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71.
用直流叠加方波脉冲电流阳极腐蚀法制得了多孔硅(PS),样品经XeCl准分子激光器的308nm激光的激发,获得了中心波长为462nm,半高宽为126nm的蓝色光致发光(PL)谱、PS断透射电(TEM)分析发现有nm量级的Si原子团组成的一维量子线(柱)阵列的三维量子海棉结构,由此带来的量子约束和表面效应恰好说明了PL谱的实验结果。 相似文献
72.
研究了Mg-FE复合微合金化的双相Ni3AL(B)-Cr基金属间化合物熔盐腐蚀和力学性能,发现Mg-RE复合微合金化能降低Ni3Al(B)-Cr在LiCl-KCl熔盐中的阳极电流密度;同时能在不降低Ni3Al(B)-Cr屈服强度的条件下,提高延伸率近20%. 相似文献
73.
提出了一种弱极化曲线测量数据计算机处理方法,并计算了55%Al-Zn-1.6%Si合金镀层在3%NaCl溶液中腐蚀过程的电化学参数,研究了镀件在3%NaCl溶液中发生整体腐蚀加速的机理.结果表明,镀层表面微电偶局部腐蚀的发展形成了基体钢与镀层金属的宏观电偶腐蚀,电偶电位Eg随时间的正移,使镀层金属的溶解电流密度迅速增大,钢基体受到的保护效应减小. 相似文献
74.
75.
分别测定了PAC电极(Pb-Ag-Ca新型阳极的简称)在MnSO4-H2SO4溶液中的阴极极化曲线(以~lgi作图)及阳极极化曲线,从图中求得:icor=15.85μA/cm2,cor=-0095v,Vcor=2.95Kg/m2ann.7.09%(电极重量每年消耗的百分数)io(2)=54.70μA/cm2及io(3)=1.10μA/cm2;讨论了PAC阳极的腐蚀机理即反应(2)受反应(3)的动力学参数所控制,为EMD工业中使用该阳极提供基础性数据. 相似文献
76.
研究了在REY、REHY、USY三类常用的FCC分子筛催化剂中加入捕钒剂组分(对催化剂基体进行化学改性)对钝化重金属钒污染的作用效果。结果表明,碱土金属类捕钒剂ABO3对REY、USY类FCC催化剂有良好的钝化效果,属于酸碱反应的钝化机理。但碱土金属类捕钒剂,如ABO3、MgTiO3、MgO和CaSnO3等,与REHY分子筛不匹配,非但没有钝化重金属,反而对REHY分子筛的质子酸中心有破坏作用,使 相似文献
77.
海水腐蚀梁抗剪强度及其智能分析 总被引:2,自引:0,他引:2
为了确定海水腐蚀钢筋混凝土梁斜截面承载力特性,用人工海水对15根钢筋混凝土梁进行加速腐蚀试验,得到海水腐蚀下钢筋混凝土梁斜截面受剪承栽力.随着腐蚀循环次数增加,承载力与构件参数及循环次数之间存在非线性关系,而采用常规的方法建立它们之间的关系,难以用数学公式来表达.利用神经网络方法,建立3层BP网络模型,以拟合不同条件下海水腐蚀钢筋混凝土梁受剪承载力的变化规律.根据试验训练样本数据,对该模型进行训练,建立BP网络模型系统.结果表明,基于模型系统的拟合曲线与试验曲线符合较好,能够反映承载力和腐蚀循环因素之间非线性变化关系,为腐蚀钢筋混凝土梁的抗剪强度预测提供参考. 相似文献
78.
高压输电线路铁塔电化学腐蚀特性研究 总被引:2,自引:0,他引:2
通过对高压输电线路铁塔主架角钢在不同pH值、环境温度及所受应力下的Tafel曲线测定,研究了镀锌的Q215钢材料的腐蚀特性.结果发现:随着温度升高,试样的自腐蚀电位降低,易腐蚀.在同一温度,随着pH值升高,腐蚀速度先减缓后加快,pH=3.2时腐蚀速度最慢,抗蚀性最好.在酸雨环境中,铁塔腐蚀速度受温度影响最大,随温度升高腐蚀速度加快,同时随着应力增大腐蚀速度增高. 相似文献
79.
塑料换热器在污水源热泵系统中的应用分析 总被引:4,自引:1,他引:4
污水源热泵是高效的环保节能系统.污水水质的特殊性使得在回收污水热能时换热设备的选择以及水质对换热设备的腐蚀和结垢都成为其推广的障碍.根据现有的污水源热泵系统换热装置存在的问题,结合塑料换热装置的特点,提出采用塑料换热器代替金属换热器.通过对塑料换热器在腐蚀、结垢、价格等方面与金属热换器的比较,发现其具有明显优势.对塑料换热器阻力、强度、传热性能的分析,证明塑料换热器在污水源热泵中应用是可行的. 相似文献
80.
常温下用直流对靶磁控溅射的方法在玻璃基片上制备出了高电阻温度系数(TCR)氧化钒薄膜.通过设计正交试验,系统分析了Ar和O2的标准体积比、溅射功率、工作压强和热处理时间对氧化钒薄膜TCR的影响.对最佳工艺条件下制得的薄膜进行电阻温度特性测试,TCR达到-3.3%/K,室温方块电阻为28.5kΩ,个别样品的TCR达到-40%/K以上.扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)的形貌分析显示,这种制备方法结合适当的退火可以制备出氧化钒多晶薄膜,晶粒尺寸在纳米数量级.X射线光电子能谱(XPS)分析发现,高TCR薄膜样品中钒的总体价态接近+4价.所有结果表明,制得的氧化钒薄膜电性能满足红外探测器的要求,且该工艺能与CMOS工艺兼容. 相似文献