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51.
采用Schottky结源漏结构是克服传统MOSFET器件短沟效应的一种有效方法.不同于常规的固相反应形成硅化物的方法,该文利用金属蒸汽真空弧(MEVVA)离子源进行强流金属离子注入合成了金属硅化物CoSi2,
并首次对其与Si所形成的Schottky结特性进行了研究.结果表明850 ℃退火1
min后已形成CoSi2硅化物晶相,且结深易于控制.电流特性表明p型衬底得到了较好的Schottky结,势垒高度为0.48
eV, 理想因子为1.09, 而n型衬底形成的Schottky结的理想因子偏大,需进一步改进工艺. 相似文献
52.
用扫描电镜KYKY-1000、能谱仪观察分析了38CrMnMo钢(调质热处理)拉伸实验后的异常断口,结果表明:钢中冶金夹杂物是导致38CrMnMo钢异常脆性断裂的主要原因。 相似文献
53.
54.
刘英琦 《上饶师范学院学报》1992,(6)
本文介绍了配平氧化-还原反应方程式的三种特殊方法:假设法、倒逆法和试求法。这些方法有助于解决一些配平过程中遇到的疑难问题。 相似文献
55.
56.
合成金属有机(高分子)铁磁体 总被引:1,自引:0,他引:1
本文介绍了纯有机(高分子)磁体及金属有机(高分子)磁体的种类、结构和发展慨况,并概述了近年来我们所合成的常温稳定二茂铁型有机(高分子)铁磁体及其应用前景. 相似文献
57.
方朝臣 《青海师范大学学报(自然科学版)》1993,(4)
本文利用半群代数理论及偏序集理论、方法,继续讨论了I_3-半群的若干性质及其幂零性问题。给出了I_3-半群为幂零的若干充要条件,特别是给出了幂零的I_3-半群的序结构特征,完全确定了全序幂零的I_3-半群的结构。 相似文献
58.
激光引起金属靶层裂的实验研究 总被引:3,自引:0,他引:3
激光引起金属靶的层裂,目前国外只有少量文献有报道,并主要集中在铝、铜材料。由于脉冲强激光能产生10~7s~(-1)以上的超高应变率,它为在实验室内研究这样极端条件下的材料的断裂行为和机理,提供了几乎唯一的加载手段。本文简要报道我们在中国科技大学“华光”10~(10)W钕玻璃激光器上所做的铝和铁靶层裂实验的初步结果。这是我国首次利用强激光装置实现金属层裂的尝试,为强激光破坏效应的研究提供了现实的前景。 相似文献
59.
本文采用较为简便的合成手段,较好地合成了一种高速感光重氮型化合物--2,5-二甲氧基-4-码啉基苯基重氮氯化锡复盐,并经 IR 谱、′HNMR 谱,以及元素分析等检测,证实该产物的存在.产品紫外特征吸收峰艾λ_(max)=398. 2nm,热分解温度为158℃. 相似文献
60.
本文研究了在不同pH值下吐温—80.Tritonx—100.SLS三种表面活性剂四—(对-三甲铵苯基)卟啉Soret带的影响。 相似文献