Time-division phase modulated single-photon interference in a Sagnac interferometer

We introduce a stable, long-distance singlephoton Sagnac interferometer, which has a balanced configuration to efficiently compensate phase drift caused by change of the fiber-optic path. By using time-division phase modulation, single-photon interference was realized at 1550nm in a 5-km-long as well as 27-km-long Sagnac fiber loops,with a fringe visibility higher than 90% and long-term stability. The stable performance of the single-photon interference indicated that the time-division phase-modulated Sagnac interferometer might readily lead to practical applications in single-photon routing and quantum cryptography.     

重介子谱的相对论动能修正

使用超弦理论激发的伸缩子--胶子有效耦合得到的重夸克势研究了重介子的能谱，采用统一的方式来求解Salpeter方程和SchrEodinger方程，以便能真实地比较相对论动能修正的效应。发现相对论Salpeter方程更好地说明了实验上观察到的重介子能级。     

碰撞诱导转动传能中的干涉势

理论模型基于一级含时波恩近似，只考虑长程相互作用势，在此基础上给出了原子与^1П态双原子分子体系的干涉势．     

类锂离子（Z=11—20）1s^2s—1s^25p的跃迁能和振子强度

利用全实加关联(FCPC)方法计算了类锂离子(Z=11-20)激发态1s^25p的能级及精细结构劈裂，在此基础上计算了1s^2s-1s^25p的跃迁能和振子强度，相对论和质量极化效应对能量的修正用微扰论计算。还估算了来自量子电动力学效应的修正，所得到的理论结果与现有的实验数据符合得很好。     

二能级二粒子一般态的概率传输

研究了用4个粒子的非最大纠缠纯态传输二能级二粒子的一般态。传输方案没有利用Bell基测量，而是利用么正变换和局域进行了测量。在经典通讯的帮助下，通过做适当的么正变换和对辅助量子位的测量，这个二粒子一般态可以一定的成功几率从发送者处传输到接收者处。     

对称量子点花样体系电容谱

利用从头计算方法, 即基于Gauss基函数的非限制Hartree-Fock-Roothaan (UHFR)方程, 计算对称多量子点花样体系的基态能, 进而研究它们的电子电容谱. 量子点花样中的每一个量子点, 采用球形有限深限制势阱. 结果表明, 计算方法和理论模型不仅能够很好地给出类单量子点的s-壳层和p-壳层的电容峰, 并且给出了对称量子点花样体系电容谱一些新的精细结构. 它将成为研究对称量子点花样体系少电子问题的一种有效可行的方法.     

量子理论哲学思想研究——玻尔、海森堡自然科学哲学观评述

文章评述量子理论哲学思想的两位最杰出的代表人物玻尔和海森保的自然科学哲学观。分析研究了玻尔的互补性量子辩证法和海森堡的量子哲学观。通过这些评述和研究，以达到对量子理论的哲学思想有一个比较深入和系统的认识和理解。     

自旋1/2态下的量子逻辑变换

作者利用对自旋算符的量子线性变换理论，提供了一种考察自旋1/2态下的量子逻辑门变换的一种有效方法，并给出了几个基本量子逻辑操作的变换表达式。     

关于自由粒子和干涉的一种新观点

本文建立了单色波函数与一种粒子轨迹之间的对应关系,将粒子的干涉现象解释为粒子与屏相互作用的一种表现,而非本质上反映到达屏上粒子数量的分布。对实验验证提出了建议。     

GaAs/AlGaAs阶梯量子阱结构量子受限Stark效应的实验研究

半导体量子阱超晶格作为一种新型的人工剪裁结构受到人们的普遍重视.该结构的特点之一就是可以利用在外电场调制作用下光学性质的变化来实现其在光电子学方面的应用,量子受限Stark效应(Quantum confined stark effect,简称QCSE)就是一个例子,它是指在外加垂直电场的作用下,跃迁能级能量的变化,这种能量的变化称为Stark位移.其不仅存在于半导体量子阱的带间跃迁中,同时也存在于子带间跃迁中.在包络函数近似下,利用求解一维Schr(?)dinger方程,研究了GaAs/AlGaAs阶梯量子阱结构中的Stark位移,通过微扰理论计算指出在一定的结构设计下,Stark位移量可以达到方形量子阱结构的两倍.根据理论计算,考虑到生长条件的具体限制,在半绝缘GaAs衬底上外延生长了样品.1μm GaAs缓冲层之上是50 nm的AlAs剥离层,然后是300 nm的Al_(0.3)Ga_(0.7)As层,接下来为50周期的阶梯量子阱结构.每个结构单元由 2 nm的 GaAs,8 nm的Al_(0.15)Ga_(0.85)As和4 nm的Al_(0.3)Ga_(0.7)As构成.在阶梯量子阱结构之后是200 nm的 Al_(0.3)Ga_(0.7)AS和