硅单晶上类金刚石薄膜织构和外延取向与界面价电子结构的关系

金刚石和立方氮化硼薄膜由于其优异的性能已经获得了实际应用. 该类薄膜的特定取向对其在光学和微电子学领域的应用有特殊意义. 用固体与分子经验电子理论(EET)计算了衬底硅不同晶面与金刚石和立方氮化硼薄膜不同晶面的相对电子密度差, 从计算结果分析认为, 对所研究的薄膜, 薄膜与基底界面的电子密度差越小, 薄膜在热力学上越稳定, 界面的电子密度差是决定薄膜织构或外延取向的本质原因. 这些推断与实验事实符合得很好. 该计算方法和理论不仅为探讨金刚石和立方氮化硼在硅单晶表面上的薄膜生长机制提供了一个新视角, 还可能为其他薄膜取向的预测提供指导.     

金刚石表面化学镀NiFeB及其在胎体中综合状态的研究

对比分析了化学镀NiFeB，真空镀金刚石与胎体的结合界面，结果表明：化学镀NiFeB金刚石在胎体中仍以机械包镶为主，真空镀Ti-Cr金刚石在胎体中实现了化学键合，金刚石形成的炭化物中的碳直接来自于金刚石本身，界面结合强度高。     

基片温度对直流电弧等离子体喷射沉积金刚石膜的影响

研究直流电弧等离子体喷射比化学气相沉积金刚石系统中，基片温度对金刚石膜生长速率和质量的影响。实验发现，金刚石膜的生长速率和结晶性随基片温度的增加而境调增加。     

内燃机缸盖气门座圈孔、导管孔复合铰刀的设计

同轴度是影响内燃机气缸盖、气门与座圈工作性能的关键技术要求。本文提出以镗铰工艺取代传统的扩铰工艺来进行导管孔和座圈孔的精加工 ,改进了复合铰刀的结构 ,主轴采用内滚结构 ,从而提高了刀具的刚性及可靠性 ,并保证了零件加工精度的要求。     

负衬底偏压增强金刚石核化的机制研究

利用扫描电子显微镜镜研究了热灯丝ＣＶＤ系统负衬底偏压增强金刚石核化的过程，给出了实验结果。着重分析了负衬底偏压增强金刚石核化的机制。     

技术进步促发展科学管理增效益

1989年的亳州市金刚石总厂只有两台人造金刚石合成压机,固定资产几十万元,是个名不见经传的小厂,现在它已发展成为一个以金刚石总厂为核心企业,以华佗实业有限公司、磨料磨具厂、福利造纸厂、华新碳片厂、金陵大酒店、亚珠远航触媒有限责任公司为紧密层企业,集生产、科研、销售、服务等多功能为一体的,多种所有制形式并存的,具有独立法人资格的大型工业企业集团。是安徽省明星企业、高新技术企业,全国最大的人造金刚石生产基地,被誉为“中国金刚石之王”。 一、引进人才和技术 市场的竞争就是人才的竞争。任人唯贤,唯才是举,是我厂用人的宗旨。对有创造能力和创     

中频磁控溅射制备a-C∶H薄膜中沉积功率的影响

采用中频反应磁控溅射方法,在不同溅射沉积功率下,在单晶Si基片上沉积了a-C∶H薄膜.研究了不同沉积功率对a-C∶H薄膜的形貌、硬度、弹性的影响,并用Raman和FITR分析了引起a-C∶H薄膜形貌和力学性能变化的原因.结果表明,沉积功率对薄膜的形貌、硬度和弹性都有很大的影响,在功率为140 W时沉积的a-C∶H薄膜表面致密,具有最大的硬度和弹性模量.     

一种先进可行的工艺-金刚石铰孔

从工厂生产加工中纪录的一组数据表明金刚石铰孔在生产实践中是一种先进可行的新工艺。突出说明了该工艺用于液压阀体主孔批量加工中的优越性 ,并根据生产加工中的实际情况提出了几点采用此工艺所必须注意的事项