磁场对Asperillus niger生长的影响

同一无均匀磁场用不同处理时间和方式对黑曲霉（Asperillus niger)生长有不同的影响。磁场处理其早期（0－24h）生长表现为抑制作用。当培养48h，静置处理对其生长表面为良好的促进作用，振荡处理表现为抑制作用。静置处理1h时GSase比活力,64．40％。     

一种新的SDH路由配置算法

研究了ＳＤＨ网络管理中的路由配置方法，引入了图论中的最大容量算法，作了必要的个性使之适用于ＳＤＨ光纤网的规划，并具有一定的动态性。实践表明，该算法是一种快速，有效的动态路由配置算法。     

一种非最小相位系统前馈控制器设计

讨论了对非最小相位过程，设计一种抑制可测周期扰动和跟踪周期设定值的新型前馈控制器。这种控制器给出了避免非最小相位过程零极点对消的有限脉冲响应滤波器。在过程存在不确定性时，在周期信号作用的频率域内根据过程的频率响应，设计了有效的控制器。     

具有高共模抑制比的信号隔离放大器的研制

应用差动放大器及推挽式功率放大器的原理，研制了一种具有高共模抑制比、高输入阻抗、电流驱动能力强的信号隔离放大器。作为信号源和记录仪器之间的连接仪器，这种新型仪器特别适用于现场设备的测试。     

花椰菜(Brassica oleracea var.botrytis L.)凝集素的细胞凝集和糖抑制作用的研究

花椰莱(Brassica oleracea var. botrytis L.)凝集素能凝集兔、大鼠和小鼠的红细胞,其中对兔的红细胞的凝集活性最高,最低凝集浓度为0.68μg/ml。但不凝集我们所测试的其它16种红细胞。浓度为0.1mg/ml时,花椰菜凝集素也能凝集小鼠艾氏腹水瘤细胞,S_(180)肉瘤细胞,大鼠W_(256)肿瘤细胞、人的MGC_(80-3)胃癌细胞、小鼠和大鼠的脾脏淋巴细胞、骨髓细胞以及牛精子细胞,而不凝集人的Hela细胞。该凝集素对免的红细胞的凝集活性可被L—鼠李糖和D—树胶醛糖所抑制,最低抑制浓度分别为33.3m mol/L和16.7m mol/L。     

预蠕变对应力腐蚀的抑制作用

早期工作认为,如预先蠕变足够长时间,则可抑制低碳钢在碳酸盐溶液中的应力腐蚀。对高强度钢,如加载后在干空气(如P_2O_5)中放置10min,则可抑制在水中的应力腐蚀。如果预先蠕变确实能抑制应力腐蚀或大幅度提高其门槛值,则在工业生产中为防止应力腐蚀提供了一个廉价而有效的手段。以前的工作仅是定性报道,本文将定量研究预蠕变对应力腐蚀性能的影响。     

结合平衡和滤波技术抑制GaN电源转换器的电磁干扰

针对GaN Boost型电源转换器的电磁干扰降低电源可靠性的问题,提出了一种结合阻抗平衡和滤波技术抑制GaN Boost电源转换器电磁干扰的方法。由于阻抗平衡技术利于抑制低频共模电磁干扰,而滤波技术利于抑制高频共模电磁干扰,所以将两者结合以抑制GaN Boost型电源转换器的共模电磁干扰。首先用GaN高电子迁移率晶体管搭建功率级电路;然后用耦合电感替代功率级电感,并在耦合电感的输出端加上电容以平衡寄生参数的影响;最后加入共模电感以抑制高频共模电磁干扰,综合考虑抑制效果和电路面积,合理选择滤波器共模电感值。该组合方法与阻抗平衡单项技术相比,能有效地抑制高频共模电磁干扰;与滤波器单项技术相比,减小了电路面积。仿真结果表明,抑制后与抑制前的电磁干扰相比,在200kHz~10MHz低频范围内,电源转换器的共模电磁干扰的抑制量达到40~60dB;在10~30 MHz高频范围内,电源转换器的共模电磁干扰的抑制量约为80dB。     

光周期对葛仙米生长和光合系统活性的影响

通过设置光暗比(L∶D)24h∶0h、12h∶12h和8h∶16h三个光周期处理组,对葛仙米(Nostoc sphaeroides Kutzing)依次开展了三个批次的培养,测定光周期对葛仙米生长和光合活性的影响.结果表明,24h连续光照对葛仙米生长具有显著抑制作用,不适合应用于葛仙米的长期连续批量培养中.3个光周期处理组中,葛仙米叶绿素荧光Fv/Fm在第一个培养批次中降低,但是很快都在第二个和第三个培养批次中得到缓和.葛仙米PS捕光天线色素含量的变化表明,葛仙米能够通过下调该色素的含量来降低较长光照对葛仙米光合系统的光抑制和破坏,从而获得较高的光合作用效率.     

钴负载碳气凝胶的制备与电化学性能研究

以聚丙烯腈(PAN),N,N-二甲基甲酰胺(DMF)和钴盐为前驱体,通过对有机凝胶进行高温碳化得到钴负载碳气凝胶.利用X射线衍射谱(XRD),扫描电镜(SEM),透射电镜(TEM),热重分析(TGA)和充放电测试对钴负载碳气凝胶进行结构、形貌和电化学性能的表征分析.结果表明,碳化温度影响产物的形貌及性能,其中700℃碳化的钴负载碳气凝胶钴颗粒分布最均匀,同时具有最好的电化学性能.在50mA·g^(-1)电流密度下,首次放电比容量高达983.1mAh·g(-1)电流密度下,首次放电比容量高达983.1mAh·g^(-1),经100周循环后,放电比容量仍保持在280.3mAh·g(-1),经100周循环后,放电比容量仍保持在280.3mAh·g^(-1);在500mA·g(-1);在500mA·g^(-1)大电流密度下,该材料放电比容量为105.4mAh·g(-1)大电流密度下,该材料放电比容量为105.4mAh·g^(-1),具有很好的倍率性能.