掺锡纳米α-Fe2O3的高温霍尔测量

采用恒pH值共沉淀法 ,制备了掺锡 5mol%的纳米α -Fe2 O3 粉体 .运用霍尔效应的原理 ,在低真空、高温 (390～ 5 40K)下用直流法测量了该α-Fe2 O3 压片的霍尔电压与电阻 .数据表明在该实验条件下α -Fe2 O3 的导电类型为n型 ,载流子浓度随温度的升高而逐步升高 .在低温区 ,数据表征的能量为 0 .18eV ,可能由深杂质能级引起 .高温区 1.7eV的表征能量 ,与Fe2 O3 的禁带宽度的一半相符 .迁移率随温度的变化关系表明 ,在低温区杂质对载流子的散射是主要因素 ,高温区晶格散射成为主要因素     

科技博览

石墨烯在室温和普通光照下可产生电流美国麻省理工学院及哈佛大学的研究人员发现,石墨烯可以对光产生不同寻常的反应,在室温和普通光照射下,就可以发生热载流子效应,产生电流。这一发现不仅为石墨烯再添新奇属性,更有希望使其在太阳能电池、夜视系统、天文望远镜及半导体传感器等应用领域发挥作用。     

GaN基p-i-n型紫外探测器光生载流子屏蔽效应模型

通过求解光生载流子连续性方程,得出GaN基p-i-n型紫外探测器耗尽层中的光生载流子密度分布.根据泊松方程计算了光生载流子屏蔽电场,并通过数值计算方法将光生载流子屏蔽电场引入器件模型,建立了光生载流子屏蔽效应模型.在此基础上,讨论了光生载流子屏蔽效应对p-i-n型探测器耗尽区光生载流子密度分布的影响,并分析了外加偏压、入射光功率以及载流子寿命对光生载流子屏蔽效应模型的影响.结果表明光生载流子屏蔽效应对器件性能的影响是非单调的,且通过调节外置偏压可以得到最大载流子漂移速度和最小器件响应时间.     

磁场分布与霍尔电势特性分析

针对霍尔元件在不同磁场以及不同间距的磁钢中所产生的霍尔电势,进行了测试和分析,并且得出结论,利用霍尔元件在磁钢边缘进行相对位移,可实现空间力或空间位移的分解。     

碳纳米管宏观体的光-电转换研究取得新进展

基于碳纳米管的优异性能(可控的半导体性能、可调的禁带宽度和高的载流子迁移率),清华大学机械系王昆林研究小组开展了碳纳米管太阳能电池的研究.初步研究结果显示,采用双壁碳纳米管薄膜为转换材料,制成的太阳能电池的开路电压达0.5V,短路电流达14mA/cm2,太阳能转换效率达1.3%.尽管转换效率仍很低,但正如审稿人所指出     

微机在小型钢瓶半自动打钢印机中的应用

本文介绍了一种用微机控制的钢瓶打钢印打字机。描述了微机所控制的主要运动，霍尔元件的应用，软件的框图等；并指出今后的改进方向。该机器的研制解决长期以来未能实现的在高压容器钢瓶肩部球面打钢印的自动化问题。     

3CCM硅磁敏三极管工作机理

本文首次指出3CCM硅磁敏三极管的磁敏效应是载流子双注入效应和霍耳效应的结合。反向偏置的收集结允许空穴和阻挡电子通过。积累在收集结附近的电子产生霍耳电场。霍耳电场和劳仑兹力对空穴产生同一方向的作用力,所以这种磁敏管的磁敏电流的线性度和灵敏度都比较高。     

磁化器场强分布测定仪的研制

所设计的磁化器场强分布测定仪能够测定磁化器的磁性能参数，由此来确定磁路的最优组合分布．介绍了仪器的工作原理及组成，分析了霍尔传感器的性能和保证测量精度的方法，并给出了实际的测试结果．