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41.
经典的多用户检测技术,其求解最优解的时间复杂度为0(2n),这是一个NP难解问题.在Pauli算子的基础上建立量子多用户信道模型,给出利用Grover算法的多用户检测解决方法.该算法的时间复杂度为O(√2n),并且当2n足够大时,其错误的概率趋近于0. 相似文献
42.
多量子比特纯态纠缠刻画研究的一些进展 总被引:3,自引:1,他引:3
狄尧民 《徐州师范大学学报(自然科学版)》2005,23(4):1-11
对多量子比特纯态纠缠刻画研究的一些进展作了介绍.首先介绍了三量子比特纯态情形对称正则形式的特点和LU多项式不变量与随机LOCC分类的关系.随后对多量子比特纯态的分类和纠缠的度量作了一些讨论,并指出紧致相对熵纠缠度不具有LU不变性以及Wei的几何纠缠度的不足. 相似文献
43.
对检测分子间多量子相干信号的CRAZED脉冲序列的最佳射频脉冲翻转角及延迟时间进行了探讨,通过综合运用偶极场理论和积算符公式,得到不同相干阶数下CRAZED序列的相对信号强度与射频脉冲翻转角及延迟时间之间关系的表达式。并利用计算机模拟对延迟时间进行优化,所得结果由实验加以验证.实验结果表明,理论得到的信噪比和量佳延迟时间的关系与实验结果吻合得较好.因此,所得出的理论方法可用于指导实验参数的优化选择。 相似文献
44.
苏保君 《太原师范学院学报(自然科学版)》2005,4(1):52-55,59
半个世纪以来,人们普遍接受了建立在广义相对论基础上的大爆炸学说,后来又确立了大爆炸早期的暴涨阶段,对于在这个标准模型中存在的疑难,人们试图从宇宙的创生期,应运量子理论来找出答案,文章尝试着从这个探索过程中,理清量子宇宙学的形成、内涵及影响,并期望能为以后的研究理清一个思路。 相似文献
45.
温度对半导体激光器性能参数的影响 总被引:4,自引:0,他引:4
本文主要研究了温度对激光器各参数的影响,主要包括温度与阈值电流密度的关系,温度对输出光功率的影响,温度对微分量子效率的影响,并且总结了一些温度和激光器结构设计之间的关系。 相似文献
46.
《电工电子学》实验教学改革初探 总被引:3,自引:0,他引:3
对青海大学《电工电子学》课程实验教学中存在的问题作了分析,并就该课的实验教学改革进行了探讨。 相似文献
47.
Vaidya-Bonner-de Sitter黑洞背景下中微子场和标量场的量子熵 总被引:1,自引:1,他引:1
孙鸣超 《兰州大学学报(自然科学版)》2003,39(6):40-44
在Tortoise坐标系中,利用Brick—Wall模型研究中微子场和标量场对Vaidya—Bonner—de Sitter黑洞熵的量子修正.当黑洞事件视界不随超前时间变化时,结果与Reissner—Nordstroem—de Sitter黑洞的量子熵完全相同。 相似文献
48.
WUGuang ZHOUChunyuan ZENGHeping 《科学通报(英文版)》2003,48(16):1704-1708
We introduce a stable, long-distance singlephoton Sagnac interferometer, which has a balanced configuration to efficiently compensate phase drift caused by change of the fiber-optic path. By using time-division phase modulation, single-photon interference was realized at 1550nm in a 5-km-long as well as 27-km-long Sagnac fiber loops,with a fringe visibility higher than 90% and long-term stability. The stable performance of the single-photon interference indicated that the time-division phase-modulated Sagnac interferometer might readily lead to practical applications in single-photon routing and quantum cryptography. 相似文献
49.
本文建立了单色波函数与一种粒子轨迹之间的对应关系,将粒子的干涉现象解释为粒子与屏相互作用的一种表现,而非本质上反映到达屏上粒子数量的分布。对实验验证提出了建议。 相似文献
50.
半导体量子阱超晶格作为一种新型的人工剪裁结构受到人们的普遍重视.该结构的特点之一就是可以利用在外电场调制作用下光学性质的变化来实现其在光电子学方面的应用,量子受限Stark效应(Quantum confined stark effect,简称QCSE)就是一个例子,它是指在外加垂直电场的作用下,跃迁能级能量的变化,这种能量的变化称为Stark位移.其不仅存在于半导体量子阱的带间跃迁中,同时也存在于子带间跃迁中.在包络函数近似下,利用求解一维Schr(?)dinger方程,研究了GaAs/AlGaAs阶梯量子阱结构中的Stark位移,通过微扰理论计算指出在一定的结构设计下,Stark位移量可以达到方形量子阱结构的两倍.根据理论计算,考虑到生长条件的具体限制,在半绝缘GaAs衬底上外延生长了样品.1μm GaAs缓冲层之上是50 nm的AlAs剥离层,然后是300 nm的Al_(0.3)Ga_(0.7)As层,接下来为50周期的阶梯量子阱结构.每个结构单元由 2 nm的 GaAs,8 nm的Al_(0.15)Ga_(0.85)As和4 nm的Al_(0.3)Ga_(0.7)As构成.在阶梯量子阱结构之后是200 nm的 Al_(0.3)Ga_(0.7)AS和 相似文献