系统解耦的一种设计方法

本文给出了在多输入多输出的非解耦系统中,采用单位输出负反馈的系统结构,并且系统前向通路串入解耦补偿器组.可实现系统解耦的一种方法.并分析了系统的解耦条件和解耦补偿器的作用原理,给出了解耦补偿器传递矩阵 G,(s)的计算公式和设计方法.     

论高校实行设备有偿占有和有偿使用的可行性

本文针对我国高校实验设备利用率较低的现状,用价值工程的观点,从设备综合管理入手,采用设备折旧,实行设备有偿占有和有偿使用,从而提高设备的功能输出,有效地考核和提高设备的综合使用效益的可行性。并提出了以折旧为主线的实验设备有偿占有和有偿使用于系统功能评价框图。     

消除逆变器输出电压高次谐波的研究

本文介绍用布罗登法计算触发脉冲的角度和位置,消除逆变器输出电压高次谐波,使电压接近正弦波。文中详细论述了计算过程,并给出软件程序框图。     

多输出逻辑函数简化方法的探讨

本文提出一种用相关乘积卡诺图对多输出逻辑函数进行简化的新方法,即用一张相关乘积卡诺图便可求出所有的公有质蕴涵项,在单个函数的卡诺图上可求出最佳简化结果.文中论述了它的原理和使用方法,给出了简化步骤和优化准则,介绍了这种方法在设计中规模集成电路中的应用.     

汉-Ⅰ型智能机器人语声输出系统

本文研究了汉-Ⅰ型智能机器人的语声输出系统.该系统分为两部分:一部分由TMS5220和MCS-51为核心构成语音合成器,实现单词、词组和歌曲的合成;另一部分是一台由计算机控制的录音机,作为语声输出的辅助装置.文中还提出了歌曲合成的初步解决办法.     

含有奇异元件的有源线性网络计算机辅助分析

本文讨论了含有奇异元件的有源线性网络计算机辅助分析的问题,并提出了能解决问题的有效算法。根据本算法,用Pascal语言编写的UECAD程序,是个通用程序,可用以对任何线性电路,同时作可解性问题,复杂度问题,状态方程问题和输出方程问题的分析。这个程序曾在IBM-PC机上运行,效果很好。     

通用报表系统的设计思想

介绍通用报表系统的主要设计思想，并着重叙述了需解决好的三个问题：表格存储；数据关系描述；表格输出中横表头的自动生成。     

谈RC桥式振荡器的正弦输出及频率的稳定问题

RC桥式振荡器,当其同相,放大倍数为Au=3附近时,才能保证正弦输出,否则将以指数规律衰减,理由以方程解可以解释。频率的稳定度以组成电路元作的F稳定值为准。元件位越稳定,频率愈稳定。     

LD端面泵浦固体激光谐振腔的研究

为了对激光谐振腔体进行优化设计，采用ABCD光学传输矩阵理论．计算得到具有普适性的三镜折叠腔内高斯模式束腰的解析解．对一典型平-平热透镜腔进行计算分析，结果表明；在针对其进行优化设计的泵浦范围内．腔体稳定性很好．激光光斑半径基本不随泵浦功率变化而波动．实验中以808nm尾纤输出的激光二极管端面泵浦Nd：YAG晶体产生连续1064nm激光．激光输出结果与理论模型值能够较好地相符．     

Modulation of low-frequency oscillations in GaAs MESFETs’ channel current by sidegating bias

Low-frequency oscillations in channel current are usually observed when measuring the GaAs MESFET‘s output characteristics. This paper studies the oscillations by testing the MESFET‘s output characteristics under different sidegate bias conditions. It is shown that the low-frequency oscillations of channel current are directly related to the sidegate bias. In other words, the sidegate bias can modulate the oscillations. Whether the sidegate bias varies positively or negatively, there will inevitably be a threshold voltage after which the low-frequency oscillations disappear. The observation is strongly dependent upon the peculiarities of channel-substrate (C-S) junction and impact ionization of traps-EL2 under high field. This conclusion is of particular pertinence to the design of low-noise GaAs IC‘s.