■注入Si 的晶格应变与扩展电阻

本文用全自动化x射线衍射仪给出了As~+注入Si的x射线衍射峰分布。用Levenberg-Marguarat法模拟实验曲线,根据x射线衍射的运动学理论,在试探应变函数和多层模型的基础上,通过自编程序计算给出了As~+注入Si后晶格变随注入深度、注入剂量和退火温度的变化。同时,测量了As~+注入Si后在不同温度下的扩展电阻,将扩展电阻换算成电阻率。结果表明,离子注入引起晶体微观结构的变化——晶格应变与晶体宏观电学性质——电阻率的变化基本上一致。     

晶体和退火对FeSiB合金居里温度的影响

在热重分析系统上进行磁热重分析（ＭＴＧＡ）,测量非晶ＦｅＳｉＢ合金升温过程的比饱和磁化强度随温度变化σ－ｔ曲线及（ｄσ／ｄｔ）－ｔ曲线,它比ＤＳＣ分析能更加明显的区分晶化过程的各个阶段,结果表明,样品升温过程经历了６个阶段的变化;并且发现,在晶化温度ｔｘ以下约１５０℃温区内等温退火的样品,居里温度ｔｃ随退火温度ｔａ增大而升高,在４３０℃附近ｔｃ上升出现拐点。（ｄσ／ｄｔ）－ｔ曲线的极小温度峰温ｔｍ     

高温均质化退火对NiPtB合金组织及溅射成膜性能的影响

利用真空熔炼技术制备NiPtB合金铸锭,分别采用直接中温轧制和高温均质化退火+中温轧制对该合金铸锭进行处理,分析对比两种处理手段对NiPtB合金铸锭组织与性能的影响。结果表明：合金铸态组织的不均匀性难以通过直接中温轧制消除;高温均质化退火可使NiPtB合金组织更加均匀;退火后的NiPtB合金经轧制后,组织均匀性提升,轧面晶粒主要为{100}和{111}取向;相比于直接轧制态,退火+轧制态样品具有更高的硬度和更好的溅射成膜性能。     

离子注入方法制备半导体一维量子线

使用质子Ｈ￣＋和聚焦Ｇａ￣＋离子束方法，在ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱材料上制备半导体一维量子线。通过低温阴极射线发光谱和光致发光谱，测量了由于Ａｌ从ＡｌＧａＡｓ势垒向ＧａＡｓ量子阱内扩散导致的发光谱峰的兰移，并讨论上述两种离子注入方法各具有的特点及不同的结果。     

毛圈织物剪毛机刀颤与烧刀问题的探讨

毛圈织物剪毛机负荷量较大,本文通过对刀颤和烧刀现象分析,并在理论计算的基础上确定了螺旋刀和平刀正确剪毛角区域,在生产中取得了明显效果,并具有较普遍的意义.     

超纯净Ti-IF冷轧薄板的组织与性能

选择本溪钢铁公司特有的纯铁原料炼制超纯净TiIF钢并加工成板,探讨了不同工艺参数对板材显微组织和性能的影响·结果表明,适于本钢CDCM+罩式退火的TiIF冷轧薄板的生产工艺为:890℃终轧→680℃卷取→80%压下率冷轧→710℃,Δhr退火,可使超纯TiIF深冲钢板的屈强比σs/σb=03～04应变硬化指数n≥03·     

基于遗传模拟退火算法的带约束换热网络综合问题

对大规模换热网络综合ＮＰ－困难问题,构造一新模型,并证明了新模型与原问题的等价性,由于新模型不仅能计算出优化变量所在的可行域,避免了传统遗传算法应用惩罚函数的方法处理约束条件时产生的大量不可行解的缺陷,而且新模型中的优化变量数成倍减少,增强了遗传算法获得全局最优解的能力。     

强磁场退火对FePt薄膜结构与磁性能的影响

为减少FePt纳米薄膜退火过程中晶粒团聚长大,进行了在外加强磁场条件下的退火实验。对化学法制备的FePt纳米薄膜,经热处理后外加磁场,并使用X射线衍射仪、透射电子显微镜、扫描电子显微镜、振动样品磁强计表征薄膜的结构、晶粒尺寸和磁性能。实验发现:外加7.96MA.m-1磁场450℃退火,样品即开始有序化相变;外加7.96MA.m-1磁场600℃退火,样品有序度要高于常规退火样品;外加1.59～6.37 MA.m-1磁场550℃退火,样品晶粒明显细化、矫顽力明显提高。因此,强磁场退火能降低FePt薄膜有序化相变温度,提高有序度、细化晶粒和提高矫顽力。     

退火温度对单向纤维晶纯铜线材组织性能影响

对退火前后单向纤维晶纯铜线材组织进行了观察，测试了其力学与导电性能，结果表明：在300℃以下退火时，线材的金相显微组织与退火前相比没有明显变化，仍然保持为连续纤维晶，其抗拉强度有所下降，延伸率有所增加；在400℃退火时，线材发生完全再结晶，且有孪晶生成；500％退火时，再结晶晶粒长大；在400℃以上退火时，抗拉强度大幅度下降，延伸率显著增加；在200～400℃的范围退火时，电导率增加，但增幅较小。     

纳米ZnO的制备及Raman光谱分析

研究利用Raman光谱详细表征了液相法制备的纳米ZnO粉末的晶格振动情况,研究了退火温度等实验制备参数对纳米ZnO的结晶情况的影响.分析表明,退火温度对制备纳米ZnO粉末非常重要,当退火温度为550℃时可以制备高纯度、结晶情况良好的纳米ZnO粉末.