两样本对称统计量的Berry-Esseen定理

在适当的矩条件下。证明了两样本对称统计量的Berry—ESseen定理．作为该定理的推论。还得到了广义U-统计量正态逼近的速度．     

(E)-3-(3,4-二甲氧基苯基)-2-氰基丙烯酸乙酯的合成和晶体结构

标题化合物C14 H15O4N(3)是由 3,4 二甲氧基苯甲醛 (1) 与氰乙酸乙酯 (2 ) 在KF/蒙脱土催化下以N ,N 二甲基甲酰胺 (DMF)作溶剂反应而得 .结构通过单晶X射线衍射分析确定 ,其晶体属于单斜晶系 ,空间群P2 1/n ,a =1.310 1(3) ,b =0 .80 32 (2 ) ,c =1.385 4 (2 )nm ,β =114 .2 1(1)° ,Mr=2 6 1.2 7,V =1.32 96 (5 )nm3 ,Dc=1.30 5 g/cm3 ,Z =4 ,μ(MoKα) =0 .0 96mm-1,F(0 0 0 ) =5 5 2 .晶体结构用直接法解出 ,使用全矩阵最小二乘法对原子参数进行修正 ,最后的偏离因子R =0 .0 398,RW =0 .0 816 .单晶X衍射分析表明标题化合物为 (E)式异构体产物 ,说明该反应具有立体选择性 .     

接地电阻对放电击中点的影响

采用对比性试验,研究了接地电阻对火花放电击中点的影响.试验结果和观测均表明,接地电阻能抑制从接地端产生的迎面放电的发展速度和通道强度,从而使其被击中概率下降,负极性比正极性下接地电阻对火花放电击中点的影响要显著得多.     

二层底框混合结构抗震设计概述

在《建筑抗震设计规范（GBJ11－89）》中与底层框架砖房有关的条文规定和大量实际工程设计的基础上，对底部2层框架砖房的抗震设计问题进行探讨。     

杂环基二硅烷的合成与波谱表征

由2—噻吩基锂和N-吡咯格氏试剂分别与氟五甲基二硅烷反应,制得了2—噻吩基、五甲基二硅烷(Ⅰ)和N-吡咯基五甲基二硅烷(Ⅱ)。两种二硅烷都是无色液体。Ⅰ在室温下空气中是稳定的,Ⅱ在空气中逐渐转变成绿褐色。元素分析,IR,~1H MR和MS分析证实了其结构。Ⅰ和Ⅱ的最大紫外吸收峰分别为242.0nm和220.1nm。     

MFRG-DPIR FOR THE DISORDERED TRANSVERSE ISING MODEL

A new approximate scheme which is combined by the mean-field renormalization group theory (MFRG) with the discretized path-integral renormalization (DPIR) is employed in the study of the disordered tranverse Ising model (TIM). The critical properties of random-bonds Ising systems on a d-dimensional lattice are calculated with this new approximate scheme.     

关于邻域问题的一点讨论

本文主要证明了两条结论；一是当f属于a级星象函数族S^n(a)时，以f为心，a/4为半径的邻域U4^n(f)包含于星象函数S^n；二是当f属于星象函数族S^n(1，1/2)时，以f为心，1/8为半径的邻域包含于星象函数族S^n。．另外还利用颜黎的一个结论得到一条邻域性质。