C-Mn钢冷轧薄板等温退火微观组织演变

利用光学显微镜,探讨等温退火工艺中退火温度和保温时间对C-Mn钢组织的影响,尤其是对铁素体再结晶、魏氏体和托氏体相变的影响。研究结果表明:加热温度在750℃以下时,以铁素体回复再结晶为主,退火温度升高及保温时间延长均能增加铁素体再结晶程度,但晶粒长大不明显。退火温度在850℃以上时,相变发生在冷却过程中,以魏氏体、托氏体相变为主,且保温过程中奥氏体晶粒越大,冷却时魏氏体和托氏体转变量越多,铁素体含量越少。     

低温高磁感取向硅钢高温退火过程高斯晶粒的演变

对低温加热工艺生产的以AlN为主抑制剂的高磁感取向硅钢高温退火过程进行中断实验,借助电子背散射衍射技术对高温退火过程中高斯晶粒的演变进行了研究.在升温过程中高斯晶粒平均尺寸先减小再增大.800℃时取向分布函数图出现高斯织构组分,但强度很弱,高斯晶粒偏离角在10°以上;900℃时高斯晶粒平均生长速率超过其他晶粒;950~1000℃时高斯晶粒异常长大,偏离角3°~6°;在1000℃之前高斯取向晶粒相比于其他晶粒没有尺寸优势.     

铝膜沉积温度对非晶硅薄膜晶化的影响

采用磁控溅射(Magnetron Sputtering,MS)方法,研究了不同的退火温度及铝的沉积温度对非晶硅薄膜晶化的影响.通过扫描电子显微镜(SEM)对不同温度沉积的铝薄膜表面结构及形貌进行了分析;并利用光学显微镜,拉曼散射仪(RAMAN)对退火后的薄膜表面形态和结构进行了分析.实验结果表明:适当温度退火可以有效提高对非晶硅的诱导作用,提高铝膜的沉积温度对于非晶硅薄膜晶化有促进作用;在650℃的退火温度下增加铝的沉积温度可显著提高非晶硅的晶化效果.     

铝板表面锆化陶瓷膜的结构及性能

采用锆化工艺在铝板表面制备了陶瓷膜,用扫描电镜和能谱仪分析了陶瓷膜的组织形貌和元素成分,用电化学法研究了陶瓷膜的耐蚀性能,用附着力测定仪测试了陶瓷膜的涂装附着力性能以及用中性盐雾实验研究了涂层体系的耐盐雾性能.结果表明:铝板表面的陶瓷膜为无色的纳米膜层,主要由Zr,Si和Al的氧化物组成;锆化陶瓷膜的的耐电化学腐蚀性能优异,与环氧树脂漆或聚氨酯漆的附着力均为1级;整个涂层体系可通过600 h的中性盐雾实验.锆化陶瓷膜可以用作铝板的漆前打底膜,有望替代污染较重的磷化处理工艺.     

双重退火对形变TC4钛合金组织与性能的影响

本文研究了双重退火热处理对变形TC4钛合金显微组织及性能影响,实验结果表明:随着一重退火温度的升高,组织尺寸发生长大,分布较为均匀,材料的强度随退火温度的升高而下降,而塑性增加;双重退火后,材料内部析出次生α相数量增多,尺寸增大,得到典型的等轴α+晶间β组织,较一重退火强度有所降低,而塑性有很大的提升。     

温度导致的TiO_2薄膜结构与性能的转变

该文基于溶胶凝胶法在衬底上制备了经不同退火温度处理的氧化钛薄膜。通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)和紫外-可见分光光度计(UV-Vis),对样品形貌、结晶和光学特性进行了表征分析。结果表明,当退火温度在200～800℃范围变化时,氧化钛薄膜由非晶态到74. 7%S相和25. 3%锐钛矿的混合态,到纯锐钛矿相,再到11. 2%锐钛矿和88. 8%金红石的混合晶态依次发生变化。随着退火温度的升高,薄膜的晶粒尺寸逐渐增加,在紫外可见光波段的透过率下降、光学带隙升高,且量子尺寸效应导致薄膜的透过率峰值发生蓝移,量子效率随退火温度的升高而增加。结果表明,具有锐钛矿、金红石混晶效应的混晶氧化钛薄膜比具有S相、锐钛矿的混合态氧化钛薄膜以及锐钛矿或者金红石单一晶相的氧化钛薄膜的光吸收性能强。该文揭示了退火温度对溶胶凝胶法制备氧化钛薄膜结构及性能的影响,所制备的氧化钛薄膜为混合晶态,具有良好的光催化应用前景。     

退火温度对CH3NH3PbI3薄膜结构和性能的影响

采用真空双源共蒸发技术制备了CH_3NH_3PbI_3薄膜,研究了退火温度对CH_3NH_3PbI_3薄膜结构和性能的影响。利用XRD、原子力显微镜、紫外—可见—近红外分光光度计和霍尔效应仪研究了CH_3NH_3PbI_3薄膜的微观结构和光电性能。研究结果表明:合适的退火温度(95℃)有助于薄膜结晶度的提高,利于晶粒长大,使得晶界减少,界面处缺陷度较低,带电粒子迁移率提高。退火温度超过100℃时,薄膜热稳定性急聚下降,使CH_3NH_3PbI_3分解,部分I-以CH3NH3I的形式挥发,产生大量过剩Pb I2相,导致薄膜载流子浓度降低,导电性能下降。退火后的薄膜在可见光区域内吸收系数提高。退火温度为95℃时,薄膜禁带宽度1.66 e V最小,最接近理论值1.55 e V。     

退火温度对DC05EK搪瓷用钢贮氢性能的影响

研究了DC05EK冷轧搪瓷用钢板贮氢能力随退火温度的变化规律,分析了析出物对氢渗透时间的影响.结果表明:随着退火温度的升高,小尺寸析出物数量减少,降低了实验钢的贮氢能力,氢渗透时间缩短.退火温度在730~850℃之间,随着退火温度的提升,1mm厚实验钢板的氢渗透时间从165min下降到119min;退火温度升高至870℃,由于细小弥散析出物的反向溶解,导致氢渗透时间急剧缩短为36min,贮氢能力不足;DC05EK冷轧搪瓷用钢合适的连续退火温度范围是730~850℃.     

退火工艺对薄规格SPCC钢板组织和性能的影响

通过罩式退火模拟试验,研究退火温度和保温时间对0.3 mm厚的薄规格SPCC钢板组织及性能的影响,分析其织构随退火温度的变化规律.结果表明,经过680℃×13h退火,薄规格SPCC钢板的HV值为77.45,断后延伸率A50为45.6％;随着退火温度的升高,SPCC钢板的晶粒尺寸逐渐增大,硬度和延伸率逐渐降低;随着保温时间的延长,钢板的晶粒尺寸和延伸率略有增大,硬度有所降低,但变化幅度均较小,保温时间对薄规格SPCC钢板深冲性能的影响较小;680℃和700℃退火后,SPCC钢板的织构组分集中分布在γ取向线上,随着退火温度的升高,变形织构{112}<110>强度降低,有利织构{111}<112>强度提高.     

SiOx薄膜微结构的正电子谱学研究

实验中选择Si（N型,（100面）,3～5Ω·cm）作为薄膜样品的基底,利用射频溅射方法制备低介电常数非晶SiOx（x〈2）薄膜,并通过真空退火来改变其缺陷态．正电子湮没多普勒展宽能谱（DBS）测量在慢正电子束流装置上进行．正电子湮没结果显示随退火温度增加,SiOx薄膜中有纳米晶硅生成,使正电子的捕获缺陷减少,从而使S参数呈下降趋势．