大束流Co离子注入形成CoSi2/Si Schottky结的特性

采用Schottky结源漏结构是克服传统MOSFET器件短沟效应的一种有效方法.不同于常规的固相反应形成硅化物的方法,该文利用金属蒸汽真空弧(MEVVA)离子源进行强流金属离子注入合成了金属硅化物CoSi2, 并首次对其与Si所形成的Schottky结特性进行了研究.结果表明850 ℃退火1 min后已形成CoSi2硅化物晶相,且结深易于控制.电流特性表明p型衬底得到了较好的Schottky结,势垒高度为0.48 eV, 理想因子为1.09, 而n型衬底形成的Schottky结的理想因子偏大,需进一步改进工艺.     

无序瞬子媒质中的两胶子凝聚

在量子色动力学瞬子真空模型中，研究了ＳＵｃ（２）、ＳＵｃ（３）规范场论中两胶子凝聚的温度依赖关系，用费曼变分原理和平均场近似方法，发现两胶子凝聚随温度升高而衰减，在Ｔ≈４．５∧ｍｓ时，凝聚几乎消失；色磁凝聚和色电凝聚的干涉部分同非干涉部分相比，虽然比较小，但在低温区不可忽略。     

狄拉克（Dirac）与当代物理学

从量子力学、真空、大数假说、磁单极子诸方面，阐述了坎拉克的治学思想和研究方法的特点及其对当代物理学所做出的重大贡献．     

垦区棉花质量问题的回顾与反思

"银力"牌棉花在师市领导的重视和关怀下,几度辉煌.曾荣获"全国十大知名品牌"称号,并获得中国市场商品质量网上知名度、服务满意度、市场占有率、质量美誉度及市场首选产品五项指标调查活动第一名.     

溶胶凝胶法制备三维规则排列大孔TiO2材料

以聚苯乙烯微球 (LatexSphere)离心后形成的三维规则排列的胶晶 (colloidcrystal)作模板 ,用钛酸丁酯、水、乙醇等配制的溶胶填充微球之间的间隙 ,然后原位形成凝胶 ,最后通过焙烧除去微球得到三维规则排列大孔TiO2 材料 (3DOM)。溶胶的浓度一般控制在 0 5～ 1 0md/L之间。焙烧过程的升温速度应控制在 5℃ /min以下。得到的样品表面可观察到五颜六色的彩光。从SEM照片可观察到 ,球形孔大小均匀 ,排列整齐 ,孔壁填充完全。孔径在 5 30nm左右 ,孔的排列呈面心立方结构 ,孔与孔之间由小孔窗相互交连。XRD表明孔壁含有锐钛矿和金红石两种晶型 ,2种晶型质量分数大约各占 5 0 %。     

真空C-度规中的虚Weyl坐标

研究了在真空C-度规中扩大Weyl坐标及其覆盖的时空区域的可能性. 结果表明:Weyl坐标可以扩大到虚坐标区域,虚Weyl坐标区域覆盖了真空C-度规视界内部区域. 获得了Weyl坐标下真空C-度规完整的时空图.