1,8-萘啶类化合物及其配合物的研究进展

1，8-萘啶类化合物及其配合物是当前国内外研究的热点，具有特殊的抗菌活性、催化及光学特性，极具应用潜力。本文综述了该类化合物及其配合物结构、性质以反应用等方面的研究进展。     

AIP吸收器传质特性中试装置及KLa测试方法研究

基于不依赖空气动力装置（AIP）排出CO2气体旋转床吸收器传质特性研究要求，选择S-195型柴油机为AIP排出气体发生器，优化设计了气、水流程，建立了波纹碟片填料旋转床吸收器的传质特性中间试验装置（简称中试装置），该装置具有多参数调节和测试功能。针对在较高气体压力下，AIP排出气体旋转床传质试验无法直接测算其体积传质系数（Kla），提出了一种间接测算Kla实验值的方法。实验结果表明，用间接测算方法求取的Kla实验值与直接测算值相对误差小于10％。     

高雷诺数情况下钝体绕流的数值模拟

在高雷诺数 (Re=1× 1 0 4)情况下 ,利用流函数———涡量法在二维空间对半圆半椭圆的拼接体 (新月形覆冰导线的截面 )绕流流场的流动结构、涡的变化及气动力特性进行数值模拟 .将模拟过程用于圆柱体和半圆半椭圆拼接体 ,结果与前人的研究结果及试验值相吻合 ,验证了此数值模拟过程的合理性     

永磁操作机构电磁设计及其动态特性分析

根据双稳态永磁操作机构的结构特点及其工作原理，利用等效磁路法建立了该类操作机构的磁路及其各电磁量之间的物理关系，同时建立了合闸和分闸操作过程中的电磁方程和动铁心的运动方程，并讨论了其电磁设计的基本方法．结合实验样机，分别给出了操作过程的动态特性计算和实测结果．     

非线性电路故障诊断模型的建立及神经网络求解的方法研究

分析并推导了含有非线性流控型电阻元件和非线性压控型电阻元件组成的非线性电阻网络的故障诊断方程，这是以支路故障标志量为未知的一组线性代数方程。在推导非线性元件的“故障标志量”时，消除由工作点变化引起的电参量的变化，保留由伏-安特性变化引起的电参量变化，它标志非线性元件本身发生了故障；文章还提出一种神经网络，可在线快速求解非线性电阻网络的故障方程的解，从而可在线对故障进行定位。     

从n型硅到RTN超薄SiO2膜的电流传输特性

用卤素钨灯作辐射热源，对超薄(10nm)SiO2膜进行快速热氮化(RTN)，制备了SiOxN，超薄栅介质膜，并制作了Al／n-Si／SiOxNy／Al结构电容样品．研究了不同样品中n型Si到快速热氮化超薄SiO2膜的电流传输特性及其随氮化时间的变化．结果表明：低场时的漏电流很小；进入隧穿电场时，I—E曲线遵循Fowler-Nordheim(F-N)规律；在更高的电场时，主要出现两种情形，其一是I-E曲线一直遵循F-N规律直至介质膜发生击穿，其二是I-E曲线下移，偏离F-N关系，直至介质膜发生击穿．研究表明，I-E曲线随氮化时间增加而上移．文中对这些实验结果进行了解释．     

利用背面Ar+轰击改善n沟MOSFET线性区的特性

研究了利用背面Ar^ 轰击改善n沟金属－氧化物－半导体场效应晶体管（n-MOSFET)线性区的特性，用低能量（550eV)的Ar^ 轰击n-MOSFET芯片的北面，能有效地改善其线性区的直流特性，如跨导，沟道电导，阈值电压，表面有效迁移率以及低频噪声等，实验结果表明，随着轰击时间的增加，跨导，沟道电导和表面有效迁移率光增大，然后减小，阈值电压先减小，随后变大；而低频噪声在轰击后明显减小，实验证明，上述参数的变化是硅－二氧化硅界面态密度和二氧化硅中固定电荷密度在轰击后变化的结果。     

蒸发器管路特性自动测试装置研制

介绍了制冷机中蒸发器和毛细管等管路器件特性参数自动测试装置的设计原理和实施方法。通过对管中气流的理论分析，利用铂电阻、差压和流量变送器等检测仪表，用单片机进行数据采集、运算处理和流程控制，解决了管路器件泄漏和阻力综合参数测试装置研制中的几个关键问题。该装置可灵活方便地应用于制冷行业管路器件质量监控。     

二氰基二硫纶·联吡啶镉（II）配合物的合成及荧光特性的研究

以ｃｉｓ－１，２－二氰基乙烯－１，２－二硫醇钠Ｎａ２（ｍｎｔ）和２，２＇－联吡啶镉配合物Ｃｄ（ｂｐｙ）Ｃｌ２为原料，合成了一种功能性新型二氰基二硫纶·联吡啶合镉（Ⅱ）配合物Ｃｄ（ｍｎｔ）（ｂｐｙ）（ｍｎｔ＝１，２－ｄｉｃｙａｎｏ－ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉｔｈｉｏｌａｔｅ，ｂｐｙ＝２，２＇－ｂｉｐｙｒｉｄｉｎｅ）。经元素分析、红外光谱、摩尔电导、热谱、电子吸收光谱表征，其结构为四配位的电中性配合物。同景     

微波ECR等离子体的传播特性研究

通过冷等离子体波的色散关系计算分析得到了不同频率区域回旋波的性质，由此得到高、低两种磁场位形下微波ＥＣＲ等离子体的传播特性，并利用回旋阻尼机制对共振区位移作出了解释。