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231.
致色杂质降低了高岭土的亮度并限制了它的应用范围。该文研究了一种深色的沉积高岭土受诸致色因素的影响。采用常规的选矿方法不能有效地改善其色质状况,而将它转化为无定形二氧化硅产品是一种可行的利用途径。  相似文献   
232.
本文阐述在半导体中深能级杂质的各种模型和用类氢模型、δ函数阱理论、量子缺陷法以及LCAO-MO(原子轨道一分子轨道线性组合)法对深能级杂质电子态的处理。  相似文献   
233.
康俊勇 《科学通报》1988,33(19):1455-1455
一、引言 对Ⅲ-Ⅴ族半导体混晶中普遍存在的施主中心(DX中心)的研究,近几年来很活跃。实验观察到AlGaAs中施主中心的主要性质:1.随Si、Sn和Te等施主杂质掺入,出现浅和深施主能级,其浓度N_S和N_D之比仅由混晶组分x决定,不随生长方法及生长条件变化,其浓度总和等于施主杂质浓度(见图1)。2.深能级的束缚能随组分,变化明显,x≈0.4束缚能最大。3.低温下对施主电子的光激发,产生持久光电导(PPC),且有很显著的组分依赖关  相似文献   
234.
235.
236.
用 AsCl_3/Ga/H_2气相外延系统在 GaAs 衬底上生长出GaAs 外延层并制成 Au-GaAs 肖特基结构.利用高分辨率深能级瞬态谱(HDDLTS)仪研究了外延层中深能级的特性.结果表明,缺陷和杂质在外延层中引进若干较高浓度的深能级,经退火后缺陷深能级会被消除.  相似文献   
237.
用硅胶H/羧甲基纤维素/硝酸铵作载体,用磷酸三辛酯/四氢呋喃/硝酸/乙醚(3∶18∶2∶18)作展开剂,镧、铈、镨、钕、钐之间能相互分离;轻稀土和钇能能完全分离;在轻重混合稀土中能单独分离镧、铈、镨、钬、钪. 本方法能用于分离、测定独居石中的稀土元素.  相似文献   
238.
从实际工程入手,提出了满足加层需要的加固、加层设计思路与技术措施,并经实际验算,证明该加层方案是安全可行的。  相似文献   
239.
研究用高梯度磁选的方法,对山西阳泉铝钒土浮选脱铁、钛后的泡沫产品进一步进行分选的可能性。结果表明,采用此方法,可以从废弃尾矿中提取合格的高铝钒土精矿,使浮选提纯铝钒土精矿的总产率和回收率提高。这为进一步合理利用矿产资源开辟了新途径。  相似文献   
240.
在Si1-zGez基区HBT中,Ge组份Z缓变产生自建电场,基区杂质浓度向发射极侧的减小产生了阻滞电场,基区杂质浓度向集电极侧的减小产生了加速电场。文中研究了这些电场对基区渡越的影响,研究结果表明,随基区发射极侧杂质浓度的不同,因阻滞电场而产生的延迟时间占基区总渡越时间的40% ̄80%。同时还发现,选用无阻滞电场产生的基区杂质分布,采用大的Ge组份线性缓变和利用集电结空间电荷区电子速度过冲效应,可  相似文献   
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