每月科技快讯

<正>省内【头条】南粤功勋奖评选活动正式启动首届南粤功勋奖、南粤创新奖评选活动于近日启动,南粤功勋奖、南粤创新奖获得者将分别获得3000万元和500万元的奖励,奖金免征个人所得税。     

保加利亚科学家开发出“人工授精”用纳米机器人

保加利亚科学家日前发明了一种用于试管“人工授精”的纳米机器人，该机器人可大大提高“人工授精”的效率。这种名为“HYDROMINA”的纳米机器人是由保加利亚科学院机械研究院科学家开发的，它实现了“人工授精”的全自动化，可以在避免细胞膜破裂的情况下精确地将精子注入卵子。     

环境与化学工程学院

学院概况上海大学环境与化学工程学院是上海大学重点建设的学院之一,经过多年的建设与积累,已在持久性有机污染物迁移转化及综合治理、纳米颗粒物生物安个性研究等领域形成了鲜明的学刊特色,在国内外产生了积极的影响,已成为上海市环境学科的优势研     

带电纳米管道对K离子水合作用影响的模拟研究

采用分子动力学方法模拟了三种不同电荷密度的带电纳米管道对钾离子的水合作用产生的影响.模拟以半径为0.678 nm的无限长单壁椅型带电碳纳米管为纳米管道模型,讨论了在三种不同的电荷密度情况下,钾离子和水分子在管中的径向分布,钾离子水合层中水分子的径向分布以及钾离子第一水合层的水分子数.模拟结果表明,在电荷的影响下,钾离子和水分子在管中的径向分布未有明显的变化,而钾离子水合层的水分子的径向分布以及钾离子第一水合层的水分子数却产生了一定的变化.这说明纳米管道上的电荷会对离子的水合作用产生影响.这些发现将对进一步理解生物离子通道对离子可选择性机理和设计纳米流体器件有一定的意义.     

具有微纳结构超疏水表面的槽道减阻特性研究

目前一系列实验研究表明,在由一级微米结构或一级纳米结构构成的超疏水表面制成的槽道中,在层流的条件下,存在明显的减阻效应.但是以往的实验中,所采用的超疏水表面均是由一级微米结构或者纳米结构构成,并且流动槽道的尺度均是在微米量级,对于宏观尺度槽道中的流动减阻没有相应的研究.在本文中,首先介绍了一种全新的利用碳纳米管构建具有微纳二级结构的超疏水表面的方法,然后在由该表面构成的宏观尺度的槽道进行了流动阻力特性实验,实验发现由微纳二级结构构建的超疏水表面形成的宏观尺度槽道中,在层流条件下,依然具有减阻效应,且最大减阻达到36.3%.同时利用mirco-PIV技术对槽道内的流动速度进行了测量,与传统的壁面无滑移理论不同,在超疏水槽道内,发现在壁面处流体存在明显的速度滑移.     

英特尔发布首款六核台式机处理器

英特尔近日发布了该公司首款六核台式机处理器Corei7-980XExtremeEdition。该产品将被用于工作站和游戏PC。由于采用了全新Westmere架构开发，并使用32纳米工艺制作而成，比现有的Nehalem芯片所采用的45纳米工艺更为先进，与此前的产品相比，该处理器速度更快，能耗效率更高。     

绝缘子污闪防治探究

介绍了绝缘子闪络危害性及主要的污闪事故,分析了导致污闪形成的环境、气象因素,针对不同电压等级、不同类型绝缘子提出了具体的防污措施。     

纳米TiO2光催化氧化VOCs的理论研究

文章以平板式空气净化装置作为物理模型，基于纳米 TiO2光催化氧化挥发性有机化合物反应的控制机理为质交换、扩散、吸附和光化学理论，建立了非稳态光催化氧化过程数学模型，利用有限差分法求解控制方程和边界条件，通过试验对理论计算进行验证，结果表明，理论计算与试验结果吻合较好。     

Eu-Ru共掺NiO-SnO2复合纳米粒子薄膜的阻变特性

通过低温水浴法制备了Eu-Ru共掺杂NiO-SnO2复合纳米粒子，透射电镜图像显示纳米粒子粒径均匀，选区电子衍射表明结晶性差，所测晶面间距与SnO2和NiO相应卡片数据一致，水热机理分析表明纳米粒子由NiO-SnO2微观p-n结组成.原子力显微镜测试薄膜表面平均粗糙度约025nm，由于薄膜太薄及样品结晶性差，XRD分析未见明显衍射峰.电学测试表明纳米粒子薄膜具有可重复双极阻变特性，阈值电压约1V，开关比约500.薄膜高阻态电学输运符合缺陷俘获载流子所致空间电荷限制导电机制，低阻态呈欧姆特性，故阻变机理应为电荷俘获及再释.     

六维微位移、力全反馈纳米压印装备的关键技术与应用研究

纳米压印光刻（Nano Imprint Lithography，NIL）是面向45nm以下半导体制造工艺下一代光刻技术的主流之一。基于紫外纳米压印光刻是一种在常温和常压下使用的光刻技术，是非常有希望成为未来光刻技术的主流工业技术。多层纳米压印套印对准技术是基于常温紫外纳米压印设备的核心关键技术，该技术是制约紫外纳米压印光刻技术，广泛应用于半导体制造并促其成为主流光刻技术的瓶颈。将并联机构引入纳米压印装备的研制之中，进一步提升纳米压印设备中掩模台和工件台之间的对准精度和定位精度。