利用Mahalanobis距离进行人脸表情的识别

提出了利用Mahalanobis距离进行人脸表情识别的方法.首先将待分类的图像样本集进行坐标变换,使得变换以后类间离散度尽可能大而类内离散度尽可能小,即使变换以后的Fisher准则函数取得极大值,在新的坐标下求每个待分类样本到各类均值向量的Mahalanobis距离,从而将待分类的样本归到Mahalanobis距离最小的类中去,通过实验得到了平均80.25%的识别率.     

时效处理对Sn57Bi0.5Ag/Cu钎焊接头组织及性能的影响

研究了Sn57Bi0.5Ag/Cu钎焊接头在70℃、100℃时效过程中的显微组织和剪切强度的变化。结果表明:在钎料和Cu基体的界面间存在金属间化合物,随时效时间的延长,界面金属间化合物层的厚度增厚,接头区的组织出现了粗化;脆性的金属间化合物是钎焊接头的薄弱环节,接头剪切强度随时效时间的增加和界面化合物的增厚而下降;在时效时间达1000min以后,容易在金属间化合物层内观察到空洞。     

多径信道衰落与时延的模拟研究

在多径衰落信道上高速传送信号时，如果信道的延迟扩展大于发送信号的符号周期，信号将产生频率选择性衰落并引起符号间干扰，但如果信道的延迟扩展小于发送信号的符号周期，信号只会产生衰落而不会引起符号间干扰。文中从信道的随机过程特征出发，通过模拟信道的平稳过程，讨论信道衰落特征，为数字通讯的编码、调制和信道的均衡器设计提供一种可行的数学模型，进而可以加快数字通讯新方法的研发。     

西藏冬虫夏草无性型5.8S rDNA,ITS间区系统发育分析

 采用相对较低的培养温度(5~12℃),从西藏那曲当年产风干冬虫夏草[Cordyceps sinensis(Berk.)Sacc.]分离得到菌株C21,综合其菌丝形态学特征及5.8S rDNA和ITS间区的系统发育分析结果,证实菌株C21为冬虫夏草菌的无性型,即中国被毛孢(Hirsutella sinensis).     

SD-NFN1型金属钝化剂在催化装置上的应用

介绍了SD-NFN1型水溶性三功能金属钝化剂在FCCU装置上的工业应用情况。讨论了钝化剂对催化剂、产品分布及操作的影响。结果表明该钝化剂能有效减轻催化剂中毒，提高平衡剂活性，干气中氢含量由38．8％减少为15．8％；H2／CH4比由1．10下降为0．30；轻质油收率提高了1．44％，总液收提高了0．70％。     

低产油井间开模式定量优化及应用

基于降低生产成本和节约能源的目的,对低产油井实行间开生产已经为人们普遍接受.合理确立油井间开工作制度显得尤为重要.利用油井静液面恢复快慢程度与其产能的密切关系,引入油层折算压力,初步确立该油井的工作制度.在此基础上,考虑液面恢复过程中液柱自重抑制了地层的供液能力,建立了井筒液柱高度恢复随时间变化的模型,拟合出实际液面恢复高度随时间变化方程,从而优化了工作制度.应用于现场一口生产井取得了较好效果.     

转抗除草剂基因油菜与5种十字花科杂草的基因流研究

通过荧光显微镜和人工杂交授粉结实情况的观察，研究了抗草甘膦甘蓝型油菜Q3（Brassica. napus L.）与5种十字花科杂草的杂交亲和性.结果表明，遏蓝菜（Thlaspi arvense L.）、荠菜［Capsella bursa-pastoris （L.） Medic］、碎米荠（Cardamine hirsuta L.）、风花菜［Rorippa palustris （L.） Besser］（作母本）与Q3（作父本）杂交高度不亲和.荧光显微镜观察发现花粉管生长受阻，分别停滞在上述杂草的柱头表面或花柱上部1/3处；而野芥菜×Q3则表现出一定程度的亲和性，亲和指数为1.65.在大田邻近间隔种植和自然授粉条件下，Q3与遏蓝菜、荠菜、碎米荠和风花菜间的基因流频率为0，与野芥菜间的频率为0.86%.上述结果表明转抗除草剂基因油菜与十字花科杂草间存在不同程度的基因流，基因流频率与杂交亲和性高度相关.     

等离子体方法实现金属管件内表面改性研究进展

综述了近年来国内外利用等离子体方法实现金属管件内表面强化的研究进展. 介绍了几种管件内表面等离子体源离子注入和沉积技术，并对其优缺点分别加以分析. 详细介绍了中国科学院物理研究所等离子体物理实验室先后提出的几种等离子体源离子注入方法用于金属管件内表面改性的原理、技术特点及最新研究进展. 力图展望管件内壁离子注入技术研究的发展前景.     

半导体热电材料Bi1-xSbx薄膜的电化学制备

B I1-XSBX半导体合金是性能优异的热电和磁电功能材料,为制备固态电制冷器件、温差发电器件和磁电器件的重要材料。电化学沉积薄膜技术工艺设备简单成本低,在半导体薄膜制备方面有很好的应用前景。系统研究了高浓度盐酸(2.4 MOL/L)的B I和SB盐酸溶液,成份从纯铋逐步变化到纯锑的B I1-XSBX合金半导体薄膜电化学沉积特性。测试了沉积过程I-V循环曲线和和沉积电荷效率等电化学参数。结果表明在所有成份范围内都可以得到典型的B I1-XSBX固溶体结构的高质量薄膜。薄膜生长为典型的溶液扩散控制过程,具有高的沉积电荷效率。薄膜沉积和溶解之间的电位差随溶液中SB(Ⅲ)离子浓度增加而增大,生长的薄膜越来越稳定。在30%SB浓度附近,电化学过程、薄膜结构和性能发生明显的突变。应用X射线衍射和电子显微镜研究薄膜结构,发现薄膜具有明显的(012)择优取向,薄膜晶粒尺寸也随SB浓度的增加而变化。     

肝硬化患者血浆中PCT、内毒素及细胞间粘附分子-1的临床研究

目的对肝硬化患者与正常人血浆中PCT、内毒素及细胞间粘附分子．1等指标进行比较，探讨这些指标与肝硬化之间的关系．方法随机选取30位肝硬化患者及30位正常人的血浆进行PCT，ET及sICAM-1水平进行测定．结果与对照组相比，随着病情严重程度，肝硬化患者血浆PCT、内毒素、sICAM-1水平均显著增高＋结论肝硬化患者血浆水平与肝硬化患考的严重程度密切相关，它们在致肝组织病变持续加重过程中均具有重要作用．