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41.
金刚石压力机其温度不易直接测量,控温较困难。本文从加热的原理出发,引入了单片机恒流控制,并给出了用单片机实现的具体步骤与方法。 相似文献
42.
本文对双离子束溅射淀积法制备的类金刚石碳膜进行了大气中的热退火研究。退火温度300℃,时间分别为1.5h和3.0h。对退火前后的样品分别作了红外透射谱、Raman光谱和电阻率的测量,并在退火过程中对膜层电阻率进行了即位测量。结果表明,300℃的退火并不能使膜层中的C-H键断裂,而使膜层结构趋于完整,膜层氧化变薄,其电阻率和红外透过率过率增高;但退火对膜的影响程度只与退火温度有关,而与退火时间无关。 相似文献
43.
本文研究了用热解CVD方法合成的金刚石的结晶特性,并与用高温高压法合成的金刚石的结晶特性做了比较。 相似文献
44.
本文较详细地研究了采用HFCVD方法在Si、Mo等衬底上生长出的不同表面晶形的多晶金刚石薄膜,讨论了生长条件(衬底温度、碳源浓度、反应压强)对金刚石薄膜晶粒形貌的影响.结果表明在HFCVD方法中,金刚石薄膜表面晶形对生长条件十分敏感,生长条件的微小变化就会导致不同表面晶形的生长. 相似文献
45.
从等离子体发射光谱变化这一角度研究在不同沉积条件下等离子体中电子平均能量的特点,分析碳源气体分析与电子的碰撞以及碳氢基团的能态变化,从而对等离子体法沉积金刚石薄膜微观机理进行初步探索。 相似文献
46.
本文研究了在HF—CVD法中,衬底温度Ts对PETEOS(等离子体增强正硅酸乙酯)氧化硅—硅衬底上选择性生长金刚石薄膜的影响。结果表明:Ts变化影响PETEOS氧化硅掩蔽层区域和硅表面金刚石晶粒成核密度。Ts较低时(750—820℃),PETEOS氧化硅区域成核密度远小于裸露硅表面;随Ts升高(>820℃),氧化硅区域成核密度增加很快;当Ts>850℃时,氧化硅区域成核密度超过硅表面。 相似文献
47.
48.
金刚石圆锯片磨损过程的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
通过对金刚石圆锯片锯切花岗石过程的试验研究和应用扫描电镜对金刚石锯齿的磨损表面进行的形貌观察,发现金刚石存在五种基本的磨损形态:初期磨损、抛光、局部破碎、大面积或整体破碎和脱落,金刚石一般都要经过初期磨损、正常磨损和剧烈磨损三个磨损阶段.应用统计学方法探讨了金刚石锯片的磨损过程与锯切性能的关系,为生产厂家改善锯片的锯切性能提供了理论依据和方法. 相似文献
49.
LIU Fengbin LI Xuemin WANG Jiadao LIU Bing CHEN Darong 《科学通报(英文版)》2006,51(15):1903-1908
As a kind of new functional material, diamond has unique physical and chemical properties[1 - 3]. Its chemical stability is perfect because it hardly reacts with acids and alkalis. Researchers tried to apply dia- mond as electrochemical electrode to waste… 相似文献
50.
讨论了金刚石电化学精加工齿轮的原理、工艺参数及实验装置。分析了电解和机械磨削中用微磨削方法和电化学方法去除金属的速度,两者取速度比最大值时,则有利于达到很高的加工精度。提出了齿轮纵向误差产生的动力学方程,得出径向跳动、齿向误差与加工时间的关系。最后通过实验,证明了金刚石电化学加工时精度的提高是显著的,且金刚石阴极耐磨性高,能够根据工件形状尺寸及加工间隙的分布规律来设计。 相似文献