CdTe薄膜的制备和后处理研究

用近空间升华法制备CdTe薄膜，研究了在不同衬底材料、基片温度下薄膜的微结构、衬底温度在400℃以上薄膜结晶状况较为完整。结晶状况较好的CdS薄膜上生长的CdTe薄膜晶粒较大，尺寸均匀。对CdTe薄膜进行了加热后处理研究。结果表明，加用CdCl2有助于热处理过程中薄膜晶粒的生长。     

120keVH^＋离子注入C60薄膜中的辐照效应

研究高能离子与C60晶体相互作用，是认识高能离子与凝聚态物理相互作基本规律和开发应用C60分子材料的基础，对实现C60分子掺杂以及这种材料开发应用都具有十分重要的意义，利用120keVH^ 离子注入C60薄膜，系统研究不同注入剂量对C60薄膜结构的影响，用Raman散射技术分析了H^ 离子在C60薄膜中引起的辐射效应，分析结果表明，H^ 离子辐照会影响C60薄膜结构，使C60薄膜产生聚合和薄膜非晶碳化现象，上述现象产生与辐照注入离子的辐射剂量有关，在整个辐照过程中电子能损起主导作用，电子能损有明显的退火效应，致使C60由晶态向非晶态转变过程中，经历了一个石墨化的中间过程，即晶态C60分子→石墨化→非晶碳这一过程。     

新型高速铜管拉伸工艺润滑油研制

高品质、多功能工艺润滑油是高速铜管拉伸生产中的必需品．作者通过计算塑变区处于全膜润滑时的粘度条件,发现在实际生产中塑变区处于混合润滑状态,并由此提出了一种新型工艺润滑油的配方模式．由边界润滑理论分析和实验研究确定了润滑油的组分和含量．工业试验结果表明,这种新型工艺润滑油具有优良的润滑性能和清净退火性,达到了Ｍａｓｔｅｒｄｒａｗ５６６润滑油的水平．     

光照和退火对非晶硅场效应管特性的影响

氢化非晶硅（ａ－Ｓｉ：Ｈ）场效应晶体管（ＦＥＴ）的特性对环境因素较为敏感，光照、湿度和温度等都会对其产生影响。该文介绍光照和退火引起的氢化非晶硅场效应晶体管场效应特性的变化。长时间使用ＡＭＩ标准光源光照和３５０℃以上的温度退火都引起了样品场效应特性的较大变化，光照２ｈ使得样品开启电压从６Ｖ增大到１９Ｖ，场效应特性曲线向栅压较大的方向平移，而４７０℃的高温退火则使该样品的场效应特性曲线形状发生了极大的变化，栅电压的控制作用减弱。最后根据ａ－Ｓｉ：Ｈ的价键模型对此进行了讨论。     

铝板冷轧磨损及磨损机制

本文通过测定轧件相对质量磨损量和对轧后轧件表面扫描电子显微观察,研究了道次压下率、工艺润滑剂粒度和添加剂对磨损的影响,以及冷轧铝板的磨损机制。     

CoSi2／Si结构中杂质离子注入及自对准硅化物MOS器件技术

研究了一种新型自对准硅化物ＭＯＳ晶体管制备技术，通过Ｃｏ／Ｓｉ固相反应在源漏区和栅电极表面形成一层自对准的低电阻率ＣｏＳｉ＿２薄膜，在ＣｏＳｉ＿２／Ｓｉ结构中进行杂质离子注入，用计算机模拟程序对离子注入杂质分布及损伤进行计算，选择适当的注入能量，使注入的杂质浓度峰值位于ＣｏＳｉ＿２／Ｓｉ界面附近，经快速退火，可获得界面载流子浓度较高、性能优良的增强型和耗尽型ＮＭＯＳ晶体管。该文还研究了注入在ＣｏＳｉ＿２／Ｓｉ结构中的杂质在不同的热处理条件下的分布变化，结果表明，磷在热处理过程中，存在向硅衬底较强的扩散趋势，而硼则明显不同。     

人造白宝石的内应力消除技术

本文介绍了焰熔法生长人造宝石的情况，针对应用该法生长的人造宝石具有较大的内应力，提出了应用铝丝炉退火消除内应力的工艺要求和设备设计，并制作了实用的温度控制系统．     

高性能Nd－Fe－B永磁合金

研究了干磨和湿磨，烧结和后烧工艺对磁体性能及氧含量的影响．磁体的氧含量主要来源于制粉阶段．干磨工艺磁体氧含量比湿磨磁体氧含量少一半多．合理的烧结与后烧工艺对磁体氧含量影响不大．合金锭中α－Ｆｅ的减少可改善磁体性能．Ｎｄ１４．５Ｆｅ７９Ｂ６．５磁体性能为ｉＨｃ＝６９６ｋＡ／ｍ，Ｂｒ＝１．３９Ｔ，（ＢＨ）ｍａｘ＝３６８ｋＪ／ｍ３．     

关于国内硅钢薄板高温退火工艺的建议

本文利用对比试验,指出了国内硅钢薄板高温退火工艺未能使硅钢获得足够磁感问题的关键,即在于高温退火所用氢气氛含有杂质。并对如何改善工业生产提出了建议。