—xTiO3陶瓷的频域介电谱

用固相反应法制备ＳｒｘＢａ１－ｘＴｉＯ３系列陶瓷．当ｘ＝０．３０时呈现显著的驰豫相变特征．在５Ｈｚ至１ＭＨｚ范围,相对介电常数的实部ε′随频率ｆ的降低而增大．１／ε′与ｌｇｆ的关系曲线呈现折曲的２段直线．高频相对介电常数的实部ε′ｈ随ｘ的增加而增大是与顺电相的增加而对应．测量点（ε′,ε″）随频率ｆ的变化分布在复平面的一条直线上．     

Y2O3掺杂对钛酸锶钡基陶瓷结构及介电性能的影响

采用固相反应方法制备出（1-x）Ba 0.2Sr0.8Ti0.98Zn0.04O3＋xY2O3（x=0,0.02,0.025,0.03）陶瓷材料,并研究Y2O3掺杂对BST-Zn陶瓷样品结构和介电性能的影响,得到以下结论：（1）一定量的Y2O3掺杂,可使BST-Zn陶瓷的晶胞体积增大,晶粒尺寸减小;（2）频率为10Hz时,当掺入2%Y 2 O 3时,ε＆#39;最大值可达到885,此时介电损耗为0.024;（3）Y 2 O 3掺入使得低温的弥散相变转化向极化玻璃化转变,并在250K和350K附近出现新的弛豫过程.     

La$_{{1-x}}$Sr$_{x}$TiO$_{3}$ 薄膜的高通量 X 射线衍射

高通量材料合成方法和高通量材料表征手段区别于传统低效率的 试错法材料发展方法, 极大地加速了材料科学的变革和发展. 通过设计程序进行了高通量 X 射线衍射实验, 在保证数据分辨率条件下, 高效地表征了 La$_{1-x}$Sr$_{x}$TiO$_{3}$ 薄膜上多个数据位点的晶体结构, 验证了其成分的连续变化性质, 为后续开展更多类型的高通量 X 射线衍射实验提供了指导.     

真空烧结SrTiO3系多功能瓷涂覆的研究

采用真空烧结使 Ｓｒ Ｔｉ Ｏ３ 系基片充分半导化,研究了氧化物（ Ｎａ２ Ｏ）及其它两种复合氧化物（ Ｐｂ Ｏ Ｂｉ２ Ｏ３  Ｂ２ Ｏ３ 、 Ｍｎ Ｏ Ｂｉ２ Ｏ３）为扩散剂对半导化的（ Ｓｒ Ｃａ） Ｔｉ Ｏ３ 基陶瓷压敏、介电特性及显微结构的影响     

3a0．6Sr0．4TiO3／MgO／Mg2SiO4复相陶瓷的制备与介电可调性能

采用标准电子陶瓷工艺，制备了Ba0．6Sr0．4TiO3／MgO／Mg2SiO4复相陶瓷（MgO和Mg2SiO4按相同重量加入），研究了MgO和Mg2SiO4含量对复相陶瓷微观结构、介电性能及介电可调性的影响．结果表明，随着MgO和Mg2SiO4含量的增加，陶瓷的晶粒尺寸略有增大，低频（100kHz）介电常数、介电损耗、介电可调度和介电常数温度系数降低．随着偏置电场的增强，介电常数降低，介电损耗变化不大（均在10^-3量级）．当MaO和Mg2SiO4的百分含量均为30％时，获得了室温介电常数为101．6、介电损耗为0．0017及1．79kV／mm偏置电场下介电可调度为12．19％、介电常数温度系数为0．009℃^-1的介电性能。     

非德拜型介电弛豫

钛酸锶钡的超低频介电谱在复介电常数平面上给出一段圆弧 ,满足非德拜型弛豫的经验公式。但当频率高于 5Hz时 ,复介电常数的实验点显著偏离圆弧 ,组成一段直线。表明慢极化效应对低频至射频的介电测量有不容忽视的影响