超晶格中电子透射共振的机理

本文阐明了在超晶格中电子透射共振的机理，并将它与晶格中电子共振散射作了详细的比较，其理论计算的结果对超晶格某些原子层和分子层以及极薄的半导体层结构的研究都有重要意义，并为设计一种新型的放大率很高的量子放大器——透射共振量子放大器提供了理论计算的依据．     

相干态与场的经典——量子对应

通过对电磁场和谐振子的量子化类比,论述用能量本征态表示量子化的电磁场,不满足场的经典——量子对应关系,若用相干态表示电磁场的量子态,则能满足对应原理的要求等。     

光子陷阱的量子特性

本文用完全量子化方法讨论了有趣的光子陷阱现象.     

射频多量子跃迁的含时微扰方法

本文采用一种新的方法——含时微扰方法,对射频多量子跃迁的物理机制,共振信号的强度等问题进行了详细讨论。     

后表面对P-N结光伏红外探测器性能的影响 (Ⅱ)Hg_(1-x)Cd_xTe器件的数值分析

用我们导出的量子效率的普遍表示式,对Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te(77K)N/P结光伏红外探测器,数值地分析了光在器件前后表面间多次反射、表面复合速度、光吸收系数等对探测器性能的影响。     

Si/SiO_2异质界面的超精细硅量子线

作为半导体科学技术研究前沿领域的硅低维量子结构,它无论在低维物理基础研究,还是在技术应用上,都具有十分重要的意义.硅量子线作为纳米电子学的基础,将发展实现特大规模集成电路和开拓新一代硅量子效应的器件;同时,这种人工设计的一维微结构材料的能带结构不同于天然硅材料,可望获得高的发光效率,用于发展硅基集成光电子技术.国际上采用先进的材料生长手段和各种亚微米级以至纳米级的超微细     

介电量子阱中激子的Stark效应

在考虑像势影响的情况下，利用变分的方法计算了垂直电场下无限深介电势阱中激子的结合能，得到了像势对激子结合能的修正随阱宽、电场强度以及阱垒介电函数之比的变化曲线，我们发现：考虑像势影响对激子结合能及其Ｓｔａｒｋ效应的修正是很有意义的，而且自像势和互像势对Ｓｔａｒｋ效应的影响是相反的。     

关于双参数量子代数SU_（qs）（2）和双参数形变谐振子的若干结果

本文构造了双参数形变量子代数ＳＵ_（ｑｓ）（２）的Ｈｏｌｓｔｅｉｎ－Ｐｒｉｍａｋｏｆｆ实现和Ｎｏｄｖｉｋ实现，并给出了量子代数ＳＵ_（ｑｓ）（２）和双参数形变谐振子的映射。     

含时三次幂势系统传播子的精确解

本文应用正则变换的方法，以一般的含时不变量为正则动量，求得含时三次幂势系统传播子的精确解表达式。     

相对论粒子在晶格中相关散射

本文采用与粒子运动纵向分量相同的坐标系来考察相对论粒子同晶格原子相关碰撞及其量子辐射。通过相对论变换,使三维运动问题转化为两维问题(轴向沟道运动)或一维问题(面沟道运动),从而大大简化了计算步骤,并以几种典型的相互作用势,讨论了沟道轻粒子在晶格中运动时束缚态之间的跃迁。用Moliere势计算出MeV电子在晶格轴向沟道中运动时发射与韧致辐射不同的量子辐射谱的特征,与实验结果相当符合。