首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   6018篇
  免费   161篇
  国内免费   237篇
系统科学   20篇
丛书文集   288篇
教育与普及   484篇
理论与方法论   95篇
现状及发展   54篇
综合类   5475篇
  2024年   37篇
  2023年   130篇
  2022年   115篇
  2021年   140篇
  2020年   118篇
  2019年   104篇
  2018年   37篇
  2017年   57篇
  2016年   79篇
  2015年   129篇
  2014年   268篇
  2013年   238篇
  2012年   240篇
  2011年   302篇
  2010年   219篇
  2009年   251篇
  2008年   319篇
  2007年   265篇
  2006年   259篇
  2005年   230篇
  2004年   196篇
  2003年   235篇
  2002年   221篇
  2001年   236篇
  2000年   196篇
  1999年   162篇
  1998年   181篇
  1997年   197篇
  1996年   167篇
  1995年   207篇
  1994年   168篇
  1993年   148篇
  1992年   133篇
  1991年   97篇
  1990年   116篇
  1989年   105篇
  1988年   51篇
  1987年   32篇
  1986年   12篇
  1985年   8篇
  1984年   2篇
  1983年   2篇
  1982年   2篇
  1958年   1篇
  1957年   4篇
排序方式: 共有6416条查询结果,搜索用时 0 毫秒
131.
建立了小鼠肥大细胞体外诱导体系。探究肥大细胞对肿瘤细胞侵袭转移能力的影响。Transwell迁移和侵袭实验检测了与肥大细胞共培养后的细胞2LL侵袭转移能力变化。实验结果表明:肥大细胞能够抑制IDO诱导的细胞2LL的侵袭转移能力。生物信息学分析发现基质金属蛋白酶抑制剂-1(TIMP1)能够抑制促肿瘤转移的基质金属蛋白酶-1(MMP1)、基质金属蛋白酶-2(MMP2)以及基质金属蛋白酶-9(MMP9)的表达。Western blot结果表明肥大细胞通过抑制STAT3磷酸化而减少IDO的表达;并通过TIMP1信号通路抑制MMP2、MMP9和VEGF的表达。这些结果表明肥大细胞通过抑制STAT3信号通路磷酸化调控IDO表达和抑制下游TIMP1、MMP2、MMP9信号通路抑制细胞2LL转移能力。  相似文献   
132.
预应力加工表面残余应力的理论分析   总被引:8,自引:3,他引:8  
提出了一种理论分析的方法,对预应力切削、磨削加工时所形成的表面残余应力进行定量分析.利用热弹塑性力学理论和有限元方法,从理论上计算已加工表面残余应力,讨论预应力加工条件对加工表面残余应力的影响,从而为表面残余应力的控制提供了理论依据。  相似文献   
133.
设计合成一种尚未见文献报道的酚型双臂开链冠醚化合物L(L-2,6-二(8'-喹啉氧甲基)-4-甲基-苯甲醚),经元素分析,IR,^1HNMR,MS等方法确定了其组合和结构,其Ag(I),Cu(II),Ni(II)固体配合物的元素分析结果青明,金属离子不同,则其配合物的配位比(M:L)不同,Ag(I)配合物为1:1,Cu(II,Ni(II)配合物为2:3,并运用热重-差热分析对其热稳定性进行初步研究。  相似文献   
134.
观察金属蛋白酶组织抑制因子-1(TIMP-1)小干扰RNA真核表达载体转染肝星状细胞株HSC-T6后TIMP-1基因表达的情况。构建携带绿色荧光蛋白(GFP)基因的小干扰RNA真核表达载体pGCsi-U6/TIMP-1 shRNA,利用该载体介导四个特异性和一个非特异性的TIMP-1 shRNA,分别为TIMP-1 shRNA1、TIMP-1 shRNA2、TIMP-1 shRNA3、TIMP-1 shRNA4和TIMP-1 shRNA—NON。采用阳离子脂质体介导法转染HSC-T6细胞,激光共聚焦显微镜观察GFP表达,荧光实时定量PCR方法检测TIMP-1 mRNA表达情况。质粒转染HSC—T6细胞后,激光共聚焦显微镜观察转染组细胞内均见绿色荧光,未转染组未见绿色荧光;mRNA水平检测显示:与正常对照组相比,TIMP-1 shRNA1、TIMP—1 shRNA2和TIMP-1 shRNA4对TIMP-1基因表达较强的抑制作用,尤TIMP-1 shRNA1抑制作用最强(P〈0.01)。pGCsi—U6介导的TIMP-1 shRNA1能更加有效的抑制肝星状细胞中TIMP—1的表达。  相似文献   
135.
分别采用搅拌摩擦焊和冷金属过渡焊进行铝合金与镀锌钢的焊接试验,通过对焊缝截面显微组织、界面层成分及显微硬度的对比分析,研究影响焊接接头拉剪载荷和失效形式的因素。结果表明:搅拌摩擦焊接头的拉剪载荷接近于母材,焊缝晶粒细小、组织致密,显微硬度高于冷金属过渡焊接头,铝合金-钢异种金属界面层的结合为通过"洋葱瓣"状结构的机械咬合和冶金结合,界面层厚度约为20μm,为Al-Zn固溶体;冷金属过渡焊接头的拉剪载荷较铝母材降低了37.8%,在熔合线附近断裂,熔合线附近为柱状晶,焊缝根部存在热裂纹,显微硬度较铝母材的降低了30%,界面层厚度约为5μm,为Al-Fe金属间化合物。  相似文献   
136.
王敬平  魏梅林  牛景杨 《科学通报》2003,48(20):2123-2126
以α-H6P2Mo18O62·nH2O, Y2O3N-甲基吡咯烷酮(NMP)为原料, 在水溶液中制得了新型饱和Dawson结构杂多阴离子[P2Mo18O62]6−担载的钇(Ⅲ)配合物[Y(NMP)5(H2O)2][Y(NMP)4(H2O)2(P2Mo18O62)]·NMP·5.5 H2O. X射线单晶衍射结果表明, 该配合物是由钇配离子[Y(NMP)4(H2O)2]3+与[P2Mo18O62]6−阴离子赤道位的端氧配位成键而形成的具有孤立簇结构的新型配合物.  相似文献   
137.
该文采用原子层沉积在Si/SiO2/TiN基底上制备了20 nm Hf0.5Zr0.5O2 (HZO)薄膜,并分别以TiN和Cu为盖层构筑了HZO铁电电容器掠入射X射线衍射测试表明,TiN和Cu作为盖层的HZO薄膜都具有明显的正交相系统比较研究了Cu和TiN盖层对HZO薄膜的铁电、漏电和可靠性的影响极化 电压测试表明,TiN和Cu为盖层的HZO薄膜在±4 V扫描电压下,剩余极化强度 (2Pr) 值分别为40.4 μC/cm2和21.2 μC/cm2相应的矫顽电压分别为+1.7 V和+2.0 V极化疲劳与保持特性测试表明,在经过2.3×108循环次数后,以TiN和Cu为盖层的HZO薄膜的2Pr值分别衰减了39.7%和45.6%经过1.3×104 s保持测试,TiN和Cu盖层的HZO薄膜的2Pr值从初始34.4 μC/cm2和17.1 μC/cm2分别下降到了22.6 μC/cm2和1.6 μC/cm2上述结果说明,金属盖层是影响HZO铁电性的一个非常重要的因素盖层的功函数、热膨胀系数、界面缺陷和界面介电层都是导致HZO薄膜铁电性差异的可能机制该文工作对于进一步理解HZO铁电性起源和影响机制提供了有意义的借鉴,将有助于发展未来高性能的HZO铁电存储器和负电容晶体管  相似文献   
138.
自20世纪60年代激光出现以后,光学的发展极大地改变了人类的认识,对现代科技的发展起到了巨大的推动作用.然而随着信息技术的高度集成化和小型化,衍射极限成为传统光学难以跨越的尺度瓶颈.表面等离子体光学能够实现在纳米尺度上操纵和控制光子的产生、传播、调  相似文献   
139.
过渡金属元素和非过渡金属元素间二元化合物形成规律   总被引:1,自引:0,他引:1  
姚莉秀  杨杰  叶晨洲  陈念贻 《科学通报》2001,46(10):872-875
应用扩充的Miedema合金相元胞模型,以电负性φ、Wagnet-Seitz元胞电子云密度为nwa^1/3、原子半径R、价电子数Z及其函数张成多维空间,总结过渡金属元素和非过渡金属元素间二元经合物的形成规律,寻找中间化合物形成区域的数学模型,求得的数学模型可用于同类型的“未知”二元合金系化合物形成的预报,其效果比Miedema的二参数模型有较大的改善。  相似文献   
140.
运用计算流体动力学(CFD)方法,对弓形折流板壳管式金属氢化物反应床进行了数值模拟.预测了反应床壳侧的流体流动状态,分析了在不同折流板数量下,反应床中壳侧的流动状态、壳侧压降和换热管内合金的温度分布.分析计算结果发现,当壳侧折流板数较多时,热流介质的流动均匀性较好,其流动死区较少,换热性能较好,壳侧压降也较大,压降损失主要存在于折流板圆缺处;增加折流板高度会有效地减少壳侧压降,并对换热性能影响很少.针对弓形折流板壳管式反应床传热性能较差,引入螺旋式折流板对反应床进行优化.结果表明,该反应床流体流动状态为旋转式,其壳侧流体的均匀性、壳侧压降以及换热管的温度分布均匀性均明显优于弓形折流板.
关键词: 中图分类号: 文献标志码: A


Abstract:  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号