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31.
通过研究和总结现有卷接机组调头轮原理与特点,本文提出了一种非齿轮传动的,独立伺服电机驱动的锥形调头轮设计思路,并在PR0/E设计平台上展开具体的参数分析,设计、优化与仿真,从而有效提高了设计工作的效率。 相似文献
32.
超高速充液旋压时轴向拉力和断管分析 总被引:2,自引:2,他引:0
系统分析了超高速充液旋压内螺旋翅片过程中轴向拉力和断管倾向 .改善入口模区和旋压区管内 (外 )润滑条件 ,优化入口模和挡头结构 ,精确控制旋压量大小是减少轴向拉力及其断管倾向的主要措施 .旋压量增大时轴向拉力增大 ,当旋压量超过临界值时轴向拉力随旋压量增加而急剧增大 .入口模锥角对轴向拉力的影响十分明显 ,在入口模锥角13°时 ,轴向拉力最小 ,随着入口模锥角的增大或减少 ,轴向拉力均会增大 . 相似文献
33.
为了在线检测、存储、处理多种形式和多种频率的核信号,采用硬件、软件相结合的方式构造出一种基于超高速数据采集卡(3通道、1 GS/s采样率、1 ns同步精度)、利用PC平台的多适性核信号处理与分析系统。当来源核信号为脉冲形式时,采集按时间数字转换方式记录信号;当来源信号为连续形式时,采集按模拟数字转换方式记录信号。设计了对应于不同信号形式的处理流程和算法,有效得到了核信号随机过程的相关函数、功率谱估计等主要结果。 相似文献
34.
该文从分析影响超高速火炮初速的理想工质入手,根据国外超高速发射技术的最新实验研究成果,介绍一种吸收电热化学炮、轻气炮优点的新型火炮装置———电热化学轻气炮。由于该炮在电热化学炮的基础上加入轻质气体这一理想工质,因而能大大改善弹丸后部的压力分布,提高火炮弹丸的初速。该文以内弹道学原理为理论基础,介绍了这种新型火炮装置的工作原理,并建立了其内弹道物理数学模型,为这种超高速射弹装置的设计和实际应用提供了理论依据。 相似文献
35.
现代加工与成形制造技术作为先进制造技术(AMT)的重要支撑,引发了传统制造业的重大变 革,现对其相关技术的发展进行跟踪和述要。 相似文献
36.
介绍了超高速碰撞过程中等离子体产生的环形电磁场测量方法,测量过程中采用螺旋型线圈,并分析了该线圈对外界干扰磁场的屏蔽效应.实验中采用该线圈测量到速度为6.2km/s的球形LY12铝弹丸超高速碰撞LY12铝靶板产生磁场强度随时间的变化规律.测试结果表明,等离子体产生的瞬态电磁场的持续时间为1ms左右,最大幅值为15μT. 相似文献
37.
超高速磨削技术的发展及其主要相关技术 总被引:16,自引:4,他引:16
阐述了超高速磨削的机理与特点,介绍了其技术现状及发展趋势,分析了超高速磨削机理与工艺、超高速磨削用主轴单元制造技术、超高速磨削砂轮、磨削液及供液系统等主要相关技术。 相似文献
38.
超高速微小碎片激光测速系统研制及应用 总被引:1,自引:0,他引:1
地面超高速模拟实验是研究微小空间碎片撞击效应经济有效的手段,其中等离子体加速器为微米量级碎片的主要地面模拟设备.本文研制了在等离子体驱动微小碎片加速器系统并应用于高速飞行微粒速度测量的激光测速系统.该激光测速系统工作原理是.利用主动激光照明,在颗粒飞行路径上形成光墙,通过检测颗粒通过光墙形成的散射激光,得到微粒到达光墙的时间,利用飞行时间法进行高速微粒速度测量.在激光测速系统原理测试实验中,采用信号响应上升时间小于10 ns,电子渡越时间小于20ns的高灵敏、快响应的光电倍增管,原理试验测得该探测系统的响应时间仅为约70 ns.该响应时间小于速度为15 km/s的颗粒通过3~5mm厚度的片状激光束的理论时间,并验证了该系统灵敏度高、响应时间快的特点,可以满足超高速微粒(8~20 km/s)通过3~5 mm激光墙的时间阈值(约0.1 μs)的需求.目前,激光测速系统已经应用于等离子体加速器发射超高速微粒的试验中,能有效测量等离子体加速器所发射的高速微粒的群速度,对15 km/s及以上速度的超高速颗粒亦能捕捉到有效信号,实现对微粒速度的测量,达到了良好的预期效果.在等离子体微小碎片加速器上开展的超高速撞击试验中,激光测速系统能够实现无损在线速度测量,对等离子体加速器上开展的超高速撞击试验提供了重要帮助. 相似文献
39.
采用AUTODYN流体编码,对钨杆(L/D=20,L为钨杆长度,D为钨杆直径)以1.5~5.0km/s的速度侵彻碳化硼(B4C)陶瓷的全过程进行了数值模拟研究,其结果与实验进行了比较.结果表明,数值模拟与实验结果吻合较好.在此基础上研究了算法、网格尺寸及侵蚀应变值的大小对钨杆侵彻速度(u)、侵蚀速度(vc)及侵彻深度(h)的影响.并得出了钨杆侵彻速度、侵蚀速度及侵彻深度与撞击速度(v)之间的函数关系式. 相似文献
40.
描述了一个高速并行(Flash ADC)模数转换器的仿真分析与设计.该模数转换器运用反相器阈值电压量化技术(Threshold Inverter Quantization,TIQ)进行设计,使得使用普通CMOS数字工艺也可获得很高的采样速度.在文中,一个使用TSMC0.25μm工艺的8位TIQ CMOS并行模数转换器被设计出来并加以仿真分析.该模数转换器采样速度可达600MS/s,工作电压为2.5V时功耗约为154.506mW,占用的面积约为0.2mm2.特别适用于高速低电压SoC电路的设计. 相似文献