掺硅对铁黄合成过程及铁黄形态的影响：I.掺硅时间和掺硅…

研究了掺硅时间和掺硅量对铁黄形态及结构的影响规律，制得了分布均匀、无枝叉的超细铁黄，其平均长轴为０．２￣０．２５μｍ，轴比〉９。发现反应开始时硅酸钠的添加量越大，铁黄粒子越小，分布也越均匀，最终铁黄的结构变化也越大。当反应初期合成体系中硅原子与铁原子的摩尔比大于０．０１５时，反应过程会生成Ｆｅ３Ｏ４。铁黄合成后期掺硅对铁黄大小和轴比影响不大，但可以有效防止铁黄粒子凝并。     

纳米硅薄膜中量子点的库仑阻塞效应

用纳米硅薄膜制成了共振隧穿量子点二极管，在77K温度下对其I－V特性进行了测量，得到了具有共振隧穿特征的实验结果。对实验结果分析表明，纳米尺寸晶粒构成的量子点具有库仑阻塞效应。     

碳化物团球化与价电子结构

白口铸铁的基体因被网状碳化物割裂而韧性较低.为了提高白口铸铁的韧性,扩大其应用范围,杨相寿等人曾对白口铸铁进行变质处理,试图使碳化物断网或团球化.本课题以低铬白口铸铁为研究对象,系统地考察了铸态、正火、淬火+回火3种状态下不同加入量的C,Cr,Mn,Mo V,W,Ti,B,P,Sn,Sb,Cu,Al,Nb,Si,N等常用合金元素对碳化物形态及分布的影响,并且测试了上述3     

钛与溴邻苯三酚红和罗丹明6G双显色剂协同显色的研究及其应用

本文研究了在ＰＶＡ１２４存在下，钛（ＩＶ）与溴邻苯三酚红和罗丹明６Ｇ的协同显色反应，探讨了利用该反应分光光度法测定钛的最佳条件，在硫酸介质中，钛与溴邻苯三酚红和罗丹明６Ｇ形成红色配合物，其最大吸收波长λｍａｘ为５６０ｎｍ，表观摩尔吸光系数ε５６０为１．２９×１０５Ｌ·ｍｏｌ－１ｃｍ－１，钛量在０－８μｇ／２５ｍｌ范围内符合比耳定律。     

氟化物熔体中电解共沉积硼化钛的阴极过程

采用循环伏安法首次研究了ＬｉＦ－ＮａＦ－Ｋ２ＴｉＦ６－ＫＢＦ４熔盐体系中钛离子和硼离子在铂、钼电极上电化学还原及电合成硼化钛的阴极过程机理。对恒电位电解的沉积物进行了Ｘ射线衍射分析。结果表明，当体系中硼钛摩尔比Ｂ／Ｔｉ大于２时，钛与硼可在同一电位下实现电解共沉积并反应生成硼化钛。     

高铬钢碳化物晶内缺陷的STM及FFT分析

用扫描隧道显微镜（ＳＴＭ）观察了Ｃｒ１２合金中（ＣｒＦｅ）７Ｃ３碳化物的精细结构，证实其晶粒内部存在层错亚结构；并发现同一晶粒内存在几个沿不同位向排列的平行层错群，不同平行群间呈约９０°夹角。ＳＴＭ图象的快速Ｆｏｕｒｉｅｒ变换（ＦＦＴ）及逆变换（ＩＦＦＴ）结果表明，层错排列具有一定周期性。实验测得层错面间距为 ５０ ｎｍ。     

一种新型的表面高速钢的形成方法

本文介绍了一种新的等离子表面冶金高速钢的形成方法，并对由这种工艺方法形成的高速钢中的碳化物大小、分布及结构进行了分析研究。     

多孔硅湿敏特性研究

应用阳极氧化技术在单晶硅片上生长一层多孔硅（ＰＳ）薄膜，用真空镀膜方法分别在其上下两面蒸发一层适当厚度的金属铝作为电极，设计了两种电极图形，制成二端结构的敏感元件．在不同湿度环境下，测出其电容值，得到了多孔硅ＲＨ－Ｃ湿敏特性曲线．通过不同材料、不同工艺条件的试验研究发现：多孔硅湿敏元件的湿敏特性、响应时间与其孔隙率、膜厚等参数有关．从而，确定了适合于敏感应用的材料导电类型、电导率、工艺条件和元件结构     

深过冷Ni—Si共晶合金中Ni3Si的生长形态

采用熔融玻璃净化和循环过热相结合的方法，使Ｎｉ－Ｓｉ共晶合金获得了２２４Ｋ的大过冷度，对该合金深过冷快速凝固组织的形成机制和小平面相Ｎｉ３Ｓｉ的生长形态的研究发现，在过冷条件下，共晶组织形成之前，往往会生成组成共晶的两相的初生相，随着过冷度的增大，Ｎｉ３Ｓｉ初生相的生长形态由小平面形态向非小平面形态转变，其转变的临界过冷度约为６０Ｋ。