大束流Co离子注入形成CoSi2/Si Schottky结的特性

采用Schottky结源漏结构是克服传统MOSFET器件短沟效应的一种有效方法.不同于常规的固相反应形成硅化物的方法,该文利用金属蒸汽真空弧(MEVVA)离子源进行强流金属离子注入合成了金属硅化物CoSi2, 并首次对其与Si所形成的Schottky结特性进行了研究.结果表明850 ℃退火1 min后已形成CoSi2硅化物晶相,且结深易于控制.电流特性表明p型衬底得到了较好的Schottky结,势垒高度为0.48 eV, 理想因子为1.09, 而n型衬底形成的Schottky结的理想因子偏大,需进一步改进工艺.     

38CrMnMo钢异常断口的分析

用扫描电镜KYKY－1000、能谱仪观察分析了38CrMnMo钢（调质热处理）拉伸实验后的异常断口，结果表明：钢中冶金夹杂物是导致38CrMnMo钢异常脆性断裂的主要原因。     

合成金属有机(高分子)铁磁体

本文介绍了纯有机(高分子)磁体及金属有机(高分子)磁体的种类、结构和发展慨况,并概述了近年来我们所合成的常温稳定二茂铁型有机(高分子)铁磁体及其应用前景.     

激光引起金属靶层裂的实验研究

激光引起金属靶的层裂,目前国外只有少量文献有报道,并主要集中在铝、铜材料。由于脉冲强激光能产生10~7s~(-1)以上的超高应变率,它为在实验室内研究这样极端条件下的材料的断裂行为和机理,提供了几乎唯一的加载手段。本文简要报道我们在中国科技大学“华光”10~(10)W钕玻璃激光器上所做的铝和铁靶层裂实验的初步结果。这是我国首次利用强激光装置实现金属层裂的尝试,为强激光破坏效应的研究提供了现实的前景。     

表面活性剂对TAPP Soret带的影响

本文研究了在不同pH值下吐温—80.Tritonx—100.SLS三种表面活性剂四—(对-三甲铵苯基)卟啉Soret带的影响。     

一个计算金属半径的近似公式

本文提出一个计算金属原子半径新的近似公式，并计算了５８种金属的原子半径，其结果与实验测定值非常接近。