多层3D芯片中硅通孔分布优化的改进算法

3D芯片中硅通孔(TSV)的位置分布会对总线长造成很大影响,所以对于TSV位置分布的优化有许多算法,逐层进行TSV分配只能做到局部优化.提出用逆向重分配的方法对已有算法结果进一步优化以达到减少总线长的目的.同时提出了一种快速重分配以提高深度优化的运行时间.实验结果表明,对比逐层TSV分配方法,此逆向重分配方法可减少3.7%的总线长;此方法亦可对其他TSV分配算法(如逐网TSV分配、拉格朗日松弛算法等)所得结果作进一步线长优化;而快速重分配可将逆向重分配的运行时间降低为原来的10%.     

通孔微结构对Cu/低-k应力诱生空洞的影响

基于Cu的随动强化模型,采用有限元分析方法,对不同Cu/低-k通孔微结构中的应力情景进行模拟分析,探讨了因互连通孔和通孔阻挡层形成工艺的波动性,造成通孔高度、通孔沟槽深度和通孔底部阻挡层厚度的变化,以及这一变化对互连通孔和通孔底部互连应力诱生空洞的影响.结果表明:Cu/低-k互连中的通孔微结构效应,是影响互连应力和形成...     

微装配检测棱镜机构方位调整及误差分析

棱镜机构是实现对位的关键部件.为提高对位精度,在棱镜的棱脊倾斜和偏转状态下,应用动态光学理论推导出反射光线实际出射方向与理想出射方向的角度偏差以及实际图像与理想图像相对位置偏差的计算公式.提出了利用高精度、高速度的数字测微计和显微视觉系统分别实现棱脊倾角和偏转角的两步检测与调整的方法.通过实验和误差分析,验证了上述计算和调整方法的有效性.     

PI-TSV等效热导率提取与验证

与传统的T/R组件相比,采用转接板技术实现的2.5D集成硅基T/R组件体积更小,集成度更高,散热性能更好.硅通孔（through-silicon-via,TSV）是其中的关键结构.本文针对2.5D集成的复杂T/R组件难以直接建模进行有限元热学仿真的问题,通过提取TSV等效热导率的方法简化仿真.对聚酰亚胺（Polyimide,PI）作为绝缘介质层的硅通孔（PI-TSV）进行了相应的有限元数值模拟,并改变结构参数,研究了不同结构因素对PI-TSV等效热导率的影响.给出了PI-TSV等效热导率关于中心导电铜柱直径、绝缘介质层厚度及TSV间距的经验公式.      

2.5D集成电路中低阻硅通孔的电学性能研究

2.5D集成技术（转接层技术）可以实现不同芯片间的异质集成,基于低阻硅通孔（TSV）的转接层利用了低阻硅的良好导电性,可以代替铜基硅通孔,具有工艺简单、成本低廉的优点.本文对低阻硅通孔进行了电磁学仿真,在1 GHz时,回波损耗S₁₁为-24.7 dB,插入损耗S₂₁为-0.52 dB基本满足传输线的要求.提出了等效电路模型,与电磁仿真结果对比,具有较好的一致性,可以实现在0.1~10 GHz带宽内的应用.最后对低阻硅通孔进行了TDT/TDR及眼图仿真,结果表明虽然低阻硅通孔的电阻对压降有较大影响,但是寄生电容的影响相对较小.      

二维人物动画中唇型对位的解决方案

针对二维人物动画中唇型对位难以操作及工作任务繁重的问题,在遵循人物口型与声音匹配原理的基础上,结合Toonboom Studio的自动唇型对位的功能,提出了以软件自动匹配为主,手动调节为辅的解决方案.实验结果表明,此方案操作简单、快捷,工作效率提高显著,是Windows平台上较好的解决方案之一.     

电视散文意境的营造方式

电视散文是从文学散文发展而来的一种新的文学样式。电视散文意境具有自己的营造方式，其方式为：正对与偏对、连对与跳对、显对与隐对。     

破碎机固定调节锤头跑道装置联接孔工艺的改造

针对工作中用以联接固定调节破碎机锤头位置的跑道装置与破碎机外壳的高强度螺栓损坏后,造成的问题,进行了设计改造。     

异形多通孔催化剂工程研究II. 12孔及24孔α-Al2O3颗粒曲折因子测定

采用色谱法，在单颗粒线反应器中对两种异形多通孔催化剂的曲折因子进行了测定。通过计算机数据采集、处理系统处理实验数据，得到两种催化剂的曲折因子分别为：12孔环柱形颗粒δ=2.55，24孔环柱形颗粒δ=2.43。     

p,p''''-二取代Schiff碱类化合物的电子结构及构像

用AMI方法计算8个对位取代Schiff碱分子的电子结构．结果表明，当对位取代基R1和R2不同时，引起2个苯环(A，B)不同程度的旋转，使分子具有不同的构像；且取代基的吸电子能力愈强，分子的极性愈大．