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31.
从帽身与帽沿的需求出发,利用图像形态变换实现帽饰图案的变形与对位。阐述了扇形几何形态变换的原理,利用直角坐标与极坐标的坐标转换关系实现图像像素点位置的匹配;分别从彩色图像的RGB 3个通道对图像形态进行变换,形成多通道扇形灰度图;在此基础上,将多幅灰度图像再合成真彩色图像,最终实现彩色图案在样板间弧线联接处的准确对位。此研究有利于提升传统纹样设计、加工效率和外观效果,为纺织品的快速化生产提供技术支持。 相似文献
32.
β-苯乙醇对位硝化工艺研究 总被引:1,自引:0,他引:1
β-苯乙醇在浓硫酸催化下与乙酸酐发生酯化反应,然后与硝酸和硫酸组成的混酸发生对位硝化反应,再用氢氧化钠水解合成对硝基-β-苯乙醇,讨论了反应温度、反应时间、硝酸用量对硝化反应收率的影响,在优化条件下平行实验结果表明,对硝基-β-苯乙醇的总收率和纯度分别达到71.7%、98.3%。经IR、元素分析证实了其结构。 相似文献
33.
为了消除LTCC中的寄生效应,必须优选电路及布线设计,并合理地选择材料,采用加工精度更高的工艺.描述了在材料及其过程研究中的进展,包括收缩、通孔对位、RLC的精确控制和细线制造. 相似文献
34.
本文对玻璃通孔与硅通孔垂直互连结构进行了电磁场仿真,并对比了两者的高频传输特性,结果显示在20GHz处,玻璃通孔与硅通孔的插入损耗分别为-0.024dB和-1.62dB,玻璃通孔的高频传输性能明显优于硅通孔.基于光敏玻璃衬底,采用高刻蚀速率的湿法腐蚀方法,获得了深宽比为7:1的玻璃通孔,孔阵列均匀性良好,侧壁粗糙度小于1μm.对不同电流密度下的玻璃通孔填充工艺进行了仿真分析,结果显示在小电流密度下,开口处的电流密度拥挤效应改善明显,铜层生长速度更为均匀,但沉积速度较慢.基于仿真结果,进行了电流密度为1ASD下的通孔填充实验研究,结果显示填充效果良好,120μm的TGV中铜层生长均匀,70μm的TGV中的缝隙较小. 相似文献
35.
硅通孔(through-silicon-via,TSV)是三维集成技术中的关键器件.本文对低阻硅TSV与铜TSV的热力学特性随各项参数的变化进行了比较.基于基准尺寸,比较了低阻硅TSV和铜TSV在350℃的工作温度下,最大von Mises应力和最大凸起高度之间的不同.基于这两种结构,分别对TSV的直径、高度、间距进行了变参分析,比较了不同参数下,两种TSV的热力学特性.结果表明,低阻硅TSV具有更好的热力学特性. 相似文献
36.
利用语音识别技术,依英语发音的特有性,搭建完整合理的计算机辅助英语发音评测系统。整个系统包括3个部分:语音段验证、语音信号切割和发音评测。其中语音段验证利用置信度评估的技术,并依据置信度阀值对评测语音内容是否需要评测做出判断;语音信号切割是以预先训练好的英语发音声学模型为切割依据,通过强制对位的方式切割出正确的发音区段;英语发音评测是系统的核心,使用的评测方式是比较评测语音和标准语音的相似度,采用4个评测特征:发音完整度、韵律性、语速和准确度进行发音相似度评测。针对不同的特征参数设计合理的评测机制,并对4个特征参数进行加权运算,以建立一个完整合理的英语发音评测系统。实验证明,系统能够给出比较客观的评分,达到预期设计目标。 相似文献
37.
拐弯优化是布线阶段考虑的重要问题之一。该文提出了一种考虑拐弯优化的总体布线算法BDRouter来同时考虑减少布线拐弯数和拐弯密度。这有助于在布线阶段减少通孔并给必要的通孔增加可能的冗余通孔位置,以此来增强可制造性、可靠性和提高成品率。实验测试表明:该文算法与已有典型算法相比,在线长不增加或增加不超过10%的前提下,能够减少约50%的拐弯数,并降低约20%的拐弯数标准差。 相似文献
38.
本文详细分析了由Bosch 刻蚀形成的侧壁形貌的粗糙度(Sidewall Roughness)对硅通孔(TSV)互连结构高频性能的影响,并通过全波电磁场仿真软件HFSS将粗糙侧壁TSV互连结构与平滑侧壁TSV互连结构的传输特性进行了详尽的对比,仿真结果显示,在相同的条件下,粗糙侧壁TSV结构的插入损耗比光滑侧壁TSV结构增加了15%,并且随着侧壁形貌粗糙度的增加,TSV互连结构的高频性能恶化更加严重。最后,文章通过对二氧化硅绝缘层厚度和TSV直径对TSV互连结构高频性能的影响,提出了补偿侧壁粗糙度对高频性能产生的不良影响的方法,为TSV电学设计提供参考依据。 相似文献
39.
提出了一种基于对位学习多目标遗传算法的板形板厚控制系统设计方法。该方法给出了控制系统的结构,建立了板形板厚控制器参数的多目标优化模型,并采用对位学习多目标遗传算法对该模型进行多目标优化,得到一组控制器参数的Pareto解。在其中选择三个Pareto解对应的控制器参数,作用于板形板厚控制系统做仿真研究。结果表明,所得到的Pareto解集中选定区域的解都可以使系统具有满意的性能,并且对扰动有较好的抑制作用,证实了该方法的有效性。 相似文献
40.
互连温升越高, 引起的互连温度效应越明显. 通孔具有相对较高的热导率, 可以成为有 效的热传导途径, 极大地降低互连平均温升. 针对通孔这一特性引入虚拟通孔, 建立考虑多虚 拟通孔效应的互连平均温升模型. 所提模型将多通孔效应整合到层间介质的有效热导率中得到 更为精确的结果. 此外根据不同的层间介质材料对多通孔效应进行分析讨论, 并对多通孔效应 进行扩展应用, 得出使互连平均温升最小时的通孔间距与通孔数量. 所提模型应用到集成电路 设计中可以提高电路设计的精确度, 优化电路性能. 相似文献