2-己基咪唑作为铜的盐酸酸洗缓蚀剂作用机理的研究

通过失重法研究了2-己基咪唑(2-HeIM)在5%盐酸中对铜的酸洗缓蚀性能.探讨了温度和2-HeIM浓度对缓蚀效果的影响,从中得出了2-HeIM在铜表面的吸附等温式,计算了吸附热及2-HeIM的加入对铜在盐酸中腐蚀反应活化能的影响,进而探讨了2-HeIM对铜的缓蚀作用机理.结果表明,30℃下,在5%盐酸中,当2-HeIM的浓度在6 mmol/L以下缓蚀率随2-HeIM浓度的增加而增加,当浓度达到6 mmol/L时,缓蚀率趋于定值.在2 mmol/L到6 mmol/L浓度范围内吸附在铜表面的2-HeIM分子间的作用力整体表现为引力;2-HeIM在铜表面的吸附是吸热反应;2-HeIM的加入降低了铜的腐蚀反应活化能.     

陕西省西铜高速公路生态环境治理初探

以陕西省铜川市南部咽喉交通要道西(安)铜(川)高速公路水厂至川口段为例，通过野外实地勘察，对西铜高速公路两侧的主要生态环境问题进行了初步评价，针对不同地段提出了可行的生态环境治理方案，并对环境治理资金来源与政策建议作了适当分析，研究结论对于相关矿山的生态环境治理具有一定参考价值。     

铜离子在4-甲氧基-2,6-二(3,5-二甲基吡唑)-1,3,5-三嗪吸附型修饰电极上的电化学行为

用循环伏安法和方波伏安法研究了铜离子在4 甲氧基 2,6 二(3,5 二甲基吡唑) 1,3,5 三嗪(简称MBDT)吸附型修饰电极上的电化学行为.通过吸附在玻碳表面的配体与铜离子的配位作用,对Cu(Ⅱ)和Cu(Ⅰ)进行了电分析,结果表明,Cu(Ⅰ)在修饰电极上表现出比Cu(Ⅱ)高得多的灵敏度.     

二水合双邻苯二甲酸合铜(Ⅱ)的晶体结构

利用X-射线衍射方法测定了标题化合物的晶体结构,结果表明晶体属单斜晶系,空间群为P21/c,a=0.8348(4)nm,b=1.4357(7)nm,c=0.7089(4)nm,β=112.202(8)o,V=0.7866(7)nm3,Z=4,Dc=1.815g/cm3,μ=1.449mm-1,F(000)=438,最终偏离因子R1=0.0373,wR2=0.0877,品质因子S=1.030,铜离子处于分子的对称中心,中心离子Cu( )与邻苯二甲酸阴离子中的羰基氧原子和水分子中的氧原子形成四配位的平面正方形结构,明显的分子内和分子间氢键将2个铜原子连接起来形成了二聚体.     

邻苯二甲酸根桥联铜多聚配合物的谱学性质与成键状况

对邻苯二甲酸根桥联铜多聚配合物{[Cu(phth)(phen)(H_2O)」·H_2O}(Phth表示邻苯二甲酸根二阶阴离子;phen表示1,10-邻菲咯啉)进行了红外光谱和紫外可见光谱研究,探讨了配位中心铜(Ⅱ)离子的成键状况。结果表明,铜与配位原子N、O形成一个畸变的四方锥结构。     

4,4’-二偶氮苯重氮氨基苯与铜的显色反应

在Triton X-100存在下,研究了4,4’-二偶氮苯重氮氨基苯(BABAB)与铜的显色反应.在pH=10.0~11.5的Na284O7-NaOH缓冲溶液中,试剂与铜(Ⅱ)形成2:1型深红色配合物,其表观摩尔吸光系数达1.23×105L·mol-1·cm-1.Cu2+的浓度在0～400μg·L-1范围内符合比耳定律.     

富勒烯与药物化学

本文综述了水溶性富勒烯衍生物的制备以及它在药物化学方面的应用。     

嘧啶环二炔氮桥C60衍生物的合成及非线性光学性质

合成了嘧啶环二炔氮桥C₆₀衍生物C₆₀NPD ,研究了在532nm、脉宽 8ns条件下的非线性光学特性。通过Z-扫描实验发现C₆₀NPD有很强的非线性吸收和非线性折射,并获得了三阶非线性光学系数χ⁽³⁾ 。同时也研究了光限幅特性，实验结果表明C₆₀NPD有较低的光限幅箝位值。     

在Co2+注入修饰电极上米托蒽醌的电化学行为及其应用

米托蒽醌(MX)在0.005mol*L-1 Tris-0.05mol*L-1 NaCl (pH7.1)缓冲溶液中, 在Co离子注入玻碳修饰电极(Co/GCE)上,有一灵敏的伏安还原峰,峰电位为-0.68V,峰电流与MX的浓度在1.8×10-7～9.0×10-6 mol*L-1 间呈线性关系,检出限为9.0×10-8 mol*L-1.将该法用于病人尿样的测定,回收率为94.6%～105.7%. 用线性扫描和循环伏安法研究该体系的电化学行为和电催化.实验表明,体系为不可逆过程.Co/GCE上的电流比GC电极的大,扫速对催化效率的影响实验证明,存在着催化作用.X射线光电子能谱(XPS)和俄歇电子能谱(AES)实验表明,Co确实被注入在GC表面,注入的Co催化了MX的还原.     

玻璃陶瓷基板上铜薄膜的化学气相沉积

使用低介电常数基板和高电导率、高抗电迁移的金属Cu进行布线,可以提高高密度电子封装的传输速度和可靠性。采用乙酰丙酮铜作为前驱体,在常压下利用化学气相沉积技术对玻璃陶瓷基板进行Cu薄膜金属化。利用热重分析、X射线衍射和扫描电子显微镜等技术对前驱体、Cu薄膜进行分析观察。结果表明:影响Cu导体的电阻的主要因素是沉积温度。在温度为290～310℃,N2气流量为200～350mL/min和H2气流量为450～600mL/min的条件下,获得了致密的Cu薄膜,Cu导体方块电阻为25mΩ。