一价铝离子3sns(J=0)系列的高激发态结构

本文利用本征通道量子亏损理论方法计算了一价铝离子3sns(J=0)里德伯系列的激发态结构,给出了高激发态结构的具体数值结果,并讨论了干状态的影响.     

In_(1-x)Ga_xAs/InP多量子阱结构的LP-MOVPE生长

本文报导了在低温、低压下,以三甲基镓(TMG)、三乙基铟(TEI)为Ⅲ族源材料,100％砷烷(AsH_3)、100％磷烷(PH_3)为V族源材料,用金属有机化合物气相沉积技术在(100)InP衬底上生长出In_(1-x)Ga_xAs/InP多量子阱结构材料.X光摇摆曲线观测到由于周期性多量子阱结构而产生的多级卫星峰,光致发光测量给出了不同阱宽下由量子阱尺寸效应而导致的PL谱.     

量子线中强耦合磁极化子的温度关系

采用Ｐｅｋａｒ变分法研究了量子阱线中强耦合磁极化子回旋共振频率随温度变化的关系，对于不同的限制强度，计算了磁极化子在基态和激发态的结合能随温度上升而下降的规律，回旋共振频率随温度上升而增大。     

量子理论中电磁场矢势的物理图象

计算出电磁场矢势Ａ对电子在外磁场中干涉图样位置移动的影响；分析了ＡＢ效应的物理实质，求解承外磁场中的散射问题，给出了散射出现极大和极小值的条件；在量子理论的范围内讨论了矢势Ａ的物理意义。     

无穷小群（Gq）1上的内射模

设Ｇｑ是特征为零的代数闭域Ｋ上的量子线性群，（Ｇｑ）１是Ｇｑ的无穷小群，证明了任一个有限维的（Ｇｑ）１内射模都可以提升为Ｇｑ模。     

8—12μm GaAs量子阱红外探测器及其线阵列

由于量子尺寸受限效应和超周期性的存在,超晶格量子阱的导带中形成了量子化的子能带.这些子能带可以由控制垒宽、垒高和阱宽,以及由设计阱的形状而得到剪裁,使导带中子能带间光跃迁的红外共振吸收峰在相当宽的范围得到调节.所谓量子阱红外探测器,就是利用半导体超晶格量子阱材料子带间光跃迁的红外吸收特性研制而成的一种新颖、快速、高灵敏     

多孔硅光致发光激发谱测量与机理分析

对多孔硅光致发光光谱(PL)和光致发光激发谱(PLE)的研究可以获得许多有关多孔硅发光机理的信息。已有许多文章报道了多孔硅发光的光谱特性和多孔硅的制备条件以及后续处理之间的关系,并据此提出了不同的发光模型。也有人对多孔硅的发光特性和激发条件间的关系进行了研究,并提出多孔硅的发光和表面态或荧光中心有关。我们用不同波长的单色光作激发源,测量了多孔硅发光的光谱特性,并用连续变化波长的单色光作激发源,测量     

量子系统的辛算法

本文找到了量子系统当哈密顿算符为实算符时的辛结构，为将辛算法应用于量子系统提供了一条途径。