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1.
介绍了制备人造单晶金刚石的技术途径及发展现状,重点讨论并对比了几种化学气相沉积法(CVD)金刚石制备技术的优缺点,详细阐述了基于微波等离子体CVD (MPCVD)法的同质连接技术——一种突破晶体尺寸限制,实现大尺寸单晶金刚石的有效途径。通过该技术实现了英寸级单晶金刚石晶片的制备,并针对横向生长、界面质量及演化、三维结构连接控制等核心科学技术问题进行了分析和讨论,展望了其在尖端应用领域的发展前景。 相似文献
2.
实验以CH3CH2OH和H2 为气源,用微波等离子体CVD法沉积金刚石膜,并用金相显微镜(×400)观察其沉积效果,X射线衍射仪表征其成膜质量,最后分析反应气压对金刚石膜的影响. 相似文献
3.
金刚石薄膜是工业界继高温超导材料之后的又一研究热点,近年来的研究工作已经取得了重大进展。文章对国内外学者在金刚石薄膜的制备、特性、生长机理以及摩擦特性等方面的研究进行了综合论述,以推动国内外金刚石薄膜基础研究和应用的发展,并提出要重视金刚石薄膜在摩擦学领域中的应用研究,使之为人类社会带来巨大的经济效益。 相似文献
4.
强直电流伸展弧CVD硬质合金金刚石涂层工具 总被引:1,自引:0,他引:1
采用自行研制的强电流直流扩展电弧设备对酸浸和渗硼预处理的YG6刀片进行了金刚石薄膜涂层沉积,并对放于不同位置的沉积刀片表面涂层的激光Raman谱和SEM形貌进行了分析、研究。结果表明:渗硼预处理工艺优于酸浸预处理工艺;在渗硼处理的GY6刀片上,沉积的金刚石薄膜涂层具有大面积、均匀性好和质量高的特点。 相似文献
5.
6.
通过调整合成温度和合成压力曲线,使金刚石的单产提高了11%。46#以粗高品级金刚石所占的比例由原来的29%提高到51%,金刚石的抗压强度也有较大程度的提高。在合成过程中,保证合成点始终在金刚石生长答的优晶区内,是合成高品级金刚石的关键;根据人造金刚石的合成 机理,对试验结果进行了分析。 相似文献
7.
直流电弧等离子体射流法沉积金刚石薄膜 总被引:1,自引:0,他引:1
金刚石以其卓越的理化性能而受到人们普遍重视。近年来兴起的低压气相合成法,为金刚石在各领域中的更广泛应用提供了光明的前景。但诸多种低压合成法的不足之处在于金刚石的沉积速率还比较低,在某种程度上限制了它的应用范围。直到80年代末,才在日本出现了一种高速沉积金刚石薄膜的方法,就是直流电弧等离子体射流方法,其沉积速率比其它低压法要高几倍到几十倍。 相似文献
8.
黄记洲 《长春师范学院学报》2007,(8)
证明了有界弹性项Duffing方程x″ arccotx=p(t)的周期解的存在性,其中周期为2π的连续函数p(t)满足0 相似文献
9.
10.