量子阱中中性施主束缚激子的性质

在有效质量近似下,采用两参数波函数变分地计算了杂质在阱心和阱边两种情况下,量子阱中中性施主束缚激子(D0,X)体系的束缚能和激子质心波函数对于不同阱宽随坐标的分布及粒子间的平均距离随阱宽的变化,得到了较好的结果,并对结果进行了详尽的分析和讨论.     

无限深球形量子点中类氢杂质态的性质

选用含有2个变分参数的波函数,利用变分法计算了无限深球形量子点中施主杂质态的束缚能、杂质有效玻尔半径、维里定理值等随量子点尺度的变化关系.计算结果表明,该模型的结果比选用1个变分参数波函数得到的结果有所改进.     

轻稀土的石墨层间化合物成键性的研究

本文采用扩展到f轨道计算的INDO程序,对轻稀土的石墨层间化合物（REGIC）进行计算,从原子净电荷和Mulliken重叠布居讨论了稀土在REGIC中的电子结构和成键特性,并与碱金属、碱土金属石墨层间化合物（AGIC、AEGIC）进行比较,结果表明稀土与碳层间主要是离子键,且稀土带钢电荷,而碱金属、碱土金属石墨层间化合物听金属带正电荷,同时在REGIC中,稀土与碳层间还有共价成键作用,而AGIC和AEGIC中则没有。     

亚夸克模型,轻子型夸克和一种简单的夸克-轻子结构模型

基于最简洁的ｒｉｓｈｏｎ亚夸克模型,讨论了由此可以组成的各种玻色子和费米子。这可以导出轻子型夸克及一些新粒子,进而提出一种简单的夸克－轻子复合结构的动力学模,如此可以不引入色,并与已知的粒子质量关系,衰变道一致,最后,简单探讨了中微子有质量的某些总是春与相对论的关系。     

氢原子光谱杂质谱线的分析

系统地分析了氢原子光谱中出现的杂质谱线,给出了此类现象的处理方法。     

SnO_2/Fe_2O_3复合膜界面电导率特性分析

等离子体化学气相淀积法 (PCVD法 )制备的复合膜 Sn O2 /Fe2 O3界面电导特性是由于非平衡反应生成的过渡层的结果 .其电导机理可用半导体薄膜理论来阐明 :当锡在 Fe2 O3中的浓度低时 ,由于准自由电子补偿机制起作用 ,导电率升高 ;当锡与铁在过渡层中浓度接近时 ,杂质散射和晶界电阻增大 ,电导率急剧减小     

Bc介子非轻子两体衰变

计算Bc介子非轻子两体衰变Bc→X+Y,末态强子之一X是P波Xc态或hc态过程的衰变宽度.强子跃迁矩阵元写成形状因子的形式,形状因子表示初态末态介子波函数的重叠积分,介子波函数采用势模型理论求得.     

磁场对方形量子阱线中类氢杂质束缚能的影响

采用无限深势阱模型,变分法计算了磁场对截面为方形的一维量子阱线中类氢杂质基态束缚能的影响,同时还讨论了施主离子位置的变化对束缚能的影响。计算结果表明外加磁场使得体吵缚能增加,杂质离子位于阱中心时,束缚能最大,位于正方形的某个角点时,束缚能最小。     

水热条件下影响晶体生长的因素

着重对水热法生长晶体过程中的影响因素进行了分析.高压釜内温度分布、溶液(或溶剂)填充度、浓度和pH值、杂质等会对生成晶体的形状、结构、颜色、生长速度、晶体缺陷和晶体质量产生影响.     

有限深抛物量子阱中的类氢杂质态

运用三参数变分法,研究了在垂直于生长方向的磁场作用下抛物量子阱中类氢杂质态的束缚能和1s→2p-态跃迁能.结果表明,束缚能和跃迁能随阱宽变化有一极大值;束缚能随磁场单调增加,而跃迁能随磁场的变化出现了极小值.