热处理对铁磁性合金阻尼特性的影响

本文研究了退火温度等因素对Ｆｅ－Ｃｒ－Ｓｉ－Ｍｏ、Ｆｅ－Ｃｒ－Ｃｏ、Ｆｅ－Ｃｒ－Ａｌ铁磁性合金阻尼特性的影响。在磁畴不可逆移动力理论基础上，较深入地探讨了磁－机械滞后产生内耗的机理。在兼顾合金其它性能的同时，确定了合金具有高阻尼特性对应的退火温度及该合金的使用温度范围，为寻求高阻尼特性的铁磁性合金做了有益的探索。     

提高可锻铸铁零件质量的研究

本文介绍一种提高可锻铸铁零件质量的热处理方案,经过这种处理,性能指标抗拉强度可达600——700MN/m~2,延伸率可达7—9％,布氏硬度可达201—270。     

最佳退火降温速率时间函数及一些类似过程分析

1 最佳降温率数年前,顾世洧建立了在半导体器件生产中用控制降温速率达到消除晶体缺陷的最佳件: dT/dt=-AnvT~2exp(-U/kT) (1) 式中T为退火过程中的温度;t为降温时间;n为杂质原子密度;v为近邻原子振动频率;U为迁移势垒高度Uk为玻尔兹曼常数;A为一综合常数,为正数。详见文献[1]。本文稍有改动是为简化表达。     

非晶硅低温退火固相晶化的研究

从PECVD法制取的n~+与n/n~+两种结构的a-Si:H试样,采用低温退火固相晶化工艺,得到了满足器件质量要求的大晶粒多晶硅膜。测试结果证实:在N_2气氛下,经6—10h的600℃(或800℃)温度的退火后,两种a-Si:H膜均已明显地晶化.测得了晶化膜的粒径>lμm,暗电导率、光电导率均比退火前增加了3个数量级,迁移率则增加了10—80倍。     

一种冷轧高强钢板的纳米析出物

在研究纳米析出强化热轧钢板的基础上,对该钢板进行了冷轧退火试验研究。采用透射电镜(TEM)和能谱分析等方法分析了析出物的分布和形貌,测定了两种纳米析出物的成分。结果表明,试验钢经退火处理后存在着两种形状的析出物,矩形析出物尺寸为30~50 nm,主要由TiN组成;圆形析出物为5~10nm,主要由TiC组成。这些析出物的出现将直接影响实验钢的性能及应用。     

Mev^28Si^＋注入GaAs的退火行为

报导 MeV 硅离子注入半绝缘 GaAs 的快退火行为,根据缺陷作用原理分析了硅的不均匀激活和载流子分布特征.指出应按载流子浓度、迁移率、埋层电阻和击穿等特性综合评价深埋层和近表面层的品质,优化注入和退火参数.     

硅中离子注入层的卤钨灯辐照快速退火研究

本文研究了硅中离子注入层的卤钨灯辐照快速退火,对注B 和注P 样品分别测量了经1100℃、15秒和1050℃、12秒退火后注入层的载流子浓度分布,并与950℃、30分钟常规热退火样品作了比较;结果表明,卤钨灯辐照快速退火具有电激活率高、注入杂质再分布小及易于推广使用等优点.对于100keV、1×10~(15)cm~(-2)P 注入样品,经1050、10秒卤钨灯辐照退火后,表面薄层电阻为74.8Ω/□;对通过920(?)SiO_2膜,25keV、1×10~(15)cm~(-2)B 注入样品,经1100℃、15秒卤钨灯辐照快速退火后表面薄层电阻为238.0Ω/□;而经过950℃、30分钟常规热退火后,以上两种样品的表面薄层电阻分别为72.0Ω/□和245.8Ω/□.采用这种退火方法制作出了结深为0.10μm 的近突变P~ N 结,并测量了结深与退火时间的关系.     

离子注入白光退火技术和浅结工艺的研究

利用白光快速退火设备研究了白光退火特性,得到As通过siO_2注入Si制备0.1～0.15μm无缺陷浅结的最佳条件.发现As通过SiO_2注入的样品退火后其载流子浓度分布出现双峰现象,进而提出了分析这种现象的增强扩散模型.还发现B+As双注入的样品经瞬态退火后消除了减速场.     

Cu对高压电解电容器阳极铝箔再结晶织构的影响

采用织构定量检测等方法研究了铜元素对高压电解电容器阳极铝箔立方织构的影响, 讨论了相关的影响原理.结果表明, 微量铜元素的变化会改变其在位错附近的偏聚状态, 进而影响轧制铝箔的塑性变形过程和取向分布状态, 因此铜元素会影响其再结晶行为和退火铝箔的立方织构量.较低的铜含量和较高的晶粒长大温度有利于立方织构占有率的提高.