设计自适应IIR滤波器的单纯形-退火策略

作为信号处理领域的重要研究课题 ,滤波器设计本质上是一个多维参数寻优问题 ,且往往存在多极小。传统最小二乘法和单纯形法易陷入局部极小 ,而单一模拟退火算法搜索过程冗长 ,单一遗传算法易早熟收敛。结合模拟退火的随机概率突跳性搜索和单纯形法的凸多面体几何搜索 ,提出了有效设计自适应IIR滤波器的一种简单易实现的单纯形 退火策略 (simplexmethod simulatedannealing ,SMSA) ,并给出了算法操作和参数的合理设计方案。基于多个典型系统的随机数值仿真以及与最小二乘方法的比较研究 ,验证了所提方法的有效性、全局优化性和初值鲁棒性。     

热分析法探测固体核径迹的可行性论证

从理论与实验两个方面讨论了利用热分析法探测固体核径迹的可行性, 并将热分析法探测固体核径迹与光学显微镜计数固体核径迹的方法进行比较, 得出用热分析法探测固体核径迹是一种可行的固体核径迹探测方法.     

冷轧低合金高强钢再结晶和析出行为研究

利用热模拟试验机研究了冷轧低合金高强钢的再结晶动力学规律,并基于JMAK方程建立了再结晶动力学模型,为退火过程中铁素体再结晶和析出行为的控制提供了理论依据.结果表明,随退火温度升高,铁素体达到完全再结晶时所用时间大大缩短;冷轧压下量相同时,初始贝氏体组织具有更高的位错密度和储存能;80℃/s快速加热条件下,回复和再结晶过程相应同步提前,且再结晶发生前的剩余变形储能增大,从而使铁素体再结晶快速完成.同时新工艺下实验钢析出粒子尺寸更均匀,体积分数更高,析出强化贡献更明显.     

临界间退火对低合金TRIP钢奥氏体等温转变动力学的影响

用膨胀法及金相法研究了20Mn2SiMoV钢经780℃界间退火后奥氏体在600-650℃以及320-450℃温度区间的等温转变动力学。结果表明，经780℃不完全奥氏体化，过冷奥氏体的稳定性增强，奥氏体分解的高温转变和中温转变孕育期与完成时间都延长，而且高温转变区和中温转变区明显分开，贝氏体区奥氏体转变具有不完全性。临界间退火后过冷奥氏体的高温转变产物为铁素体与珠光体，中温转变产物为铁素体、贝氏体、马氏体和残余奥氏体的混合组织。     

NiSi薄膜的拉曼研究

在Si(100)衬底上通过电子束蒸发法外延生长晶体取向单一的NiSi薄膜材料. 利用极化拉曼实验分析技术并结合群论以及晶格振动理论对NiSi薄膜拉曼峰的对称性进行指认. 在此基础上计算了各类声子峰对应的晶格振动模式. 我们还讨论了两种不同的激光退火方法对晶体质量的影响.     

■注入Si 的晶格应变与扩展电阻

本文用全自动化x射线衍射仪给出了As~+注入Si的x射线衍射峰分布。用Levenberg-Marguarat法模拟实验曲线,根据x射线衍射的运动学理论,在试探应变函数和多层模型的基础上,通过自编程序计算给出了As~+注入Si后晶格变随注入深度、注入剂量和退火温度的变化。同时,测量了As~+注入Si后在不同温度下的扩展电阻,将扩展电阻换算成电阻率。结果表明,离子注入引起晶体微观结构的变化——晶格应变与晶体宏观电学性质——电阻率的变化基本上一致。     

晶体和退火对FeSiB合金居里温度的影响

在热重分析系统上进行磁热重分析（ＭＴＧＡ）,测量非晶ＦｅＳｉＢ合金升温过程的比饱和磁化强度随温度变化σ－ｔ曲线及（ｄσ／ｄｔ）－ｔ曲线,它比ＤＳＣ分析能更加明显的区分晶化过程的各个阶段,结果表明,样品升温过程经历了６个阶段的变化;并且发现,在晶化温度ｔｘ以下约１５０℃温区内等温退火的样品,居里温度ｔｃ随退火温度ｔａ增大而升高,在４３０℃附近ｔｃ上升出现拐点。（ｄσ／ｄｔ）－ｔ曲线的极小温度峰温ｔｍ     

高温均质化退火对NiPtB合金组织及溅射成膜性能的影响

利用真空熔炼技术制备NiPtB合金铸锭,分别采用直接中温轧制和高温均质化退火+中温轧制对该合金铸锭进行处理,分析对比两种处理手段对NiPtB合金铸锭组织与性能的影响。结果表明：合金铸态组织的不均匀性难以通过直接中温轧制消除;高温均质化退火可使NiPtB合金组织更加均匀;退火后的NiPtB合金经轧制后,组织均匀性提升,轧面晶粒主要为{100}和{111}取向;相比于直接轧制态,退火+轧制态样品具有更高的硬度和更好的溅射成膜性能。     

离子注入方法制备半导体一维量子线

使用质子Ｈ￣＋和聚焦Ｇａ￣＋离子束方法，在ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱材料上制备半导体一维量子线。通过低温阴极射线发光谱和光致发光谱，测量了由于Ａｌ从ＡｌＧａＡｓ势垒向ＧａＡｓ量子阱内扩散导致的发光谱峰的兰移，并讨论上述两种离子注入方法各具有的特点及不同的结果。