高压VDMOSFET中的快恢复体二极管的设计新方法

提出了一种提高高压垂直双扩散MOS场效应晶体管（VDMOSFET）的体二级管恢复速度的新方法,在这一方法中,肖特基接触集成于VDMOSFET中的每一单胞中,据此生产的样品的实验结果表明,对于500V／2A的VDMOSFET,反向恢复电荷减小了50％,体二极管的恢复因数增大了60％．     

接触爆炸和近距离爆炸比冲量数值仿真研究

对于接触爆炸和近距离爆炸的情况,炸药形状、起爆点位置和产物喷射均会造成载荷空间分布复杂,给理论分析和工程应用带来困难。分别采用流固耦合方法和PBM方法对Nansteel近距离爆炸子弹抛掷实验进行数值仿真,结果表明PBM模型仿真结果和实验结果吻合较好,而流固耦合模型仿真结果仅为实验值的70%左右.对于高度为3～10 cm的等长径比TNT药柱接触爆炸仿真结果表明,中心点比冲量随药柱高度线性变化.对640 g和1 250 g等长径比TNT药柱仿真结果表明,爆心距的变化主要影响靶板中心点6 cm半径内的比冲量,基于量纲分析推导出了比冲量的经验公式.     

基于滑模与状态反馈模糊加权控制的气动伺服焊枪柔性接触研究

在焊枪电极接近运动过程中,期望接近速度大且在接触面附近快速降速以减小接触时的冲击力,实现一种柔性接触,对于提高焊接的效率和质量具有很重要的作用.滑模控制虽然能有效降低焊枪电极接触力,但所用时间较长.本文将基于模糊逻辑的滑模与状态反馈加权控制运用到气动伺服焊枪系统中,在建立系统模型的基础上设计滑模切换函数和滑模控制律,通过极点配置的方法设计状态反馈控制器,之后基于模糊控制设计滑模与状态反馈模糊加权控制器,最后通过实验验证提出的控制策略.实验结果表明设计的控制器控制效果优于最大量控制和滑模控制,可有效实现柔性接触.     

何作霖先生最早发现莱芜铁矿是接触变质矿床——读《山东博山莱芜间地质矿产》有感

1949年8月,何作霖受山东省政府工矿部的邀请,在博山莱芜间进行地质调查,查明莱芜有三处铁矿。尤其是莱芜矿山地区的接触变质磁铁矿的发现,为以后寻找和勘探莱芜铁矿提供了可靠线索及依据。同时何作霖还预测了莱芜与吐丝口间煤田的存在。     

基于数值积分与功率损耗测试的冷轧电机功率模型

为提高冷轧电机功率的计算精度,提出了一种新型的电机功率在线计算模型,模型中将电机功率分为轧制功率和机械功率损耗.其中,轧制功率采用基于简易有限元的数值积分方法计算获得,而电机机械功率损耗采用实验测试回归方法获得.基于本文设计的测试方案和模型结构,通过对某1 450 mm五机架冷连轧机组的现场测试,回归得到了功率损耗模型中的系数,并将其应用到了该机组中.现场实际应用表明该电机功率模型的计算偏差可控制在±5%以内,证明该模型具有较高的计算精度,符合现场控制要求,具有广泛的应用前景.     

基于条元法的异步轧制金属三维塑性变形分析

采用条元法分析了异步轧制条件下金属在变形区内的变形情况,建立了适用于异步轧制的轧制压力公式及中性点坐标公式,并在计算摩擦力时考虑了粘着区的存在。通过仿真分析,得到了异步轧制条件下变形区内摩擦力的分布规律及应力、应变的分布规律,最后分析了不同速比对等效应力的影响以及不同入口厚度对轧制压力的影响。     

便携式移动通信基站自锁地梁基础受力性能分析

便携式移动通信基站由于其快速建站、移动方便等优点被广泛应用.由于不需要开挖基础,现行规范对基站基础设计尚无计算公式.本文利用有限元分析软件ANSYS对自锁地梁基础进行数值分析,评价其整体受力性能,分析结果表明:自锁地梁基础整体性能好,基础应力小,调整基础尺寸能满足基底脱开率要求.     

MBR工艺在电池废水处理中的应用

利用絮凝、氧化沉淀工艺将废水中SS、COD去除一部分,经过水解酸化提高废水的可生化性,经生物接触氧化后进入MBR池进行深度处理,在MBR池中利用膜的过滤作用和生物作用,进一步降解水中的可溶性COD,使其达到排放标准。     

微接触压印法制备ZnO纳米线二维光子晶体

采用基于微接触压印的一种新工艺制备了ZnO纳米线二维光子晶体,工艺包括两个步骤:第一,利用Zn(AOc)_2溶胶作为墨水和PDMS作为印章,通过微接触压印技术在ITO衬底上制备图形化的ZnO种子层;第二,采用80℃的低温水热法在图形化的ZnO种子层上选择性的生长ZnO纳米线,获得ZnO纳米线二维光子晶体。测试结果表明:通过优化后的工艺,实现了微结构完整的图形化ZnO种子层;通过短时间的水浴生长实现ZnO纳米线二维光子晶体。由于光子晶体的多重散射效应,透过ZnO纳米线光子晶体的光波呈周期性震动的光谱曲线与带状色散条纹。     

匝间无绝缘的超导磁体线圈研究及性能测试

分析了匝间无绝缘的超导磁体线圈的结构,主要测试了线圈总层数和每层匝数对其等效总电阻的影响以及线圈的励磁退磁性能.实验结果表明:当总层数为奇数和偶数时,等效总电阻的变化趋势完全不同,但量级均为相邻匝间接触电阻的几倍.等效总电阻大小直接影响着线圈的励磁、退磁过程.线圈总电阻越大,则励磁时间越短,但同时感应电压也越大,焦耳热也会增加.所以,对于无绝缘超导磁体线圈的设计,选择合适的线圈等效总电阻及匝间的无绝缘填充材料尤为重要.