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数字后端物理版图设计是整个芯片设计的关键一步,而减少设计时所用的金属层数是IC行业中缩减芯片成本的一个重要措施。本文以SMIC0.18μm工艺下一款SmartCard芯片的实际设计方案为例,首先分析了金属层数与成本的关系,之后分析其可行性,并提出了具体的布局布线方案,最终以成功的流片结果论证了该减少金属层数设计方案的可行性。 相似文献
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新型饱和Dawson结构杂多阴离子担载的钇(Ⅲ)配合物的合成与晶体结构 总被引:2,自引:0,他引:2
以α-H6P2Mo18O62·nH2O, Y2O3和N-甲基吡咯烷酮(NMP)为原料, 在水溶液中制得了新型饱和Dawson结构杂多阴离子[P2Mo18O62]68722;担载的钇(Ⅲ)配合物[Y(NMP)5(H2O)2][Y(NMP)4(H2O)2(P2Mo18O62)]·NMP·5.5 H2O. X射线单晶衍射结果表明, 该配合物是由钇配离子[Y(NMP)4(H2O)2]3+与[P2Mo18O62]68722;阴离子赤道位的端氧配位成键而形成的具有孤立簇结构的新型配合物. 相似文献
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