智能型三相用电检查仪的研制

本文基于高精度霍尔元件,研制了一种智能型三相用电检查仪,解决了传统用电检查方法中存在的费力、耗时和繁琐复杂的问题。具体地,通过高精度采样单元获取电能表电压、电流信息,经处理单元处理后,分析单元进行错误接线分析,最终通过显示单元显示错误接线判别结果。经过现场验证,该设计实现了直观、高效地对电能计量装置进行用电检查。     

量子阱厚度和势垒掺杂对大功率AlGaInP LED发光效率衰减特性的影响

GaAs基AlGaInP LED是目前光电子器件研究领域的国际前沿和热点,伴随工业制备技术的日趋成熟,其稳定性和发光效率都得到了明显的提升.但是,在超高电流下工作的AlGaInP大功率芯片仍存在着发光效率衰减严重的问题.目前已知的影响因素主要是载流子的溢出和俄歇复合的加强与否.本文通过分析具有不同势阱厚度和势垒中不同浓度的P型掺杂的AlGaInP样品的光致发光图谱变化与电流密度和辐射效率的关系,发现在势阱厚度为20nm,势垒P型掺杂浓度为1×1017 cm-3时,可以显著改善大功率LED的高温衰减特性.     

改善a-Si太阳电池界面特性的新方法

本文介绍一种用非晶金属硅化物改善a—Sipin太阳电池TCO/p界面特性的新方法.文章中详细讨论了载流子的传输模型并给出了一系列的实验数据.利用这种方法,用单反应室等离子体CVD装置使a—Si电池的短路电流提高了10%以上,并已获得10.6%的转换效率.     

浅谈磁电式与霍尔式速度传感器在汽车上的区别

文章针对应用较广的磁电式传感器和霍尔式传感器展开论述，分别介绍了两者的工作原理和区别。     

宽能带隙电子器件

硅集成电路和数据存贮是两种最成功的技术，目前，这两种技术继续以高速度发展。在集成电路技术中，按照摩尔定律，一块芯片上的晶体管数目每隔18个月就会翻一翻。而对于磁盘驱动技术，自1991年起磁头的总体位密度以每年60％至100％的速率增加。集成电路是通过对半导体应用电场控制载流子流动来工作的，因此关键的参数是电子或空穴上的电荷。而在磁性数据存贮中关键的参数是电子的自旋。     

双层结构8—羟基喹啉铝电致发光的有效载流子形成过程

报道了分子掺杂聚合物作为空穴传输层、８－羟基喹啉铝作为发光层的有机分子／聚合物双层结构的电致发光。着重指出在稳定发光之前有一个有效载流子形成过程。     

一种同步转速状态测定方法及其实现

提出一种同步转速状态测定方法．基于该方法设计了采用霍尔传感器的单片机测量系统．实现了对双螺旋推进器的转速和瞬时相差的准确测量,解决了无法预报“碰撞”现象的难题     

单层有机发光二极管中电场与载流子密度的分布

建立了单层 (有机发光二极管 )中载流子注入、输运和复合的理论模型 ,通过求解非线性Painleve方程得到了电场强度随坐标变化的解析函数关系式 ,计算并讨论了载流子迁移率对电场强度、载流子密度等的影响。结果表明 :空间电荷分布不均匀造成了电场强度的不均匀分布。当在器件中占主导地位的载流子具有较低的迁移率或少数载流子具有较高的迁移率时 ,有利于载流子的输运与复合 ,发光性能可得到较大提高。     

霍尔式力传感器的研制

为了克服传统应变片式力传感器结构复杂、应变片之间平衡困难等缺点．将霍尔元件与弹性元件组合使用，利用霍尔元件能进行微小位移测量的优点，用霍尔元件代替应变片测量力传感器弹性体的形变，从而测量出力的大小．这种霍尔力传感器具有结构简单、精度高、线性好的优点，可作为便携式测量仪器的传感器使用．